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1N581x
电力低压降肖特基整流器
主要特色产品
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
V
F
（最大）
特点和优点
n
n
n
n
n
1A
40 V
150°C
0.45 V
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低正向压降
雪崩能力指明
DO41
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。包装DO41这些设备
旨在用于在低电压，高频率
逆变器的，极性保护和
小型电池充电器。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向
当前
重复峰值雪崩
动力
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
1200
价值
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
40
10
1
25
1200
- 65至+ 150
150
10000
900
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德： 4A
1N581x
热阻
符号
R
号（j -a）的
R
号（j -1）的
结到环境
交界处领导
参数
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 25°C
脉冲测试： * TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817 1N5818 1N5819
0.5
0.5
0.5
10
0.45
0.75
10
0.50
0.80
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
为了评估损失使用下面的方程的导通：
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.090 I
F2 （ RMS ）
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.150 I
F2 （ RMS ）
为1N5819
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5817 / 1N5818 ） 。
PF （AV） （W）的
0.6
0.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5819 ） 。
PF （AV） （W）的
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0.4
0.3
δ
=1
0.4
0.3
0.2
T
0.2
0.1
tp
T
0.1
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
图。 2-1 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IF （ AV ） （A ）
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
图。 2-2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5819 ） 。
IF （ AV ） （A ）
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
δ
= TP / T
tp
0.2
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0.0
0
25
0.0
0
25
2/5
1N581x
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5819 ） 。
8
7
6
IM （ A）
IM （ A）
Ta=25°C
Ta=75°C
5
4
3
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=100°C
2
I
M
Ta=100°C
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
1
0
1E-3
t
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
印刷电路板，电子（铜） = 35毫米，推荐
键盘布局） 。
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
图。 7 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
C（ pF）的
500
F=1MHz
Tj=25°C
200
1N5817
δ
= 0.5
100
1N5818
50
T
δ
= 0.1
单脉冲
1N5819
0.2
20
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
40
0.0
1E-1
1E+0
1E+2
1E+3
3/5
1N581x
图。 8-1 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）（ 1N5819 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR （ V）
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR （ V）
20
30
35
40
图。 9-1 ：
正向压降与前进
电流（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IFM （ A）
图。 9-2 ：
正向压降与前进
电流（典型值）（ 1N5819 ） 。
IFM （ A）
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM （ V）
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM （ V）
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 ：
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM （ A）
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
1N581x
包装机械数据
DO41塑料
尺寸
C
A
C
O
B
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.2
2.7
0.86
英寸
分钟。
0.16
0.08
1
0.028
0.034
马克斯。
0.205
0.107
A
B
O
D
/
O
D
/
4.1
2
25.4
0.71
C
D
订货型号
1N581x
1N581xRL
n
记号
产品型号
阴极环
产品型号
阴极环
包
DO41
DO41
重量
0.34g
0.34g
基地数量
2000
5000
配送方式
Ammopack
磁带&卷轴
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件，不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
1N581x
电力低压降肖特基整流器
主要特色产品
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
V
F
（最大）
特点和优点
n
n
n
n
n
1A
40 V
150°C
0.45 V
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低正向压降
雪崩能力指明
DO41
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。包装DO41这些设备
旨在用于在低电压，高频率
逆变器的，极性保护和
小型电池充电器。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向
当前
重复峰值雪崩
动力
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
1200
价值
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
40
10
1
25
1200
- 65至+ 150
150
10000
900
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德： 4A
1N581x
热阻
符号
R
号（j -a）的
R
号（j -1）的
结到环境
交界处领导
参数
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 25°C
脉冲测试： * TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817 1N5818 1N5819
0.5
0.5
0.5
10
0.45
0.75
10
0.50
0.80
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
为了评估损失使用下面的方程的导通：
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.090 I
F2 （ RMS ）
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.150 I
F2 （ RMS ）
为1N5819
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5817 / 1N5818 ） 。
PF （AV） （W）的
0.6
0.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5819 ） 。
PF （AV） （W）的
