1N5817 - 1N5819
1.0 AMP 。肖特基势垒整流器
DO-41
特点
低功耗,高效率。
高电流能力,低VF 。
高可靠性
高浪涌电流能力。
外延建设。
保护环的瞬态保护。
为了在低电压,高频率
发明家,续流和极性保护
应用程序。
机械数据
案例:模压塑料DO- 41
环氧树脂: UL 94V- 0率阻燃
导语:纯锡电镀,无铅,焊
每MIL -STD- 202方法208保证
极性:颜色频带为负极。
高温焊接保证:
260
o
C. / 10秒/ .375 “设计(9.5mm )导线
长度在5 lbs 。 , ( 2.3千克)张力
重量: 0.33克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
符号
类型编号
1N5817
1N5818
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
.375设计(9.5mm )引线长度@T
L
= 90℃
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷( JEDEC
法)
最大正向电压@ 1.0A
最大正向电压@ 3.0A
反向电流最大DC @ T
A
=25
o
C
o
在额定阻断电压DC @ T
A
=125 C
典型结电容(注2 )
1N5819
40
28
40
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
V
F
I
R
20
14
20
30
21
30
1.0
30
0.45
0.750
0.550
0.875
1.0
10.0
55
100
45
-65到+125
-65到+150
0.600
0.900
V
V
mA
mA
pF
o
Cj
R
θJA
典型热阻(注1 )
R
θJC
工作温度范围
T
J
存储温度范围
T
英镑
注意事项:
1.安装上P.C.B.铜焊盘尺寸5mm x 5mm的
2.测得1 MHz和4.0 V DC应用反向电压
C / W
o
C
o
C
版本: A06
额定值和特性曲线( 1N5817 THRU 1N5819 )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
峰值正向浪涌电流。 ( A)
1.0
30
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
平均正向电流。 ( A)
25
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
20
.75
.50
15
10
.25
5
0
0
25
50
75
100
125
焊接温度。 (
0
C)
150
175
1
2
5
10
20
50
100
循环次数在60Hz
FIG.3-典型正向特性
20
100
10
FIG.4-典型的反向漏
特性每支架
1N5817
瞬时反向电流。 (MA )
Tj=125
0
C
10
瞬时正向电流。 ( A)
1N5818, 1N5819
1.0
1
Tj=25
0
C
0.1
Tj=25oC
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
正向电压。 (V )
1.7
1.9
2.1
0.01
0
20
40
60
80
百分比额定峰值反向电压。 (%)
100
FIG.5-典型结电容
TRANSCIENT热阻(℃ / W)
400
100
FIG.6-典型瞬态热
特征
200
Tj=25
0
C
电容( pF)的
10
100
80
60
40
1
20
10
0.1
0.4
1.0
4
10
的反向电压。 (V )
40
100
0.10.01
0.1
1
T,脉冲持续时间(秒)
10
100
版本: A06
W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
1N5817 – 1N5819
1.0A肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
高电流能力
低功耗,高效率
高浪涌电流能力
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
A
B
A
C
D
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量:0.55克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
DO-41
暗淡
民
最大
A
25.4
—
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流器ED输出电流(注1 )
@T
L
= 90°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
1N5817
20
14
1N5818
30
21
1.0
25
1N5819
40
28
单位
V
V
A
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到铅(注1 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.0A
@I
F
= 3.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
V
FM
I
RM
C
j
R
θJL
T
j
, T
英镑
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10
110
60
-65到+150
0.60
0.90
V
mA
pF
K / W
°C
注:1。有效的规定,引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
1N5817 – 1N5819
1第3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
1N5817-T3
1N5817-TB
1N5817
1N5818-T3
1N5818-TB
1N5818
1N5819-T3
1N5819-TB
1N5819
套餐类型
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T3后缀是指一个13 “卷轴。 TB后缀是指弹药包。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
1N5817 – 1N5819
3 3