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1N5817, 1N5818, 1N5819
1N5817 1N5819和是首选设备
轴向引线整流器
此系列采用肖特基原理在大面积
金属与硅功率二极管。国家的最先进的几何特征
镀铬的金属屏障,外延建设与氧化物钝化
和金属重叠接触。非常适合用作整流器
低电压,高频率逆变器,续流二极管,和
极性保护二极管。
特点
http://onsemi.com
超低V
F
低存储电荷,多数载流子导电
低功耗/高效率
这些无铅器件*
肖特基势垒
整流器
1.0安培
20 , 30和40伏
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量:0.4克(约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的:
260 ° C(最大值) ,持续10秒
极性:负极由带极性指示
ESD额定值:机器型号= C ( >400 V)
人体模型= 3B ( >8000 V)
轴向引线
CASE 59
风格1
标记图
A
1N581x
YYWWG
G
A
=大会地点
1N581x =设备号
X = 7,8或9的
YY
= YEAR
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
查看详细的订购和发货信息第6页
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年7月 - 10牧师
出版订单号:
1N5817/D
1N5817, 1N5818, 1N5819
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
非重复性峰值反向电压
RMS反向电压
平均正向电流整流(注1 ) , (V
R(当量)
0.2 V
R
(直流)中,T
L
= 90°C,
R
qJA
= 80 ° C / W , P.C。电路板安装,见注2 ,T
A
= 55°C)
环境温度(额定V
R
(直流) ,磷
F( AV )
= 0, R
qJA
= 80 ° C / W )
非重复性峰值浪涌电流, (应用在额定负载条件下的浪涌,
半波,单相60赫兹,T
L
= 70°C)
工作和存储结温范围(反向电压应用)
峰值工作结温(正向电流应用)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
RSM
V
R( RMS )
I
O
T
A
I
FSM
T
J
, T
英镑
T
J(下PK)
85
1N5817
20
1N5818
30
1N5819
40
单位
V
24
14
36
21
1.0
80
图25(一个周期)
-65到+125
150
48
28
V
V
A
75
°C
A
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
热特性
(注1 )
特征
热阻,结到环境
符号
R
qJA
最大
80
单位
° C / W
电气特性
(T
L
= 25 ° C除非另有说明) (注1 )
特征
最大正向电压(注2 )
(i
F
= 0.1 A)
(i
F
= 1.0 A)
(i
F
= 3.0 A)
符号
v
F
1N5817
0.32
0.45
0.75
1.0
10
1N5818
0.33
0.55
0.875
1.0
10
1N5819
0.34
0.6
0.9
1.0
10
单位
V
最大瞬时反向电流@额定直流电压(注2 )
(T
L
= 25°C)
(T
L
= 100°C)
1.焊接温度基准是正极引线1/32英寸的情况下。
2.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比= 2.0 % 。
I
R
mA
http://onsemi.com
2
1N5817, 1N5818, 1N5819
注3 - 确定最大额定值
125
TR ,参考温度( C)
相反的功耗和热的可能性
暴走,必须考虑这个工作在整流时
反向电压高于0.1 V
RWM
。适当的降级可能
通过使用方程来实现(1) 。
(1)
T
A(最大值)
= T
J(下最大)
R
qJA
P
F( AV )
R
qJA
P
R( AV )
其中T
A(最大值)
=最大允许环境温度
T
J(下最大)
=最大允许结温
(125 ℃或该温度下进行热
失控的发生,无论是最低)
P
F( AV )
=平均正向功率耗散
P
R( AV )
=平均反向功率耗散
R
qJA
=结到环境的热阻
40
30
23
°
115
105
95
R
qJA
( ° C / W) = 110
80
60
85
75
图1 ,图2和3允许较容易的使用式(1)的
采取反向功耗和热失控成
考虑。附图解决了基准温度
如由等式(2)确定。
T
R
= T
J(下最大)
R
qJA
P
R( AV )
(2)
TR ,参考温度( C)
2.0
3.0
4.0 5.0
7.0
10
V
R
,采用直流反接电压(伏)
15
20
图1.最高参考温度
1N5817
125
°
40
115
30
23
代方程(2 )代入式(1)得到:
T
A(最大值)
= T
R
R
qJA
P
F( AV )
(3)
方程的检查(2)和(3)揭示了那件T
R
环境温度下的热失控情况,或
其中T
J
= 125 ℃,当正向功率是零。该
从一个边界条件的其他过渡是
显然在图1,图2的曲线,和图3为差
中在115 ℃附近的斜率的变化率。该
图1,图2和图3的数据是基于直流条件。为
在整流电路中使用的,表1表示建议
因素的等效直流电压,以用于保守
设计,即:
V
R(当量)
= V
IN( PK)
架F
(4)
105
95
R
qJA
( ° C / W) = 110
80
60
85
75
3.0
4.0
TR ,参考温度( C)
因子F由考虑的属性派生
各个整流电路和反向特性
肖特基二极管。
示例:查找牛逼
A(最大值)
为1N5818的操作
使用桥接电路具有电容滤波器12伏的直流电源
这样我
DC
= 0.4 A(I
F( AV )
= 0.5 A ) ,我
(调频)
/I
(AV)
= 10,输入
电压= 10V
( RMS)
, R
qJA
= 80 ° C / W 。
第1步:查找V
R(当量)
。读F = 0.65从表1中,
第1步:查找
V
R(当量)
= (1.41)(10)(0.65) = 9.2 V.
