肖特基势垒整流器
1N5820 1N5822直通
特点
电压范围
当前
20至40伏特
3.0安培
DO-27
快速开关
低正向电压，高电流能力
低功耗，高效率
高电流浪涌能力
高温焊接保证：
250 ℃ / 10秒0.373 “设计（9.5mm ）引线长度
5磅（ 2.3公斤）张力
机械数据
案例：转移成型塑料
环氧树脂： UL94V- 0率阻燃
极性：色环表示阴极结束
铅：镀轴向引线，每MIL -STD- 202E焊
方法208C
安装位置：任意
重量： 0.042盎司， 1.19克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级
单相半波， 60HZ，电阻或电感性负载
对于容性负载电流20％
符号
1N5820
最大重复峰值反向电压
V
RRM
20
最大RMS电压
V
RMS
14
最大直流阻断电压
V
DC
20
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
L
=95℃
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
3.0A
最大正向
电压（注1）
9.4A
T
A
= 25℃
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC （注1 ）T = 100 ℃
A
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
操作和存储温度范围
1N5821
30
21
30
3.0
80
1N5822
40
28
40
单位
伏
伏
伏
安培
安培
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJL
T
J
.T
英镑
0.475
0.850
0.500
0.900
0.5
20
250
15
（ -55 + 125 ）
0.525
0.950
伏
mA
pF
℃
/W
℃
注意事项：
1.脉冲测试300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
2.测得1.0MHz和应用4.0伏特的反向电压
从结点到环境PCB .mounted 0.375 “设计（9.5mm ）导线长度2.5 ” 3.热阻× 2.5 “
（63.5×63.5mm）copper
PADS
电子信箱：
sales@cnmic.com
网站： www.cnmic.com
肖特基势垒整流器
1N5820 1N5822直通
电压范围
当前
20至40伏特
3.0安培
额定值和CHRACTERISTIC曲线1N5820 THRU 1N5822
图1 - 典型正向电流
降额曲线
平均正向电流，
(A)
3.0
100
图2 -最大非重复峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）T
j
=T
JMAX
2.0
电流（ A）
50
1.0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
0.375“设计（9.5mm ）引线长度
1周
0
0
20
40
60
80
95100
120
140
10
0.1
10
100
环境温度（ ° C）
图3 - 典型瞬时
正向特性
100
循环次数在60赫兹
图4 ，典型的反向
特征
瞬时反向电流，
（MA ）
10
瞬时正向电流，
T
J
=125° C
10
T
J
=125° C
(A)
中T = 25℃
1.0
1.0
T
J
=75° C
脉冲宽度= 300μS
占空比1 ％
T
J
=25° C
0.1
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压（ V）
额定峰值百分比
反向电压， （％）
图5 - 典型结电容
1000
结电容（PF ）
100
T
J
=25° C
f=1MHz
Vsig=50mV
10
0.1
1.0
10
100
反向电压， （V）的
电子信箱：
sales@cnmic.com
网站： www.cnmic.com
前沿电子股份有限公司
E. COCHRAN STREET 667 ，西米谷，CA 93065
电话： （ 805 ） 522-9998
传真： （ 805 ） 522-9989
电子信箱：
frontiersales@frontierusa.com
网址：
http://www.frontierusa.com
3A肖特基二极管
1N5820 1N5821 1N5822
特点
特低VF
UL 94V0阻燃环氧塑封料
低存储电荷，多数载流子导电
低功耗/高效率
1.0(25.4)
民
.052(1.3)
.048(1.2)
机械数据
案例：传递模塑用， DO201AD ，尺寸
以英寸（毫米）
求购：每MIL -STD- 202方法208
极性：负极指示的色带
重量： 1.2克
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
.197(5.0)
1.0(25.4)
民
最大额定值，电器性能额定值在25 ° C环境温度，除非另有指明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
见图1
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
典型结电容（注1）
典型热阻（注2 ）
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
R
θJA
T
英镑
T
OP
1N5820
20
14
20
1N5821
30
21
30
3.0
80
250
30
- 55至+ 125
- 55至+ 125
1N5822
40
28
40
单位
V
V
V
A
A
PF
℃/W
℃
℃
电气特性（A
T
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
最大正向电压在我
O
DC
最大反向电流为25 ℃
最大反向电流为100 ℃
符号
V
F
I
R
I
R
1N5820
0.475
1N5821
0.500
2.0
20.0
1N5822
0.525
单位
V
mA
mA
注： 1.测得1 MHz和应用反向电压0F 4.0伏
2.两条引线附壁散热63.5x63.5x1t （毫米）铜板AT引线长度5毫米
1N5820 1N5821 1N5822
页： 1
额定值和特性曲线1N5820 THRU 1N5822
图。 1 - 正向电流降额曲线
4.0
负载电阻或电感
0.375“设计（9.5mm ）引线长度
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
80
70
峰值正向浪涌
当前，安培
T
J
=T
JMAX
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
3.0
平均正向电流，
安培
60
50
40
30
20
10
0
1
2.0
1.0
10
循环次数的AT 60H的
Z
0
0 10
50
100
120
150
图。 4 - 典型正向
特征
100
100
焊接温度，
℃
图。 3 - 典型的反向
特征
10
瞬时正向电流，
安培
10
1.0
T
J
=100℃
1.0
瞬时反向电流，
毫安
T
J
=75℃
0.1
0.1
.3
.4
.5
.6
T
J
=25℃
脉冲宽度= 300US
2 ％的占空比
.7
.8
.9
1.0
正向电压
伏
T
J
=25℃
图。 5 - 典型结电容
.01
1000
600
400
电容，
P
F
200
100
60
40
20
10
0.1
0.4
1.0
4
10
40
T
J
=25℃
.001
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值百分比
