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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第733页 > 1N5819HW
1N5819HW
1.0A表面贴装肖特基整流器
特点
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护中的应用
新产品
SOD-123
暗淡
A
H
G
D
民
3.55
2.55
1.40
—
0.25
—
0°
最大
3.85
2.85
1.70
1.35
—
0.10
8°
J
B
C
D
E
G
H
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOD- 123 ，塑料
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
极性：负极频带
线索：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
标记：日期代码和类型代码，见第3页
类型代码： SL
重0.01克数（大约）
订购信息：见第3页
A
B
0.55典型
0.11典型
C
E
J
a
尺寸：mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
L
= 90°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
功率耗散（注2 ）
典型热阻结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
@ I
R
= 1.0毫安
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j,
T
英镑
1N5819HW
40
28
1.0
25
450
222
-65到+125
单位
V
V
A
A
mW
° C / W
°C
DS30217版本6 - 2
1第3
1N5819HW
新产品
电气特性
特征
反向击穿电压（注1 ）
正向电压（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
40
典型值
10
1
15
1.5
110
最大
0.320
0.450
0.750
1.0
10
50
2
75
3
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pF
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 0.1A
I
F
= 1.0A
I
F
= 3.0A
V
R
≤ 40V ，T
A
= 25°C
V
R
≤ 40V ，T
A
= 100°C
V
R
= 4V ，T
A
= 25°C
V
R
= 4V ，T
A
= 100°C
V
R
= 6V ，T
A
= 25°C
V
R
= 6V ，T
A
= 100°C
V
R
= 4V ， F = 1.0MHz的
反向漏电流（注1 ）
I
R
总电容
C
T
注意事项：
1.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
2.设备安装在FR- 4印刷电路板， 2 “×2 ” ， 2盎司铜，单面，阴极板尺寸0.75 “ ×1.0 ” ，
阳极板尺寸0.25 “ ×1.0 ” 。
I
F
，正向电流（A）
1.0
I
O
，平均输出电流（ A）
5
0.8
4
0.6
3
2
0.4
1
0.2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
脉冲宽度= 300毫秒
2 ％的占空比
0
0
0.5
1.0
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
0
10
40
60
80
100
120
140
T
T
，终端温度（ ℃）
图。 1正向电流降额曲线
25
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
1000
T
j
= 25C
F = 1MHz的
20
15
C
T
，总电容（PF ）
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
100
10
5
10
0.1
1.0
10
100
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型的总电容
DS30217版本6 - 2
2 3
1N5819HW
T
A
，环境温度（℃ ）
125
R（ Q）
JA
= 300℃ / W的
注1
I
R
，瞬时反向电流（mA）
150
10.0
新产品
1.0
T
j
= 75°C
100
0.1
T
j
= 25°C
75
0.01
50
25
1
10
20
30 40 50
V
R
，反向电压（V）的
图。 5典型的安全工作区
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
R
，额定峰值反向电压（ V）
图。 6典型的反向特性
订购信息
设备
1N5819HW-7
注意事项：
（注3）
包装
SOD-123
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XX =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
XX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
2001
M
三月
3
YM
2002
N
APR
4
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
SEP
9
2006
T
十月
O
2007
U
NOV
N
2008
V
DEC
D
DS30217版本6 - 2
3 3
1N5819HW
SPICE模型： 1N5819HW
LEAD -FREE
1N5819HW
1.0A表面贴装肖特基整流器
特点
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅/符合RoHS （注1 ）
SOD-123
暗淡
A
B
H
G
D
民
3.55
2.55
1.40
—
0.45
0.25
—
0°
最大
3.85
2.85
1.70
1.35
0.65
—
0.10
8°
机械数据
案例： SOD- 123
塑料材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
极性：负极频带
求购：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架）
标记：日期代码和类型代码，见第3页
类型代码： SL
订购信息：见第3页
重量： 0.01克（近似值）
J
C
D
E
A
B
0.55典型
0.11典型
C
E
G
H
J
α
尺寸：mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
L
= 90°C
重复峰值正向电流
t
p
≤
1ms,
δ ≤
0.5
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
功率耗散（注2 ）
典型热阻结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
@ I
R
= 1.0毫安
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FRM
I
FSM
P
d
R
θJA
T
j,
T
英镑
价值
40
28
1.0
1.5
25
450
222
-65到+125
单位
V
V
A
A
A
mW
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.设备安装在FR- 4印刷电路板， 2"x2" ， 2盎司铜，单面，阴极焊盘尺寸0.75"x1.0" ，阳极焊盘尺寸0.25"x1.0" 。
DS30217牧师12 - 2
1第3
www.diodes.com
1N5819HW
Diodes公司
电气特性
特征
反向击穿电压（注3 ）
正向电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
40
典型值
10
1
15
1.5
50
最大
0.320
0.450
0.750
1.0
10
50
2
75
3
单位
V
V
mA
mA
A
mA
A
mA
pF
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 0.1A
I
F
= 1.0A
I
F
= 3.0A
V
R
≤ 40V ，T
A
= 25°C
V
R
≤ 40V ，T
A
= 100°C
V
R
= 4V ，T
A
= 25°C
V
R
= 4V ，T
A
= 100°C
V
R
= 6V ，T
A
= 25°C
V
R
= 6V ，T
A
= 100°C
V
R
= 4V ， F = 1.0MHz的
反向漏电流（注3）
I
R
总电容
注意事项：
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
C
T
1.0
I
F
，正向电流（A）
10
I
O
，平均输出电流（ A）
0.8
1
T
A
= 125C
0.6
0.1
T
A
= 100C
0.4
0.01
T
A
= 75C
