【硅整流二极管利用优势1N645 649or1N645-1至649-1DO- 35玻璃封装作为一个通用】,IC型号1N648UR-1,1N648UR-1 PDF资料,1N648UR-1经销商,ic,电子元器件-51电子网

硅整流二极管

利用优势

1N645 649

1N645-1至649-1

DO- 35玻璃封装

作为一个通用的整流器电源供应器，或用于裁剪和

转向系统。

高性能替代小信号二极管，在空间不

允许使用功率整流器。

可以在恶劣的环境中，气密性和可靠性是使用

重要的即（军事和航空/航天）。 MIL - S-二百四十零分之一万九千五百批准。

提供多达JANTXV - 1级。

"S"级别的筛选能力，电源控制制图。

特点

D 2 O -3地下5 LA SS P一CK一克é

六西格玛质量

铅直径。

0.018-0.022"

湿度防弹玻璃

0.458-0.558 mm

冶金结合

热匹配系统

IA 。

1.0 "

L E N G - 日

无热疲劳

2 5 .4 m m

（ M IN ）。

1.53-2.28 mm

高浪涌能力

σ键镀金触点

100 ％保证焊

（ DO - 213AA ） SMD MELF商业（ LL ）和MIL （ UR - 1 ）类型可用

0.12 0 0.200 "

3.05 -5 .08-

0.06 -0 0.09"

绝对最大额定值

从身体，T功率消耗在8"分之3

= 75

正向平均整流电流在T

热阻抗

详细规格

反向

电压

)

击穿

电压

（分）

@ 100A

)

符号

合计

O&S

qJX

价值

600

400

-65 175

单位

毫瓦

毫安

= 75

工作和存储温度范围

C / W

最大

前锋

最大

平均整流电流

电压

反向漏电流

_______________

降

_______________

)

) @ I

= 400毫安

) @ V

25° C

150 ° C（ MIN 。）

（ MAX 。） 25℃

100° C

最大

典型

浪涌

连接点

电流容量

FSM

)

@ -12V

（注1 ）

)

TYPE

1N645,-1

1N646,-1

1N647,-1

1N648,-1

1N649,-1

伏

225

300

400

500

600

伏

275

360

480

600

720

安培

0.4

安培

0.15

伏

1.0

0.2

安培

注1 ：浪涌电流@T

= + 25 ° C至+ 150 ° C， 1秒

对于MELF DO- 213AA表面贴装封装，替代"1N"前缀"LL"用于商业。

6湖街 - 劳伦斯， MA 01841

电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135

硅整流二极管

1N645-1

THRU

1N649-1

DO- 35玻璃封装

DO- 35降额（ 175℃ TJ ）

D 0 - 35 PO W ER ER 在克碳ü诉ê

500

400

P奥尔耗散（毫瓦）

300

200

100

120

140

160

180

率T e米P·E RA TU RE（ 8"分之3来回M B OD ）C

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THRU

1N649-1

DO- 35玻璃封装

硅整流二极管

1N645-1通1N649-1

1 N 6 5月4日至4月6日9 R EC tifie化硫（E S）

典型IC人的Ir V R = P IV ; TA = 1 50℃

1N 6 49 -1

6 .9

6 .7

6 .5

6 .3

IR（ Typic人V alues ）麦克风ROA MPS

6 .1

5 .9

5 .7

5 .5

5 .3

5 .1

4 .9

4 .7

4 .5

2 00

3 00

4 00

V R - V LTS

5 00

6 00

1N 6 45 -1

1 N 6 46

1N 6 47 -1

1 N 6 48

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