1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
A组ELECTRICALS
图号： MIL -S -四百七十七分之一万九千五百编号： JANKCE1N5802 /五千八百○六分之五千八百○四D00G1N5802 / 5804 / 5806KC
TEST ＃
1
2
3
4
5
6
V
FM1
V
FM2
I
R1
V
(BR)1
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 2.5 A
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
（ BR ）
= 100
A
.875
.975
1.0
1N5802
1N5804
1N5806
60
110
160
V
V
A
符号
A2亚群
测试条件
最低
最大
单位
V
V
V
7
8
9
I
R2
SUBGROUP A3
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 1.0 A
I
（ BR ）
= 100
A
T
A
= + 100
°
C
T
A
= + 100
°
C
T
A
= - 65
°
C
T
A
= - 65
°
C
1N5802
1N5804
1N5806
50
100
150
50
0.800
1.075
A
10
11
12
V
FM3
V
FM4
V
(BR)2
V
V
V
V
V
13
14
15
16
17
18
TRR
C
J
V
FRM
TFR
小组4
I
F
= I
R
= 0.5 A I
RM
（ REC ）= 0.05
V
R
= 10 V,
t
r
= 8纳秒
t
p
≥
20纳秒
F = 1 MHz的
I
FM
= 250毫安
t
r
8纳秒
V
FR
= 1.1× V
F
I
FM
= 250 MA（ PK）
DL / DT = 65 A \\美国（分钟）
25
25
2.2
15
nS
pF
V
nS
V
SIG
= 50毫伏（ p-p ）（ MAX）的
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
DIE尺寸：
MIL-PRF-19500/477C
A
B
阳极
B一
阳极AL厚度45000
最低
C
阴极厚度AU 2500，
最低
1N5802, 1N5804, 1N5806
尺寸
LTR
A
B
C
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制equlvalents给出的只是一般信息。
民
.039
.031
.008
英寸
最大
.043
.035
.012
MILLIMETERS
民
最大
1.00
1.09
0.79
0.89
0.20
0.30
图7 。
JANC （电子版）模具尺寸。
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5806
1N5806US
SENSITRON
半导体
JAN
JANTX
JANTXV
SJ
SX
SV
技术参数
数据表158 ，修订版D
HERMETIC轴向/ MELF LEAD整流器
说明： 150伏， 2.5安培， 25纳秒整流器
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
-
T
L
= +75
o
C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 3.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 0.5A,
I
rr
= 50毫安
d = 0.375”
结到结束
帽
-
-
-
-
36
20
°
C / W
°
C / W
-
-
条件
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
150
2.5
25
单位
VDC
安培
安培（ PK）
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向
电压（V
f
)
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
反向恢复时间
(t
rr
)
热阻（ θ
JL
)
（轴向）
热阻（ θ
JEC
)
（ MELF ）
-65
-
-
-
+175
.875
°C
伏
-
-
1.0
50
25
μAMPS
纳秒
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
技术参数
数据表158 ，修订版D
1N5806
1N5806US
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
D
B
φB
.065 (1.65)
.085 (3.56)
G
L
φ
D
.027 (.69)
.032 (.81)
G
.125 (3.18)
.250 (6.35)
L
.700
(17.78)
1.30
(33.02)
PKG 。 106
.028 (.72
.019 .48)
0.20 R最大
(5.08)
0.003 MIN
(.076)
.103 (3.3
.091 2.3)
.200 (5.1
.168 4.2)
.103 (3.3
.091 2.3)
MELF -A
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
整流器，高达150V ， 2.5A ，
25ns
电话： 805-498-2111传真： 805-498-
1N5802
1N5804
1N5806
3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
机械
G111
尺寸
暗淡
N
A
B
C
D
E
MILLIMETERS
民
1.65
17.8
3.18
-
0.69
最大
2.16
33.0
6.35
0.80
0.81
英寸
民
.065
0.70
.125
-
0.027
最大
.085
1.30
0.250
.030
0.032
-
-
-
-
1
记
这些产品对外贸易资质版到
MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百和者优先
份如MIL-STD- 701中列出。
它们可以充分地供给释放
作为JANTX和JANTXV版本。
注意：
（ 1 ）铅直径不受控制了这一地区。
重量= 0.013盎司
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
A组ELECTRICALS
图号： MIL -S -四百七十七分之一万九千五百编号： JANKCE1N5802 /五千八百○六分之五千八百○四D00G1N5802 / 5804 / 5806KC
TEST ＃
1
2
3
4
5
6
V
FM1
V
FM2
I
R1
V
(BR)1
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 2.5 A
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
（ BR ）
= 100
A
.875
.975
1.0
1N5802
1N5804
1N5806
60
110
160
V
V
A
符号
A2亚群
测试条件
最低
最大
单位
V
V
V
7
8
9
I
R2
SUBGROUP A3
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 1.0 A
I
（ BR ）
= 100
A
T
A
= + 100
°
C
T
A
= + 100
°
C
T
A
= - 65
°
C
T
A
= - 65
°
C
1N5802
1N5804
1N5806
50
100
150
50
0.800
1.075
A
10
11
12
V
FM3
V
FM4
V
(BR)2
V
V
V
V
V
13
14
15
16
17
18
TRR
C
J
V
FRM
TFR
小组4
I
F
= I
R
= 0.5 A I
RM
（ REC ）= 0.05
V
R
= 10 V,
t
r
= 8纳秒
t
p
≥
20纳秒
F = 1 MHz的
I
FM
= 250毫安
t
r
8纳秒
V
FR
= 1.1× V
F
I
FM
= 250 MA（ PK）
DL / DT = 65 A \\美国（分钟）
25
25
2.2
15
nS
pF
V
nS
V
SIG
= 50毫伏（ p-p ）（ MAX）的
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
DIE尺寸：
MIL-PRF-19500/477C
A
B
阳极
B一
阳极AL厚度45000
最低
C
阴极厚度AU 2500，
最低
1N5802, 1N5804, 1N5806
尺寸
LTR
A
B
C
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制equlvalents给出的只是一般信息。
民
.039
.031
.008
英寸
最大
.043
.035
.012
MILLIMETERS
民
最大
1.00
1.09
0.79
0.89
0.20
0.30
图7 。
JANC （电子版）模具尺寸。
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这些“超快恢复”整流二极管军事符合MIL -PRF- 477分之19500
，非常适合高可靠性应用中的故障无法容忍。这些
业界公认的2.5安培额定整流器的工作峰值反向电压为50
150伏是密封用无空隙玻璃建筑用的内
“ I类”的冶金结合。他们也可在表面贴装封装（见
单独的数据表1N5802US直通1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了众多的
其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值与各种恢复
时间速度的要求，包括标准，快速和超快的通孔或地表
安装包。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓（最后一页的封装尺寸）
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
铜缆。注：上JANS有库存
实银轴向引线，没有终点。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100μA
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
o
25 C
100 C
0.875
0.800
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
TYPE
1N5802 – 1N5806
安培
μA
o
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2007
2007年1月15日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2007
2007年1月15日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
QQ：2880707522 复制
