UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
1N65
1.2A ， 650V N沟道
功率MOSFET
1
1
TO-92
功率MOSFET
描述
在UTC
1N65
是一个高压功率MOSFET ，并设计
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻和高的耐用雪崩
的特点。这种功率MOSFET通常是在高速使用
开关电源， PWM马达控制应用中，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
SOT-223
1
TO-220
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
=12.5@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值5.0nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型3.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-251
1
TO-252
1
符号
TO-126
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N65L-AA3-R
1N65G-AA3-R
1N65L-T92-B
1N65G-T92-B
1N65L-T92-K
1N65G-T92-K
1N65L - T92-
1N65G - T92-
1N65L-TA3-T
1N65G-TA3-T
1N65L-TF3-T
1N65G-TF3-T
1N65L-TM3-T
1N65G-TM3-T
1N65L-TN3-R
1N65G-TN3-R
1N65L-TN3-T
1N65G-TN3-T
1N65L-T60-K
1N65G-T60-K
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
SOT-223
TO-92
TO-92
TO-92
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-252
TO-126
1
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
引脚分配
2
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
3
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
填料
带盘
磁带盒
体积
带盘
管
管
管
带盘
管
体积
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2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-579.B
1N65
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
漏源电压
栅源电压
雪崩电流（注2）
连续漏电流
漏电流脉冲（注2 ）
单脉冲（注3 ）
雪崩能量
重复的（注2）
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
SOT-223
TO- 251 / TO- 252
TO-220
功耗
TO-220F
TO-92(T
A
=25℃)
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
I
D
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
功率MOSFET
评级
单位
650
V
±30
V
1.2
A
1.2
A
4.8
A
50
mJ
4.0
mJ
4.5
V / ns的
1
W
28
W
40
W
P
D
21
W
1
W
TO-126
12.5
W
结温
T
J
+150
℃
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 60mH ，我
AS
= 1A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
1.2A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
SOT-223
TO- 251 / TO- 252
的TO-220 / TO -220F
结到环境
TO-92
TO-126
SOT-223
TO- 251 / TO- 252
TO-220
TO-220F
TO-126
符号
评级
150
110
62.5
140
132
14
4.53
3.13
5.95
10
单位
θ
JA
℃/W
结到外壳
θ
Jc
℃/W
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2 6
QW-R502-579.B
1N65
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
650
V
10
μA
100 nA的
-100 nA的
0.4
V/℃
4.0
9.5 12.5
120 150
20
25
3.0 4.0
5
25
7
25
5.0
1.0
2.6
20
60
25
60
6.0
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
前锋
反向
击穿电压温度系数
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=0.6A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
输出电容
C
OSS
f=1MHz
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 325V ，我
D
=1.2A,
R
G
= 50Ω （注2,3 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=520V, V
GS
=10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
= 1.2A （注2,3 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源极 - 漏极二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
=1.2A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
S
=1.2A
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
3.基本上不受工作温度
V
GS
= 0V时，我
D
=250μA
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
GS
=30V, V
DS
=0V
I
GSS
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
ΔBV
DSS
/
△
T
J
I
D
=250μA
2.0
1.4
1.2
4.8
160
0.3
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3 6
QW-R502-579.B
1N65
测试电路和波形
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
功率MOSFET
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 6
QW-R502-579.B
1N65
测试电路和波形（续）
功率MOSFET
切换测试电路
开关波形
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
非钳位感应开关测试放大电路
非钳位感应开关Waveformst
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5 6
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