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0.4
0.3
δ
=1
0.4
0.3
0.2
T
0.2
0.1
tp
T
0.1
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
图。 2-1 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IF （ AV ） （A ）
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
图。 2-2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5819 ） 。
IF （ AV ） （A ）
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
δ
= TP / T
tp
0.2
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0.0
0
25
0.0
0
25
2/5
1N581x
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5819 ） 。
8
7
6
IM （ A）
IM （ A）
Ta=25°C
Ta=75°C
5
4
3
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=100°C
2
I
M
Ta=100°C
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
1
0
1E-3
t
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
印刷电路板，电子（铜） = 35毫米，推荐
键盘布局） 。
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
图。 7 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
C（ pF）的
500
F=1MHz
Tj=25°C
200
1N5817
δ
= 0.5
100
1N5818
50
T
δ
= 0.1
单脉冲
1N5819
0.2
20
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
40
0.0
1E-1
1E+0
1E+2
1E+3
3/5
1N581x
图。 8-1 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）（ 1N5819 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR （ V）
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR （ V）
20
30
35
40
图。 9-1 ：
正向压降与前进
电流（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IFM （ A）
图。 9-2 ：
正向压降与前进
电流（典型值）（ 1N5819 ） 。
IFM （ A）
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM （ V）
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM （ V）
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 ：
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM （ A）
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
1N581x
包装机械数据
DO41塑料
尺寸
C
A
C
O
B
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.2
2.7
0.86
英寸
分钟。
0.16
0.08
1
0.028
0.034
马克斯。
0.205
0.107
A
B
O
D
/
O
D
/
4.1
2
25.4
0.71
C
D
订货型号
1N581x
1N581xRL
n
记号
产品型号
阴极环
产品型号
阴极环
包
DO41
DO41
重量
0.34g
0.34g
基地数量
2000
5000
配送方式
Ammopack
磁带&卷轴
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件，不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
1N581x
电力低压降肖特基整流器
主要特色产品
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
V
F
（最大）
特点和优点
n
n
n
n
n
1A
40 V
150°C
0.45 V
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低正向压降
雪崩能力指明
DO41
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。包装DO41这些设备
旨在用于在低电压，高频率
逆变器的，极性保护和
小型电池充电器。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向
当前
重复峰值雪崩
动力
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
1200
价值
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
40
10
1
25
1200
- 65至+ 150
150
10000
900
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德： 4A
1N581x
热阻
符号
R
号（j -a）的
R
号（j -1）的
结到环境
交界处领导
参数
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 25°C
脉冲测试： * TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817 1N5818 1N5819
0.5
0.5
0.5
10
0.45
0.75
10
0.50
0.80
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
为了评估损失使用下面的方程的导通：
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.090 I
F2 （ RMS ）
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.150 I
F2 （ RMS ）
为1N5819
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5817 / 1N5818 ） 。
PF （AV） （W）的
0.6
0.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5819 ） 。
PF （AV） （W）的
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0.4
0.3
δ
=1
0.4
0.3
0.2
T
0.2
0.1
tp
T
0.1
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
图。 2-1 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IF （ AV ） （A ）
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
图。 2-2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5819 ） 。
IF （ AV ） （A ）
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
δ
= TP / T
tp
0.2
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0.0
0
25
0.0
0
25
2/5
1N581x
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5819 ） 。
8
7
6
IM （ A）
IM （ A）
Ta=25°C
Ta=75°C
5
4
3
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=100°C
2
I
M
Ta=100°C
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
1
0
1E-3
t
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
印刷电路板，电子（铜） = 35毫米，推荐
键盘布局） 。
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
图。 7 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
C（ pF）的
500
F=1MHz
Tj=25°C
200
1N5817
δ
= 0.5
100
1N5818
50
T
δ
= 0.1
单脉冲
1N5819
0.2
20
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
40
0.0
1E-1
1E+0
1E+2
1E+3
3/5
1N581x
图。 8-1 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）（ 1N5819 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR （ V）