第2步:查找牛逼
R
从图2牛逼阅读
R
= 109°C
第1步:查找
@ V
R
= 9.2 V和R
qJA
= 80 ° C / W 。
第3步:查找P
F( AV )
从图4 **读P
F( AV )
= 0.5 W
I
(调频)
@
= 10和IF (AV )= 0.5A。
I
(AV)
第4步:查找牛逼
A(最大值)
从等式(3) 。
第4步:查找
T
A(最大值)
= 109 (80) (0.5) = 69°C.
**给出的值都为1N5818 。功率为略低
1N5817因为其较低的正向电压,而对于较高的
1N5819.
5.0
7.0
10
15
20
V
R
,采用直流反接电压(伏)
30
图2.最大参考温度
1N5818
125
°
115
40
30
23
105
95
R
qJA
( ° C / W) = 110
80
60
85
75
4.0
5.0
7.0
10
15
20
V
R
,采用直流反接电压(伏)
30
40
图3.最大参考温度
1N5819
表1.值系数f
电路
负载
正弦波
方波
半波
电阻
0.5
0.75
电容式*
1.3
全波,桥
电阻
0.5
电容式
0.65
全波,中心抽头*
电阻
1.0
1.5
电容式
1.3
1.5
**请注意, V
R( PK )
2.0 V
IN( PK)
.
1.5
0.75
0.75
使用线中心抽头电压V
in
.
http://onsemi.com
3
1N5817, 1N5818, 1N5819
R
θ
JL热阻,结到铅( C / W)
,
°
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
90
80
70
60
最大
典型
两条引线到散热器,
等长
5.0
3.0
2.0
正弦波
I
(调频) =
π
(阻性负载)
I
(AV)
50
40
30
电容式
1.0
负载
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.2
{
5
10
20
T
J
125°C
dc
方波
20
10
1
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1.0
L,引线长度(英寸)
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
I
F( AV )
,平均正向电流( AMP )
4.0
图4.稳态热阻
图5.前向功率耗散
1N581719
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
吨,时间( ms)的
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
10k
Z
qJL (T )
= Z
qJL
R( t)的
t
p
P
pk
t
1
P
pk
时间
占空比D = T
p
/t
1
高峰值功率, P
pk
,是高峰
an
相当于平方功率脉冲。
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[D + (1 D)
R(T
1
+ t
p
) + R(T
p
) - R(T
1
) ],其中
DT
JL
=以上的铅温度的增加,结温
R(T) =瞬时的热阻在时间归一化值,吨,从图6中
即:
R(T) =
R(T
1
+ t
p
) =在时间t的瞬态热阻标准值
1
+ t
p
.