0.2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
0.001
T
A
= 25C
T
A
= 0C
T
A
= -65C
0
10
40
60
80
100
120
140
T
T
，终端温度（ ℃）
图。 1正向电流降额曲线
25
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性
1000
F = 1MHz的
20
15
C
T
，总电容（PF ）
8.3ms单半正弦波
100
10
5
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
10
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（V）的
图。 4典型的总电容
DS30217牧师12 - 2
2 3
www.diodes.com
1N5819HW
Diodes
INCORPORATED
150
10,000
T
A
= 125C
T
A
，环境温度（℃ ）
125
1000
T
A
= 75C
T
A
= 100C
100
100
T
A
= 25C
10
75
1
T
A
= 0C
50
0.1
T
A
= -65C
25
1
10
20
30 40 50
V
R
，反向电压（V）的
图。 5典型的安全工作区
.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 6典型的反向特性
订购信息
设备
1N5819HW-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOD-123
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
SL
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
APR
4
SL =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2003
P
五月
5
YM
2004
R
JUN
6
2005
S
JUL
7
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-
ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有
使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
www.diodes.com
不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
DS30217牧师12 - 2
3 3
www.diodes.com
1N5819HW
Diodes
INCORPORATED
1N5819HW
1.0A表面贴装肖特基整流器
特点
保护环片施工瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注4 ）
机械数据
案例： SOD- 123
塑料材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
极性：负极频带
信息：雾锡完成了退火合金引线框架42 （铅
无电镀）每MIL -STD- 202方法208焊
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.01克（近似值）
顶视图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
@ I
R
= 1.0毫安
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
L
= 90°C
重复峰值正向电流
t
p
≤
1ms,
δ ≤
0.5
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
40
28
1.0
1.5
25
单位
V
V
A
A
A
热特性
特征
功率耗散（注2 ）
典型热阻结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
450
222
-65到+125
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
反向击穿电压（注3 ）
正向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
民
40
典型值
10
1
15
1.5
50
最大
0.320
0.450
0.750
1.0
10
50
2
75
3
60
单位
V
V
mA
mA
μA
mA
μA
mA
pF
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 0.1A
I
F
= 1.0A
I
F
= 3.0A
V
R
≤ 40V ，T
A
= 25°C
V
R
≤ 40V ，T
A
= 100°C
V
R
= 4V ，T
A
= 25°C
V
R
= 4V ，T
A
= 100°C
V
R
= 6V ，T
A
= 25°C
V
R
= 6V ，T
A
= 100°C
V
R
= 4V ， F = 1.0MHz的
反向漏电流（注3）
I
R
总电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
C
T
没有故意添加铅。卤素和无锑。
设备安装在FR- 4印刷电路板， 2"x2" ， 2盎司铜，单面，阴极焊盘尺寸0.75"x1.0" ，阳极焊盘尺寸0.25"x1.0" 。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
1N5819HW
文件编号： DS30217牧师15 - 2
1 4
www.diodes.com
2010年2月
Diodes公司
1N5819HW
I
F
，正向电流（A）
10
10,000
1
1,000
100
0.1
10
0.01
1
0.001
0.1
.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
1.0
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
0.0001
0
5
10
15
25
30
40
20
35
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 2典型的反向特性
1,000
C
T
，总电容（PF ）
0.8
0.6
100
0.4
0.2
单脉冲半波
60赫兹电阻或电感性负载
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 3总电容与反向电压
25
I
FSM
，峰值正向浪涌电流（ A）
10
40
60
80
100
120
140
T
A
，环境温度（℃ ）
图。 4正向电流降额曲线
T
A
，降额使用环境温度（ ° C）
150
125
20
100
15
75
10
50
5
8.3ms单半正弦波
25
1
20 30 40 50
10
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 5工作温度降额
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
图。 6最大非重复性峰值正向浪涌电流
1N5819HW
文件编号： DS30217牧师15 - 2
2 4
www.diodes.com
2010年2月
Diodes公司
1N5819HW
订购信息
产品型号
1N5819HW-7-F
注意事项：
（注5 ）
例
SOD-123
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
SL =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
SL
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
YM
2005
S
APR
4
2006
T
五月
5
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
C
H
B
A
M
L
K
SOD-123
暗淡
民
最大
A
典型值0.55
B
1.40
1.70
C
3.55
3.85
H
2.55
2.85
J
0.00
0.10
K
1.00
1.35
L
0.25
0.40
M
0.10
0.15
0
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
C
X
尺寸值（单位：mm）
Z
4.9
G
2.5
X
0.7
Y
1.2
C
3.7
Y
G
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文件编号： DS30217牧师15 - 2
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2010年2月
Diodes公司
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生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
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