1N5817 1N5819直通
威世通用半导体
肖特基势垒整流器器
特点
Guardring过电压保护
非常小的传导损耗
极快的切换
低正向压降
??高频工作
DO- 204AL （DO- 41）的
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
机械数据
案例：
DO- 204AL （DO- 41）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
色环表示阴极结束
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
20 V, 30 V, 40 V
25 A
0.45 V, 0.55 V, 0.60 V
125 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流
0.375" （9.5 mm）引线长度在T
L
= 90 °C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
变化的电压率（额定V
R
)
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
1N5817
20
14
20
24
1N5818
30
21
30
36
1.0
25
10 000
- 65至+ 125
1N5819
40
28
40
48
单位
V
V
V
V
A
A
V / μs的
°C
文档编号： 88525
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威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
最大正向电压
(1)
测试条件
1.0
3.1
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
4.0 V， 1.0 MHz的
符号
V
F
V
F
I
R
C
J
1N5817
0.450
0.750
1N5818
0.550
0.875
1.0
10
1N5819
0.600
0.900
单位
V
V
mA
额定最大平均反向电流
阻断电压DC
(1)
典型结电容
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
125
110
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（ 1 ）从结热阻引领垂直PCB安装， 0.375" （9.5 mm）引线长度1.5× 1.5" （ 38× 38毫米）铜垫
符号
R
θJA
R
θJL
1N5817
1N5818
50
15
1N5819
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
1N5819-E3/54
1N5819-E3/73
单位重量（g ）
0.332
0.332
首选包装代码
54
73
基地数量
5500
3000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.0
30
峰值正向浪涌电流（ A）
100
120
140
平均正向电流（ A）
25
0.75
负载电阻或电感
0.375" （9.5 mm）引线长度
0.5
20
15
10
0.25
5
0
0
20
40
60
80
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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威世通用半导体
100
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
1
结电容（pF ）
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
100
0.1
1N5818 1N5819 &
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图6.典型结电容
100
100
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
瞬时反向电流（mA ）
10
1
0.1
T
J
= 75 °C
1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图7.典型的瞬态热阻抗
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
结电容（pF ）
100
1N5817
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容
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威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 204AL （DO- 41）的
1.0 (25.4)
分钟。
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA 。
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
1.0 (25.4)
分钟。
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
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