图6.热响应
注4 - 安装数据
安装方法1
P.C。董事会
11/2″ x 11/2″
铜表面上。
安装方法3
P.C。董事会
11/2″ x 11/2″
铜表面上。
所示的热阻数据,结点到环境
(R
qJA
)为示出的安装件是被用作典型指南 -
初步工程线值,或在领带
点温度无法测量。
典型值的R
qJA
在静止空气中
MOUNTING
1
L = 3/8″
L
L
导线长度L(中)
1/8
52
67
1/4
65
80
50
1/2
72
87
3/4
85
100
R
qJA
° C / W
° C / W
° C / W
L
L
矢量Pin安装
安装方法2
局地
飞机
2
3
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4
1N5817, 1N5818, 1N5819
注5 - 热路模型
(对于通过动态热传导)
R
QS ( A)
T
A(A)
T
L(A )
T
C( A)
T
J
R
QL ( A)
R
QJ ( A)
R
QJ ( K)
P
D
T
C( K)
T
L( K)
R
QL ( K)
R
QS ( K)
T
A( K)
利用上述模型允许结导致热重
被发现sistance为任何安装结构。对于
给定的总导线长度,最低值出现在一侧
该整流器被带到尽可能接近到散热器。
条款中的模型表示:
T
A
=环境温度
T
C
=外壳温度
T
L
焊接温度
T
J
=结温
R
qS
=热阻,散热器到环境
R
qL
=热阻,导致散热器
R
qJ
=热阻,结到外壳
P
D
功耗
IFSM ,峰值浪涌电流( AMP )
(标a和K是指阳极和阴极侧,再
。 spectively )值热电阻部件是:
R
qL
= 100 ° C / W /在通常120 ° C / W /在最高
R
qJ
= 36 ° C / W典型和46 ° C / W最大。
30
20
T
L
= 70°C
F = 60赫兹
10
7.0
5.0
浪涌应用在
额定负载条件下
3.0
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
周期数
30
40
70 100
1周
20
10
7.0
如果正向电流( AMP )
5.0
3.0
2.0
25°C
T
C
= 100°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
30
20
I R ,反向电流(毫安)
15
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0 1.1
0.05
0.03
100°C
T
J
= 125°C
图8.最大不重复浪涌电流
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
75°C
25°C
1N5817
1N5818
1N5819
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
36
40
v
F
,正向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图7.典型正向电压
图9.典型的反向电流
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5
1N581x
电力低压降肖特基整流器
主要特色产品
I
F( AV )
V
RRM
T
j
V
F
(最大)
特点和优点
n
n
n
n
n
1A
40 V
150°C
0.45 V
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低正向压降
雪崩能力指明
DO41
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。包装DO41这些设备
旨在用于在低电压,高频率
逆变器的,极性保护和
小型电池充电器。
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向
当前
重复峰值雪崩
动力
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
1200
价值
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
40
10
1
25
1200
- 65至+ 150
150
10000
900
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德: 4A
1N581x
热阻
符号
R
号(j -a)的
R
号(j -1)的
结到环境
交界处领导
参数
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 25°C
脉冲测试: * TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817 1N5818 1N5819
0.5
0.5
0.5
10
0.45
0.75
10
0.50
0.80
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.3 ×1
F( AV )
+ 0.090 I
F2 ( RMS )
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F( AV )
+ 0.150 I
F2 ( RMS )
为1N5819
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流( 1N5817 / 1N5818 ) 。
PF (AV) (W)的
0.6
0.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 :
正向平均功耗与
平均正向电流( 1N5819 ) 。
PF (AV) (W)的
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0.4
0.3
δ
=1
0.4
0.3
0.2
T
0.2
0.1
tp
T
0.1
IF ( AV ) (A )
δ
= TP / T
IF ( AV ) (A )
δ
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
图。 2-1 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
IF ( AV ) (A )
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
图。 2-2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) ( 1N5819 ) 。
IF ( AV ) (A )
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
δ
= TP / T
tp
0.2
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
0.0
0
25
0.0
0
25
2/5
1N581x
图。 3 :
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 :
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 :
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
图。 5-2 :
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值) ( 1N5819 ) 。
8
7
6
IM ( A)
IM ( A)
Ta=25°C
Ta=75°C
5
4
3
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=100°C
2
I
M
Ta=100°C
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
1
0
1E-3
t
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
印刷电路板,电子(铜) = 35毫米,推荐
键盘布局) 。
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
图。 7 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
C( pF)的
500
F=1MHz
Tj=25°C
200
1N5817
δ
= 0.5
100
1N5818
50
T
δ
= 0.1
单脉冲
1N5819
0.2
20
TP (多个)
1E+1
δ
= TP / T
tp
VR ( V)
10
1
2
5
10
20
40
0.0
1E-1
1E+0
1E+2
1E+3
3/5
1N581x
图。 8-1 :
反向漏电流与反向
施加电压(典型值) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
IR (MA )
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)( 1N5819 ) 。
IR (MA )
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR ( V)
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR ( V)
20
30
35
40
图。 9-1 :
正向压降与前进
电流(典型值) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
IFM ( A)
图。 9-2 :
正向压降与前进
电流(典型值)( 1N5819 ) 。
IFM ( A)
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM ( V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM ( V)
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 :
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM ( A)
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
1N581x
包装机械数据
DO41塑料
尺寸
C
A
C
O
B
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.2
2.7
0.86
英寸
分钟。
0.16
0.08
1
0.028
0.034
马克斯。
0.205
0.107
A
B
O
D
/
O
D
/
4.1
2
25.4
0.71
C
D
订货型号
1N581x
1N581xRL
n
记号
产品型号
阴极环
产品型号
阴极环
DO41
DO41
重量
0.34g
0.34g
基地数量
2000
5000
配送方式
Ammopack
磁带&卷轴
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
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1N581x
