硅整流二极管
利用优势
1N645 649
or
1N645-1至649-1
DO- 35玻璃封装
作为一个通用的整流器电源供应器，或用于裁剪和
转向系统。
高性能替代小信号二极管，在空间不
允许使用功率整流器。
可以在恶劣的环境中，气密性和可靠性是使用
重要的即（军事和航空/航天） 。 MIL - S-二百四十零分之一万九千五百批准。
提供多达JANTXV - 1级。
"S"级别的筛选能力，电源控制制图。
特点
D 2 O -3地下5 LA SS P一CK一克é
六西格玛质量
铅直径。
0.018-0.022"
湿度防弹玻璃
0.458-0.558 mm
冶金结合
热匹配系统
IA 。
1.0 "
L E N G - 日
无热疲劳
2 5 .4 m m
mm
（ M IN ）。
1.53-2.28 mm
高浪涌能力
σ键镀金触点
100 ％保证焊
（ DO - 213AA ） SMD MELF商业（ LL ）和MIL （ UR - 1 ）类型可用
0.12 0 0.200 "
3.05 -5 .08-
0.06 -0 0.09"
绝对最大额定值
从身体，T功率消耗在8"分之3
L
= 75
o
C
正向平均整流电流在T
L
热阻抗
详细规格
反向
电压
(V
R
)
击穿
电压
（分）
@ 100A
(B
V
)
符号
P
合计
I
AV
T
O&S
Z
qJX
价值
600
400
-65 175
35
o
单位
毫瓦
毫安
o
= 75
o
C
工作和存储温度范围
C
C / W
最大
前锋
最大
平均整流电流
电压
反向漏电流
_______________
降
_______________
(I
O
)
(I
O
)
(V
F
) @ I
F
= 400毫安
(I
R
) @ V
R
25° C
150 ° C（ MIN 。 ）
（ MAX 。 ） 25℃
100° C
最大
典型
浪涌
连接点
电流容量
(I
FSM
)
@ -12V
（注1 ）
(C
O
)
TYPE
1N645,-1
1N646,-1
1N647,-1
1N648,-1
1N649,-1
伏
225
300
400
500
600
伏
275
360
480
600
720
安培
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
A
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
A
15
15
20
20
25
安培
3
3
3
3
3
pF
9
9
9
9
9
注1 ：浪涌电流@T
A
= + 25 ° C至+ 150 ° C， 1秒
对于MELF DO- 213AA表面贴装封装，替代"1N"前缀"LL"用于商业。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
DO- 35降额（ 175℃ TJ ）
D 0 - 35 PO W ER ER 在克碳ü诉ê
500
400
P奥尔耗散（毫瓦）
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
率T e米P·E RA TU RE（ 8"分之3来回M B OD ）C
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
硅整流二极管
1N645-1通1N649-1
1 N 6 5月4日至4月6日9 R EC tifie化硫 （E S）
典型IC人的Ir V R = P IV ; TA = 1 50℃
1N 6 49 -1
6 .9
6 .7
6 .5
6 .3
IR（ Typic人V alues ）麦克风ROA MPS
6 .1
5 .9
5 .7
5 .5
5 .3
5 .1
4 .9
4 .7
4 .5
2 00
3 00
4 00
V R - V LTS
5 00
6 00
1N 6 45 -1
1 N 6 46
1N 6 47 -1
1 N 6 48
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
利用优势
1N645 649
or
1N645-1至649-1
DO- 35玻璃封装
作为一个通用的整流器电源供应器，或用于裁剪和
转向系统。
高性能替代小信号二极管，在空间不
允许使用功率整流器。
可以在恶劣的环境中，气密性和可靠性是使用
重要的即（军事和航空/航天） 。 MIL - S-二百四十零分之一万九千五百批准。
提供多达JANTXV - 1级。
"S"级别的筛选能力，电源控制制图。
特点
D 2 O -3地下5 LA SS P一CK一克é
六西格玛质量
铅直径。
0.018-0.022"
湿度防弹玻璃
0.458-0.558 mm
冶金结合
热匹配系统
IA 。
1.0 "
L E N G - 日
无热疲劳
2 5 .4 m m
mm
（ M IN ）。
1.53-2.28 mm
高浪涌能力
σ键镀金触点
100 ％保证焊
（ DO - 213AA ） SMD MELF商业（ LL ）和MIL （ UR - 1 ）类型可用
0.12 0 0.200 "
3.05 -5 .08-
0.06 -0 0.09"
绝对最大额定值
从身体，T功率消耗在8"分之3
L
= 75
o
C
正向平均整流电流在T
L
热阻抗
详细规格
反向
电压
(V
R
)
击穿
电压
（分）
@ 100A
(B
V
)
符号
P
合计
I
AV
T
O&S
Z
qJX
价值
600
400
-65 175
