1N5820, 1N5821, 1N5822
1N5820和1N5822的首选设备
轴向引线整流器
此系列采用肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
镀铬的金属屏障，外延建设与氧化物钝化
和金属重叠接触。非常适合用作整流器
低电压，高频率逆变器，续流二极管，和
极性保护二极管。
特点
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超低V
F
低功耗/高效率
低存储电荷，多数载流子导电
运塑料袋， 500元一袋
可用的磁带和缠绕， 1500每卷中，加入了“ RL ''后缀
零件号
这些器件具有无铅外部引线制造
只有完成*
机械特性：
肖特基势垒
整流器
3.0安培
20 ，30，40伏
案例：环氧树脂，模压
重量：1.8克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
铅和安装表面焊接温度的目的：
220 °C最大。 10秒，从个案1/16
极性：负极由带极性指示
轴向引线
CASE 267-05
(DO201AD)
风格1
标记图
1N
582x
1N582x =器件代码
x
= 0， 1或2个
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版6
出版订单号：
1N5820/D
1N5820, 1N5821, 1N5822
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
非重复性峰值反向电压
RMS反向电压
平均正向电流整流（注1 ）
V
R（当量）
v
0.2 V
R（ DC）的
, T
L
= 95°C
(R
qJA
= 28 ° C / W ， P.C。电路板安装，见注5 ）
环境温度
为V
R（ DC）的
, P
F（ AV ）
= 0
R
qJA
= 28 ° C / W
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相
60赫兹，T
L
= 75°C)
工作和存储结温范围
（反向电压应用）
峰值工作结温（正向电流应用）
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RSM
V
R（ RMS ）
I
O
1N5820
20
1N5821
30
1N5822
40
单位
V
24
14
36
21
3.
0
48
28
V
V
A
T
A
90
85
80
°C
I
FSM
80（一个周期）
A
T
J
, T
英镑
T
J（下PK）
65 125
15
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
*热特性
（注5 ）
特征
热阻，结到环境
符号
R
qJA
最大
28
单位
° C / W
*电气特性
(T
L
= 25 ° C除非另有说明） （注1 ）
特征
最大正向电压（注2 ）
(i
F
= 1.0安培）
(i
F
= 3.0安培）
(i
F
= 9.4安培）
最大瞬时反向电流
@额定直流电压（注2 ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
1.焊接温度基准是正极引线1/32 “的情况。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
*表示JEDEC注册的数据进行1N5820-22 。
符号
V
F
0.370
0.475
0.850
i
R
2.0
20
2.0
20
2.0
20
0.380
0.500
0.900
0.390
0.525
0.950
mA
1N5820
1N5821
1N5822
单位
V
订购信息
设备
1N5820
1N5820RL
1N5821
1N5821RL
1N5822
1N5822RL
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
500单位/袋
1500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
1N5820, 1N5821, 1N5822
注3 - 确定最大额定值
相反的功耗和热的可能性
暴走，必须考虑这个工作在整流时
反向电压高于0.1 V
RWM
。适当的降级可能
通过使用方程来实现（1） 。
T
A（最大值）
= T
J（下最大）
*
R
qJA
P
F（ AV ）
*
R
qJA
P
R（ AV ）
(1)
其中T
A（最大值）
=最大允许环境温度
T
J（下最大）
=最大允许结温
（125 ℃或该温度下进行热
失控的发生，无论是最低）
P
F（ AV ）
=平均正向功率耗散
P
R（ AV ）
=平均反向功率耗散
R
qJA
=结到环境的热阻
图1 ，图2和3允许较容易的使用式（1）的
采取反向功耗和热失控成
考虑。附图解决了基准温度
如由等式（2）确定。
T
R
= T
J（下最大）
*
R
qJA
P
R（ AV ）
代方程（2 ）代入式（1）得到：
T
A（最大值）
= T
R
*
R
qJA
P
F（ AV ）
(3)
方程的检查（2）和（3）揭示了那件T
R
为
环境温度下的热失控情况，或
其中T
J
= 125 ℃，当正向功率是零。该
从一个边界条件的其他过渡是
显然在图1，图2的曲线，和图3为差
中在115 ℃附近的斜率的变化率。该
图1，图2和图3的数据是基于直流条件。为
表1.值系数f
电路
负载
正弦波
方波
半波
电阻
0.5
0.75
电容式*
1.3
1.5
全波，桥
电阻
0.5
0.75
电容式
0.65
0.75
全波，
中心抽头*
电阻
1.0
1.5
电容式
1.3
1.5
在整流电路中使用的，表1表示建议
因素的等效直流电压，以用于保守
设计，即：
V
R（当量）
= V
（调频）
F
(4)
因子F由考虑的属性派生
各个整流电路和反向特性
肖特基二极管。
示例：查找牛逼
A（最大值）
为1N5821的操作
使用桥接电路具有电容滤波器12伏的直流电源
这样我
DC
= 2.0 A（I
F（ AV ）
= 1.0 A） ，我
（调频）
/I
（AV）
= 10，输入
电压= 10V
（ RMS）
, R
qJA
= 40 ° C / W 。
第1步：查找V
R（当量）。
读F = 0.65从表1中，
NV
R（当量）
= (1.41) (10) (0.65) = 9.2 V.
