1N6506
一个Microsemi的公司
580圣喜羊羊
水城， MA 02472
电话： 617-924-9280
传真： 617-924-1235
二极管阵列产品规格
单片隔绝空气
二极管阵列
产品特点：
密封陶瓷封装
BV > 60V时为10uA
IR <为100nA ，在40V
< 4.0 pF的
10
2
3
4
5
6
7
8
绝对最大额定值：
符号
VBR （R） - * 1 * 2
IO
*1 * 3
IFSM * 1
PT1
*4
PT2
*4
顶部
TSTG
参数
反向击穿电压
连续正向电流
峰值浪涌电流（ TP = 1/120 S）
每个结功耗@ 25℃
每个封装功耗@ 25°C
工作结温范围
存储温度范围
极限
60
300
500
400
600
-65到+150
-65到+200
单位
VDC
MADC
MADC
mW
mW
°C
°C
9
1 ：未连接
.320
.290
.200
最大
.310
.220
.005
民
.200
.125
.023
.014
.070
.030
.785
最大
.100
BSC
.098
最大
注1 ：每个二极管
注2 ：脉冲： PW = 100ms的最大值;占空比< 20 ％
注3 ：除鼠在2.4毫安/ ° C以上25 ℃，
注4 ：减额在4.0mW时/ ° C以上25 ℃，
.060
.015
O-15
.015
.008
电气特性（每二极管） @
25 ° C除非另有说明
符号参数
Vf1
Vf2
IR1
Ct
TFR
TRR
正向电压
正向电压
反向电流
电容（引脚对引脚）
正向恢复时间
反向恢复时间
条件
包装外形
民
最大
1
1.5
0.1
4.0
40
20
单位
VDC
VDC
uAdc
pF
ns
ns
如果= 100mAdc * 1
如果= 500mAdc * 1
VR = 40 VDC
VR =为0 Vdc ; F = 1 MHz的
如果= 500mAdc
如果= IR = 200mAdc ， IRR = 20mAdc的， RL = 100欧姆
注1 ：脉冲：后PW = 300US +/- 50微秒，占空比< 2 ％ ， 90us前沿
Sertech保留随时更改产品设计，规格或其他合适的
在不事先通知的信息。
MSC1017.PDF冯 - 98年11月25日
1N6506
带隔离二极管阵列
HiRel它MQ ， MX ， MV ，而MSP筛选选项
斯科茨代尔区划
描述
这些低电容二极管阵列与普通阴极是多重的，离散的，
孤立路口制造了一个平面工艺和安装在一个10引脚封装形式为
作为控向二极管保护多达8个I / O端口的ESD， EFT ，电涌或通过使用
他们引导到所述电源线的正侧（见图1） 。该电路
应用程序是由1N6507 （单独的数据表） ，有一个进一步的赞扬
共阳极。外部TVS二极管可以与正电源之间加
线和接地，以防止过电压对电源轨。它们也可以在用
快速切换内核驱动程序的应用程序。这包括在计算机和外围
设备如磁芯，薄膜存储器，镀线存储器等，如
以及解码或编码应用。这些阵列提供了许多优点
集成电路如高密度封装，并提高了可靠性。这是一个
更少的拾取和放置操作，更小的体积，更小的重量和的结果
消除各个离散软件包可能不如用户在PC板友好
安装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
14引脚陶瓷DIP
特点
密封陶瓷封装
隔离二极管，以消除串扰电压
高击穿电压V
BR
> 60 V 10
μA
低漏我
R
<为100nA ，在40 V
低电容C < 4.0 pF的
切换速度小于20纳秒
按照MIL- PRF-筛选选项
四百七十四分之一万九千五百为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是
可通过加入MQ ，MX， MV，或MSP前缀
分别零件号。例如，指定
MX1N6506的JANTX屏幕。
应用/优势
高频数据线
RS - 232 & RS - 422网络接口
以太网： 10碱基T
计算机I / O端口
局域网
交换核心驱动程序
IEC 61000-4兼容（请参阅图1所示电路）
61000-4-2 ESD ：空气15千伏，接触8千瓦
61000-4-4 （ EFT ） ： 40 A - 5/50 NS
61000-4-5 （浪涌） ： 12一8/20
μs
最大额定值
V
BR
反向击穿电压60 V分钟（注1 & 2 ）
I
O
300 mA连续正向电流（注1 & 3 ）
I
FSM
正向浪涌电流（ TP = 1/ 120秒） 500毫安（注1 ）
每个结400 mW的功耗@ 25
o
C
每包600 mW的功耗@ 25
o
C（注4 ）
o
工作结点温度范围-65 + 150℃
-65到+200存储温度范围
o
C
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
每个二极管
脉冲：P
W
= 100 ms（最大值） ;占空比<20 ％
o
o
减额在2.4毫安/ C以上+ 25℃
o
o
减额在4.0毫瓦/ C以上+ 25℃
机械及包装
14引脚陶瓷DIP
重2.05克（近似值）
标志：标志，部件编号，日期代码
引脚1到缩进的左侧封装顶部
运营商管; 25个（标配）
电气特性（每二极管） @ 25
o
C除非另有说明
1N6506
部分
数
最大
前锋
电压
V
F1
I
F
= 100毫安
（注1 ）
V
最大
前锋
电压
V
F2
I
F
= 500毫安
（注1 ）
V
最大
反向
当前
I
R1
V
R
= 40 V
μA
最大
电容
（PIN TO PIN）
最大
前锋
恢复时间
t
fr
I
F
= 500毫安
ns
C
t
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
pF
最大
反向
恢复时间
TRR
I
F
=
I
R
= 200毫安
i
rr
= 20毫安
R
L
= 100欧姆
ns
1N6506
版权
2006
2006年5月1日修订版D
1
1.5
0.1
4.0
40
20
注1 ：
脉冲：P
W
= 300我们+/- 50微秒，占空比<2 ％ ，之后前沿90微秒。
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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1N6506
带隔离二极管阵列
HiRel它MQ ， MX ， MV ，而MSP筛选选项
斯科茨代尔区划
符号定义&
符号
V
BR
V
F
I
R
I
FSM
C
t
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度
正向浪涌电流峰值正向浪涌电流在规定的脉冲宽度
电容：在瞬态的定义@ 0伏以1MHz的频率和所表示的静电电容
皮法
WWW .
Microsemi的
.C
OM
概要
包装尺寸
电路
电源轨（ + V
CC
)
I / O端口
1N6506
GND （或-V
CC
)
控向二极管应用
图1
版权
2006
2006年5月1日修订版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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