35
o
单位
毫瓦
毫安
o
= 75
o
C
工作和存储温度范围
C
C / W
最大
前锋
最大
平均整流电流
电压
反向漏电流
_______________
降
_______________
(I
O
)
(I
O
)
(V
F
) @ I
F
= 400毫安
(I
R
) @ V
R
25° C
150 ° C（ MIN 。 ）
（ MAX 。 ） 25℃
100° C
最大
典型
浪涌
连接点
电流容量
(I
FSM
)
@ -12V
（注1 ）
(C
O
)
TYPE
1N645,-1
1N646,-1
1N647,-1
1N648,-1
1N649,-1
伏
225
300
400
500
600
伏
275
360
480
600
720
安培
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
A
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
A
15
15
20
20
25
安培
3
3
3
3
3
pF
9
9
9
9
9
注1 ：浪涌电流@T
A
= + 25 ° C至+ 150 ° C， 1秒
对于MELF DO- 213AA表面贴装封装，替代"1N"前缀"LL"用于商业。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
DO- 35降额（ 175℃ TJ ）
D 0 - 35 PO W ER ER 在克碳ü诉ê
500
400
P奥尔耗散（毫瓦）
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
率T e米P·E RA TU RE（ 8"分之3来回M B OD ）C
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
硅整流二极管
1N645-1通1N649-1
1 N 6 5月4日至4月6日9 R EC tifie化硫 （E S）
典型IC人的Ir V R = P IV ; TA = 1 50℃
1N 6 49 -1
6 .9
6 .7
6 .5
6 .3
IR（ Typic人V alues ）麦克风ROA MPS
6 .1
5 .9
5 .7
5 .5
5 .3
5 .1
4 .9
4 .7
4 .5
2 00
3 00
4 00
V R - V LTS
5 00
6 00
1N 6 45 -1
1 N 6 46
1N 6 47 -1
1 N 6 48
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
利用优势
1N645 649
or
1N645-1至649-1
DO- 35玻璃封装
作为一个通用的整流器电源供应器，或用于裁剪和
转向系统。
高性能替代小信号二极管，在空间不
允许使用功率整流器。
可以在恶劣的环境中，气密性和可靠性是使用
重要的即（军事和航空/航天） 。 MIL - S-二百四十零分之一万九千五百批准。
提供多达JANTXV - 1级。
"S"级别的筛选能力，电源控制制图。
特点
D 2 O -3地下5 LA SS P一CK一克é
六西格玛质量
铅直径。
0.018-0.022"
湿度防弹玻璃
0.458-0.558 mm
冶金结合
热匹配系统
IA 。
1.0 "
L E N G - 日
无热疲劳
2 5 .4 m m
mm
（ M IN ）。
1.53-2.28 mm
高浪涌能力
σ键镀金触点
100 ％保证焊
（ DO - 213AA ） SMD MELF商业（ LL ）和MIL （ UR - 1 ）类型可用
0.12 0 0.200 "
3.05 -5 .08-
0.06 -0 0.09"
绝对最大额定值
从身体，T功率消耗在8"分之3
L
= 75
o
C
正向平均整流电流在T
L
热阻抗
详细规格
反向
电压
(V
R
)
击穿
电压
（分）
@ 100A
(B
V
)
符号
P
合计
I
AV
T
O&S
Z
qJX
价值
600
400
-65 175
35
o
单位
毫瓦
毫安
o
= 75
o
C
工作和存储温度范围
C
C / W
最大
前锋
最大
平均整流电流
电压
反向漏电流
_______________
降
_______________
(I
O
)
(I
O
)
(V
F
) @ I
F
= 400毫安
(I
R
) @ V
R
25° C
150 ° C（ MIN 。 ）
（ MAX 。 ） 25℃
100° C
最大
典型
浪涌
连接点
电流容量
(I
FSM
)
@ -12V
（注1 ）
(C
O
)
TYPE
1N645,-1
1N646,-1
1N647,-1
1N648,-1
1N649,-1
伏
225
300
400
500
600
伏
275
360
480
600
720
安培
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
A
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
A
15
15
20
20
25
安培
3
3
3
3
3
pF
9
9
9
9
9
注1 ：浪涌电流@T
A
= + 25 ° C至+ 150 ° C， 1秒
对于MELF DO- 213AA表面贴装封装，替代"1N"前缀"LL"用于商业。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