第2步：查找牛逼
R
从图2牛逼阅读
R
= 108°C
@ V
R
= 9.2 V和R
qJA
= 40 ° C / W 。
第3步：查找P
F（ AV ）
从图6 **读P
F（ AV ）
= 0.85 W
@
我（调频）
+
10和I F （ AV）
+
1.0 A.
我（AV）
(2)
第4步：查找牛逼
A（最大值）
从等式（3） 。
T
A（最大值）
= 108
*
(0.85) (40) = 74°C.
**给出的值都为1N5821 。功率略低
为1N5820 ，因为它的低正向电压，并
为1N5822高。变化将是类似的
MBR前缀的设备，使用P
F（ AV ）
从图6中。
*请注意， V
R（ PK ）
[
2.0 V
IN（ PK）
.
使用线中心抽头电压V
IN 。
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3
1N5820, 1N5821, 1N5822
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ AMP ）
注4 - 近似的热路模型
正弦波
I
（调频）
+
p
（阻性负载）
I
（AV）
电容式
负载
5.0
10
20
R
QS （ A）
R
QL （ A）
R
QJ （ A）
R
QJ （ K）
P
D
T
L（A ）
T
C（ A）
T
J
T
C（ K）
T
L（ K）
R
QL （ K）
R
QS （ K）
T
A（ K）
dc
T
A(A)
方波
T
J
≈
125°C
图6.前向功率耗散1N5820-22
利用上述模型允许结导致热
可以发现电阻为任何安装结构。为
一个给定的走线总长，最低值出现时，一方
整流器被带到尽可能接近到散热器。
条款中的模型表示：
T
A
=环境温度
T
C
=外壳温度
T
L
焊接温度
T
J
=结温
R
qS
=热阻，散热器到环境
R
qL
=热阻，铅对散热器
R
qJ
=热阻，结到外壳
P
D
=总功耗= P
F
+ P
R
P
F
=前向功率耗散
P
R
=反向功率耗散
（下标（A）和（K）是指阳极和阴极侧，
分别）值热电阻元件
主要有：
R
qL
= 42 ° C / W /在通常48 ° C / W /在最高
R
qJ
= 10 ° C / W典型和16 ° C / W最高
最大铅温度可以发现如下：
T
L
= T
J（下最大）
*
n
T
JL
哪里
n
T
JL
[
R
qJL
· P
D
安装方法1
安装方法3
P.C。董事会
21/2, x 21/2,
铜表面上。
L = 1/2″
注5 - 安装数据
所示的热阻结到环境数据（R
qJA
)
对于所示的座架是可以用作典型的标准值
进行初步的工程，或在该连接点的温度
不能测量。
典型值的R
qJA
在静止空气中
MOUNTING
法
1
2
3
导线长度L（中）
1/8
50
58
1/4
51
59
28
1/2
53
61
3/4
55
63
R
qJA
° C / W
° C / W
° C / W
P.C。董事会在那里提供
铜表面上是小的。
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5
安装方法2
L
L
VECTOR PUSH -IN
端T - 28
L
L
局地
飞机
数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
第7-7页
1N5820 ， 21 & 22系列
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