数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
第7-7页
1N5820 ， 21 & 22系列
1N5820 - 1N5822
3.0A肖特基二极管
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注4 ）
A
B
A
C
D
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： DO- 201AD
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 亮锡。每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
安装位置：任意
标记：型号数量
订购信息：见最后一页
重量： 1.1克（近似值）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
暗淡
A
B
C
D
DO-201AD
民
25.40
7.20
1.20
4.80
最大
9.50
1.30
5.30
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
L
= 95°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
@ T
L
= 75°C
正向电压（注2）
峰值反向电流
在额定阻断电压DC （注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
R
qJA
R
qJL
T
j,
T
英镑
1N5820
20
14
1N5821
30
21
3.0
80
1N5822
40
28
单位
V
V
A
A
@ I
F
= 3.0A
@ I
F
= 9.4A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
0.475
0.850
0.500
0.900
2.0
20
40
10
-65到+125
0.525
0.950
V
mA
° C / W
°C
1.测得的环境温度，从所述壳体的距离9.5毫米。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
从结点3热电阻引领垂直PCB安装， 0.500" （ 12.7毫米）引线长度有2.5× 2.5" （ 63.5 X 63.5毫米）
铜垫。
4. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
DS23003牧师8 - 2
1 2
www.diodes.com
1N5820-1N5822
Diodes公司
I
（ AV）
平均输出电流（ A）
单相半波
60赫兹电阻或电感
负载9.5毫米引线长度
I
F
，正向电流（A）
4
30
3
10
2
1.0
1
0
10
50
100
150
T
L
，焊接温度（ ° C）
图。 1正向电流降额曲线
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向电压特性
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
100
1000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
V
SIG
= 50米Vp-p的
60
C
T
，总电容（PF ）
80
100
40
20
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
T
J
= T
J（下最大）
0
1
10
循环次数在60赫兹
图。 3峰值正向浪涌电流
100
10
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型的总电容
订购信息
设备
1N5820-B
1N5820-T
1N5821-B
1N5821-T
1N5822-B
1N5822-T
注意事项：
（注5 ）
包装
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
DO-201AD
航运
500散装
1.2K /磁带&卷轴， 13英寸
500散装
1.2K /磁带&卷轴， 13英寸
500散装
1.2K /磁带&卷轴， 13英寸
5，包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap2008.pdf
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