DO- 35降额（ 175℃ TJ ）
D 0 - 35 PO W ER ER 在克碳ü诉ê
500
400
P奥尔耗散（毫瓦）
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
率T e米P·E RA TU RE（ 8"分之3来回M B OD ）C
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
硅整流二极管
1N645-1通1N649-1
1 N 6 5月4日至4月6日9 R EC tifie化硫 （E S）
典型IC人的Ir V R = P IV ; TA = 1 50℃
1N 6 49 -1
6 .9
6 .7
6 .5
6 .3
IR（ Typic人V alues ）麦克风ROA MPS
6 .1
5 .9
5 .7
5 .5
5 .3
5 .1
4 .9
4 .7
4 .5
2 00
3 00
4 00
V R - V LTS
5 00
6 00
1N 6 45 -1
1 N 6 46
1N 6 47 -1
1 N 6 48
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
利用优势
1N645 649
or
1N645-1至649-1
DO- 35玻璃封装
作为一个通用的整流器电源供应器，或用于裁剪和
转向系统。
高性能替代小信号二极管，在空间不
允许使用功率整流器。
可以在恶劣的环境中，气密性和可靠性是使用
重要的即（军事和航空/航天） 。 MIL - S-二百四十零分之一万九千五百批准。
提供多达JANTXV - 1级。
"S"级别的筛选能力，电源控制制图。
特点
D 2 O -3地下5 LA SS P一CK一克é
六西格玛质量
铅直径。
0.018-0.022"
湿度防弹玻璃
0.458-0.558 mm
冶金结合
热匹配系统
IA 。
1.0 "
L E N G - 日
无热疲劳
2 5 .4 m m
mm
（ M IN ）。
1.53-2.28 mm
高浪涌能力
σ键镀金触点
100 ％保证焊
（ DO - 213AA ） SMD MELF商业（ LL ）和MIL （ UR - 1 ）类型可用
0.12 0 0.200 "
3.05 -5 .08-
0.06 -0 0.09"
绝对最大额定值
从身体，T功率消耗在8"分之3
L
= 75
o
C
正向平均整流电流在T
L
热阻抗
详细规格
反向
电压
(V
R
)
击穿
电压
（分）
@ 100A
(B
V
)
符号
P
合计
I
AV
T
O&S
Z
qJX
价值
600
400
-65 175
35
o
单位
毫瓦
毫安
o
= 75
o
C
工作和存储温度范围
C
C / W
最大
前锋
最大
平均整流电流
电压
反向漏电流
_______________
降
_______________
(I
O
)
(I
O
)
(V
F
) @ I
F
= 400毫安
(I
R
) @ V
R
25° C
150 ° C（ MIN 。 ）
（ MAX 。 ） 25℃
100° C
最大
典型
浪涌
连接点
电流容量
(I
FSM
)
@ -12V
（注1 ）
(C
O
)
TYPE
1N645,-1
1N646,-1
1N647,-1
1N648,-1
1N649,-1
伏
225
300
400
500
600
伏
275
360
480
600
720
安培
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
A
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
A
15
15
20
20
25
安培
3
3
3
3
3
pF
9
9
9
9
9
注1 ：浪涌电流@T
A
= + 25 ° C至+ 150 ° C， 1秒
对于MELF DO- 213AA表面贴装封装，替代"1N"前缀"LL"用于商业。
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
DO- 35降额（ 175℃ TJ ）
D 0 - 35 PO W ER ER 在克碳ü诉ê
500
400
P奥尔耗散（毫瓦）
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
率T e米P·E RA TU RE（ 8"分之3来回M B OD ）C
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
硅整流二极管
1N645-1
THRU
1N649-1
DO- 35玻璃封装
硅整流二极管
1N645-1通1N649-1
1 N 6 5月4日至4月6日9 R EC tifie化硫 （E S）
典型IC人的Ir V R = P IV ; TA = 1 50℃
1N 6 49 -1
6 .9
6 .7
6 .5
6 .3
IR（ Typic人V alues ）麦克风ROA MPS
6 .1
5 .9
5 .7
5 .5
5 .3
5 .1
4 .9
4 .7
4 .5
2 00
3 00
4 00
V R - V LTS
5 00
6 00
1N 6 45 -1
1 N 6 46
1N 6 47 -1
1 N 6 48
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
QQ：2881677436 复制