反向电压， （％）
反向电压，伏
1N5820 1N5821 1N5822
第2页
Compact技术
1N5820 1N5822直通
反向电压 -
20
to
40
伏
正向电流 -
3.0
安培
肖特基势垒整流器器
特点
金属半导体结与保护环
外延建设
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V- 0
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
A
DO-201AD
B
A
C
D
机械数据
案例： JEDEC DO- 201AD模压塑料
极性：颜色频带为负极
重量：
1.071.
克
安装位置：任意
DO-41
DIM 。
A
B
C
分钟。
25.4
8.50
1.20
马克斯。
-
9.50
1.30
5.00
5.60
D
在毫米波所有尺寸
最大额定值和电气特性
在25环境温度额定值，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
2.Thermal电阻结到环境。
1 2
1N5820 1N5822直通
1N5820 1N5822直通
肖特基势垒整流器
反向电压 -
20至40伏特
DO-201AD
正向电流 -
3.0安培
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210(5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.50)
0.285(7.20)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052(1.32)
0.048(1.22)
DIA 。
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
Guardring过电压保护
低功耗，高erriciency
高电流能力，低正向电压降
高浪涌能力
为了在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.375
”
设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
机械数据
案例：
JEDEC DO- 201AD模压塑体
终端：
镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量： 0.04
盎司， 1.10克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹，电阻或电感性负载，为20％，目前的容性负载。
符号
1N5820
1N5821
1N5822
单位
伏
伏
伏
安培
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
L
=95 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在3.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
20
14
20
30
21
30
3.0
40
28
40
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
英镑
0.475
80.0
0.500
2.0
40.0
300.0
40.0
-65到+125
0.525
安培
伏
mA
pF
C / W
C
注： 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
结2.Thermal耐环境在0.375“设计（9.5mm ）引线长度，PCB安装
www.shunyegroup.com
额定值和特性曲线1N5820 THRU 1N5822
图。 1正向电流降额曲线
英镑峰值正向浪涌电流，
安培
4
图。 2 ，最大非重复峰值正向
浪涌电流
80
70
60
50
40
30
20
10
1
10
100
平均正向
当前，安培
3
电阻或
感性负载
0.375” (9.5mm)
导线长度
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
T
J
=T
J
最大
焊接温度，C
循环次数在60赫兹
图。 3 ，典型正向
特征
50
1,00
T
J
=125 C
10
图。 4 ，典型的反向特性
瞬时反向电流，
毫安
正向
当前，安培
TJ = 100℃
10
T
J
=25 C
1
1
TJ = 75℃
脉冲宽度= 300
ms
1 ％占空比
0.1
0.1
TJ = 25℃
0.01
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
正向VOLEAGE ，
伏
百分之峰值反向电压， ％
图。 5 ，典型结电容
400
T
J
=25 C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
图。 6 ，典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗，
C / W
100
结电容， pF的
10
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1.0
10
100
反向电压，伏
T，脉冲持续时间，秒。
www.shunyegroup.com
1N5820-1N5822
1N5820 - 1N5822
特点
在T 3.0安培操作
A
= 95°C
无热失控。
为了在低电压，高
变频器免费
续流和极性
保护应用。
DO-201AD
颜色频带为负极
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1N5820
最高重复反向电压
平均正向电流整流
3/8 "引线长度@ T
A
= 95°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
20
价值
1N5821
30
3.0
80
-65到+125
-65到+125
1N5822
40
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
3.6
28
单位
W
° C / W
电气特性
符号
V
F
I
R
C
T
正向电压
反向电流@额定V
R
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1N5820
@ 3.0 A
@ 9.4 A
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
475
850
设备
1N5821
500
900
0.5
20
190
1N5822
525
950
单位
mV
mV
mA
mA
pF
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5820-1N5822 ，版本C
1N5820-1N5822
肖特基整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
4
20
10
正向电流I
F
[A]
T
J
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
1N5820
1N5822
3
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" 9.5毫米LEAD
长度
1N5821
2
1
1
0
0
20
40
60
80
100
铅温度（C）
120
140
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压，V