电力低压降肖特基整流器
主要特色产品
I
F( AV )
V
RRM
T
j
V
F
(最大)
特点和优点
n
n
n
n
n
1A
40 V
150°C
0.45 V
非常小的传导损耗
开关损耗极小
极快的开关
低正向压降
雪崩能力指明
DO41
描述
轴功率肖特基整流器适用于开关
模式电源和高频DC到
DC转换器。包装DO41这些设备
旨在用于在低电压,高频率
逆变器的,极性保护和
小型电池充电器。
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
Tj
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向
当前
重复峰值雪崩
动力
存储温度范围
最大工作结温*
关键的增长速度反向电压
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
TP = 1μs的时间
TJ = 25°C
1200
价值
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
40
10
1
25
1200
- 65至+ 150
150
10000
900
单位
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2003年7月 - 埃德: 4A
1N581x
热阻
符号
R
号(j -a)的
R
号(j -1)的
结到环境
交界处领导
参数
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
符号
I
R
*
V
F
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = 25°C
TJ = 25°C
脉冲测试: * TP = 380
s, δ
& LT ; 2 %
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817 1N5818 1N5819
0.5
0.5
0.5
10
0.45
0.75
10
0.50
0.80
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.3 ×1
F( AV )
+ 0.090 I
F2 ( RMS )
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F( AV )
+ 0.150 I
F2 ( RMS )
为1N5819
图。 1 :
正向平均功耗与
平均正向电流( 1N5817 / 1N5818 ) 。
PF (AV) (W)的
0.6
0.5
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 :
正向平均功耗与
平均正向电流( 1N5819 ) 。
PF (AV) (W)的
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0.4
0.3
δ
=1
0.4
0.3
0.2
T
0.2
0.1
tp
T
0.1
IF ( AV ) (A )
δ
= TP / T
IF ( AV ) (A )
δ
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
图。 2-1 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
IF ( AV ) (A )
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
图。 2-2 :
平均正向电流与环境
温度( δ = 0.5) ( 1N5819 ) 。
IF ( AV ) (A )
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
δ
= TP / T
tp
0.2
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
δ
= TP / T
tp
TAMB ( ° C)
50
75
100
125
150
0.0
0
25
0.0
0
25
2/5
1N581x
图。 3 :
归一化的雪崩功率降额
与脉冲持续时间。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(1s)
1
图。 4 :
归一化的雪崩功率降额
随结温。
P
ARM
(t
p
)
P
ARM
(25°C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(s)
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图。 5-1 :
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-3
I
M
t
图。 5-2 :
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值) ( 1N5819 ) 。
8
7
6
IM ( A)
IM ( A)
Ta=25°C
Ta=75°C
5
4
3
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=100°C
2
I
M
Ta=100°C
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
1
0
1E-3
t
δ
=0.5
T( S)
1E-2
1E-1
1E+0
图。 6 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
印刷电路板,电子(铜) = 35毫米,推荐
键盘布局) 。
1.0
0.8
0.6
0.4
δ
= 0.2
图。 7 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
C( pF)的
500
F=1MHz
Tj=25°C
200
1N5817
δ
= 0.5
100
1N5818
50
T
δ
= 0.1
单脉冲
1N5819
0.2
20
TP (多个)
1E+1
δ
= TP / T
tp
VR ( V)
10
1
2
5
10
20
40
0.0
1E-1
1E+0
1E+2
1E+3
3/5
1N581x
图。 8-1 :
反向漏电流与反向
施加电压(典型值) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
IR (MA )
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)( 1N5819 ) 。
IR (MA )
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR ( V)
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR ( V)
20
30
35
40
图。 9-1 :
正向压降与前进
电流(典型值) ( 1N5817 / 1N5818 ) 。
IFM ( A)
图。 9-2 :
正向压降与前进
电流(典型值)( 1N5819 ) 。
IFM ( A)
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM ( V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM ( V)
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 :
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM ( A)
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
1N581x
包装机械数据
DO41塑料
尺寸
C
A
C
O
B
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.2
2.7
0.86
英寸
分钟。
0.16
0.08
1
0.028
0.034
马克斯。
0.205
0.107
A
B
O
D
/
O
D
/
4.1
2
25.4
0.71
C
D
订货型号
1N581x
1N581xRL
n
记号
产品型号
阴极环
产品型号
阴极环
DO41
DO41
重量
0.34g
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2000
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Ammopack
磁带&卷轴
环氧符合UL94 , V0
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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ST/意法
21+
9800
DO-41
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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ST/意法
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21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ST
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DO-41
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
1N5819RL
ON
24+
8000
DO-41
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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MOTOROLA/摩托罗拉
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15600
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
1N5819RL
STMicroelectronics
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
1N5819RL
ON/安森美
04+
18500
DO-41
全新原装15818663367
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
1N5819RL
STMicroelectronics
24+
10000
DO-41
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
1N5819RL
onsemi
24+
10000
轴向
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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ON/安森美
2443+
23000
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