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR （ V）
20
30
35
40
图。 9-1 ：
正向压降与前进
电流（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IFM （ A）
图。 9-2 ：
正向压降与前进
电流（典型值）（ 1N5819 ） 。
IFM （ A）
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM （ V）
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM （ V）
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 ：
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM （ A）
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
1N581x
包装机械数据
DO41塑料
尺寸
C
A
C
O
B
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.2
2.7
0.86
英寸
分钟。
0.16
0.08
1
0.028
0.034
马克斯。
0.205
0.107
A
B
O
D
/
O
D
/
4.1
2
25.4
0.71
C
D
订货型号
1N581x
1N581xRL
n
记号
产品型号
阴极环
产品型号
阴极环
包
DO41
DO41
重量
0.34g
0.34g
基地数量
2000
5000
配送方式
Ammopack
磁带&卷轴
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件，不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
1N581x
电力低压降肖特基整流器
主要特色产品
I
F（ AV ）
V
RRM
T
j
V
F
（最大）
特点和优点
n
n
n
n
n
1A
40 V
150°C
0.45 V
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低正向压降
雪崩能力指明
DO41
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。包装DO41这些设备
旨在用于在低电压，高频率
逆变器的，极性保护和
小型电池充电器。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向
当前
重复峰值雪崩
动力
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
1200
价值
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
40
10
1
25
1200
- 65至+ 150
150
10000
900
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
＆ LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德： 4A
1N581x
热阻
符号
R
号（j -a）的
R
号（j -1）的
结到环境
交界处领导
参数
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 25°C
脉冲测试： * TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817 1N5818 1N5819
0.5
0.5
0.5
10
0.45
0.75
10
0.50
0.80
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
为了评估损失使用下面的方程的导通：
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.090 I
F2 （ RMS ）
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F（ AV ）
+ 0.150 I
F2 （ RMS ）
为1N5819
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5817 / 1N5818 ） 。
PF （AV） （W）的
0.6
0.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
正向平均功耗与
平均正向电流（ 1N5819 ） 。
PF （AV） （W）的
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0.4
0.3
δ
=1
0.4
0.3
0.2
T
0.2
0.1
tp
T
0.1
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
IF （ AV ） （A ）
δ
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
图。 2-1 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IF （ AV ） （A ）
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
图。 2-2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） （ 1N5819 ） 。
IF （ AV ） （A ）
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
δ
= TP / T
tp
0.2
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
δ
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0.0
0
25
0.0
0
25
2/5
1N581x
图。 3 ：
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 ：
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
图。 5-2 ：
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
（最大值） （ 1N5819 ） 。
8
7
6
IM （ A）
IM （ A）
Ta=25°C
Ta=75°C
5
4
3
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=100°C
2
I
M
Ta=100°C
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
1
0
1E-3
t
δ
=0.5
T（ S）
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6 ：
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间（环氧
印刷电路板，电子（铜） = 35毫米，推荐
键盘布局） 。
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
图。 7 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
C（ pF）的
500
F=1MHz
Tj=25°C
200
1N5817
δ
= 0.5
100
1N5818
50
T
δ
= 0.1
单脉冲
1N5819
0.2
20
TP （多个）
1E+1
δ
= TP / T
tp
VR （ V）
10
1
2
5
10
20
40
0.0
1E-1
1E+0
1E+2
1E+3
3/5
1N581x
图。 8-1 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）（ 1N5819 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR （ V）
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR （ V）
20
30
35
40
图。 9-1 ：
正向压降与前进
电流（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IFM （ A）
图。 9-2 ：
正向压降与前进
电流（典型值）（ 1N5819 ） 。
IFM （ A）
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM （ V）
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM （ V）
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 ：
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM （ A）
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
1N581x
包装机械数据
DO41塑料
尺寸
C
A
C
O
B
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.2
2.7
0.86
英寸
分钟。
0.16
0.08
1
0.028
0.034
马克斯。
0.205
0.107
A
B
O
D
/
O
D
/
4.1
2
25.4
0.71
C
D
订货型号
1N581x
1N581xRL
n
记号
产品型号
阴极环
产品型号
阴极环
包
DO41
DO41
重量
0.34g
0.34g
基地数量
2000
5000
配送方式
Ammopack
磁带&卷轴
环氧符合UL94 ， V0
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