F
[V]
0.8
0.9
图1.正向电流降额曲线
图2.正向电压特性
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
80
70
60
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
100
1N5820
T
J
= 125
C
1N5822
1N5821
T
J
= 75
C
反向电流，I
R
[马]
10
1
T
J
= 25
C
0.1
0.01
5
10
15
20
25
30
EVERSE电压，V
R
[V]
35
40
图3.不重复浪涌电流
图4.反向电流与反向电压
总电容，C
T
[ pF的]
1000
800
600
400
200
100
80
60
40
20
10
0.1
0.4
1
4
10
反向电压， V
R
[V]
40
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N5820-1N5822 ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
1N5820 1N5822直通
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
特点
Guardring过电压保护
非常小的传导损耗
极快的开关
低正向压降
高正向浪涌能力
高频率运行
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
DO-201AD
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
3.0 A
20 V, 30 V, 40 V
80 A
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V
125 °C
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
机械数据
案例：
DO-201AD
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
色环表示阴极结束
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流0.375" （9.5 mm）引线
长度在T
L
= 95 °C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
1N5820
20
14
20
24
1N5821
30
21
30
36
3.0
80
- 65至+ 125
1N5822
40
28
40
48
单位
V
V
V
V
A
A
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
最大正向电压
(1)
额定最大平均反向电流
阻断电压DC
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号： 88526
修订： 20 - 8 - 07
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155
测试条件
3.0
9.4
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F
V
F
I
R
1N5820
0.475
0.850
1N5821
0.500
0.900
2.0
20
1N5822
0.525
0.950
单位
V
V
mA
1N5820 1N5822直通
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（ 1 ）从结热阻引领垂直PCB安装， 0.500" （ 12.7毫米）导线长度2.5× 2.5" （ 63.5 X 63.5毫米）铜垫
符号
R
θJA
R
θJL
1N5820
1N5821
40
10
1N5822
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
1N5820-E3/54
1N5820-E3/73
单位重量（g ）
1.08
1.08
首选包装代码
54
73
基地数量
1400
1000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
4.0
100
T
J
= 125 °C
3.0
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
负载电阻或电感
0.375" （9.5 mm）引线长度
10
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
2.0
1
T
J
= 25 °C
0.1
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
铅温度（ ℃）
正向
电压
(V)
图1.正向电流降额曲线
图3.典型正向特性
80
10
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
瞬时反向电流（mA ）
峰值正向浪涌电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
1
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 75 °C
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
10
100
0
20
40
60
80
100
数
环，在60赫兹的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图4.典型的反向特性
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文档编号： 88526
修订： 20 - 8 - 07
1N5820 1N5822直通
威世通用半导体
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
0.1
0
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图5.典型结电容
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
文档编号： 88526
修订： 20 - 8 - 07
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日前，Vishay
放弃
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其中，适用于这些产品。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
第7-7页
1N5820 ， 21 & 22系列
数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
第7-7页
1N5820 ， 21 & 22系列
数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
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1N5820 ， 21 & 22系列
数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
第7-7页
1N5820 ， 21 & 22系列
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