技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰。
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
无空隙 - 密封式
超快恢复整流二极管玻璃
每个合格的MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百
器件
水平
1N5807 1N5811通 - 带引线
1N5807US通1N5811US - 表面贴装
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL -PRF- 477分之19500和
非常适合高可靠性应用中的故障是不能容许的。这些业界
公认的6.0安培的额定整流器从50到150伏的工作峰值反向电压
密封与无空隙玻璃建筑使用内部的“ I类”冶金
债券。这些器件均提供含铅和表面贴装MELF封装
配置。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高
较低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括标准，快捷，
在超快设备类型都通孔和表面安装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
热门JEDEC注册1N5807 1N5811到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS提供符合MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百
表面安装在方形端盖MELF配置可用的版本与“美”
苏FFI X
B-体
引线封装
B-体
表面贴装
MELF封装
T4 - LDS - 0168修订版1（ 101025 ）
第1页7
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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戈特路经营业务公园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰。
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应用/优势
超快恢复6安培整流器系列50 150V
军事航天和其他高可靠性应用
开关电源，也不需要其他应用程序非常快速开关&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩与反向峰值功率能力
硬如Microsemi的MicroNote 050本质上描述了辐射
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ：6 @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度（见注1 ）
热电阻： 22 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 1.5 C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦波） 125安培
电容： 60 pF的10伏中，f = 1 MHz的
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃与钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）超过镍板铜缆。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 750毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
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第2 7
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电气特性@ 30℃外壳温度
WORKING击穿平均值平均值
整流电压整流
PEAK
（分）
电流电流
反向
I
O1
I
O2
电压
@ 100μA
@T
L
= 75℃ @T
A
=55C
V
RWM
V
BR
（注1 ）
注2
伏
伏
安培
最大
前锋
电压
@ 4A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
25
o
C
1N5807 ，美国
1N5809 ，美国
1N5811 ，美国
50
100
150
60
110
160
6.0
6.0
6.0
3.0
3.0
3.0
0.875
0.875
0.875
100
o
C
0.800
0.800
0.800
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
μA
25
o
C
5
5
5
125
o
C
525
525
525
125
125
125
30
30
30
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
TYPE
注1 ：
含铅：额定在T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在60毫安/ C对于T
L
75℃以上。
表面贴装：额定在T
EC
= 75℃ 。减额在60毫安/ C对于T
EC
75℃以上。
注2 ：
线性降额在25毫安/ C以上牛逼
A
= 55℃ 。该评级是典型的PC板，其中热阻
从安装点到环境的充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃的
注3 ：
T
A
= 25
o
@我
O
= 3.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 1.0 A，I
RM
= 1.0 A，I
R（ REC ）
= 0.10和di / dt = 100 A / μs的分
符号定义&
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的
电流。
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度。
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
从向前方向到相反的方向，并经过指定的恢复衰退点改变
反向峰值电流达到。
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第3页7
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图的
图1
典型的正向电流与正向电压
图2
典型的反向电流与电压
科幻gure 3
输出电流与焊接温度
图4
正转脉冲电流与期限
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第4 7
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图6
最大的铅温度。与PD
图7
多浪涌电流与期限
T4 - LDS - 0168修订版1（ 101025 ）
第5页第7
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表127 ， REV.H.2
1N5807 / US
1N5809 / US
1N5811 / US
HERMETIC轴向/ MELF高效率整流
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
外形尺寸：轴向引线类似于E封装和表面贴装类似于D- 5B
操作和储存温度： -65
o
C至+175
o
SJ
SX
SV
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N5807 / US
1N5809 / US
1N5811 / US
平均正向电流整流
平均正向电流整流
峰值正向浪涌电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有
指定的。
符号
条件
最大
单位
V
WM
50
100
150
T
L
= 75
o
C
T
A
= 55
o
C
T
p
=8.3ms
6.0
3.0
125
伏
I
o
I
o
I
FSM
安培
安培
A（ PK）
最大反向电流
最大反向电流
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
5.0
μAMPS
I
R
@ V
RWM
T
j
= 125
o
C
I
FM
=4.0A
I
FM
=6.0A
I
F
=I
RM
=0.5A
I
REC
=0.05A
I
F
=500mA
t
r
=8ns
L=.375
L=0
525
μAMPS
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
300
微秒
脉冲，占空比< 2％
最大反向恢复时间
V
FM
T
rr
0.875
0.925
30
伏
ns
正向恢复电压
热阻（轴向）
1N5807 1N5811直通
热阻（ MELF ）
1N5807US通1N5811US
V
FRM
2.2
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
22
o
C / W
C / W
6.5
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表127 ， REV 。 H.2
外形尺寸（英寸） / （毫米）
1N5807 / US
1N5809 / US
1N5811 / US
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表127 ， REV 。 H.2
1N5807 / US
1N5809 / US
1N5811 / US
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以改善
产品特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体营业部的
最新版本的数据表（S ）的。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备，安全设备） ，安全性应该通过使用该功能的半导体器件保证
确保安全或用户的故障安全防范措施或其他安排方式。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
属性的权利要求或任何其它问题可能是由于在所描述的信息，产品或电路应用
数据表。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
从使用的值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
Sensitron半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其应用
会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接购买，或适用于该目的
任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合相关
法律和法规。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
证书
:
TH97/10561QM
证书：
TW00/17276EM
1N5807US - 1N5811US
PRV ： 50 - 150伏
IO： 6.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
超快恢复时间
无铅/符合RoHS免费
超快恢复
整流二极管
SMB （ DO- 214AA ）
1.1
±
0.3
5.4
±
0.15
4.8
±
0.15
2.0
±
0.1
3.6
±
0.15
2.3
±
0.2
0.22
±
0.07
机械数据：
*案例： SMB模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：铅形成了表面贴装
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.1079克
单位：毫米
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
等级
最大工作峰值反向电压
最小击穿电压@ 100μA
最大平均正向电流
最大正向浪涌电流
(3)
最大峰值正向电压在我
F
= 4.0 A.
在V最大反向电流
RWM
最大反向恢复时间
(4)
热阻，结领导
结温范围
存储温度范围
TA = 25℃
TA = 100 C
符号
V
RWM
V
BR（ MIN）的
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
R
θJL
T
J
T
英镑
1N5807US
50
60
1N5809US 1N5811US
100
110
6.0
(1)
3.0
(2)
125
0.875
5.0
150
30
22
- 65 + 175
- 65 + 175
150
160
单位
V
V
A
A
V
μA
ns
° C / W
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）额定在T
L
=75
°C
在3/8 INC引线长度。减额在60毫安/ ℃，对于T
L
上述75
°C.
（ 2 ）线性降额在25毫安/ ° C以上的Ta = 55 ℃。该评级是典型的PC板的安装，其中热阻
点到环境的充分控制，其中T
J（下最大）
剂量不超过175 ℃。
（ 3 ） TA = 25 ℃， @我
F（ AV ）
= 3A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟。
(4) I
F
= 1A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.1 A和di / dt = 10A / μs最小值。
第1页
2
启示录00 ： 2007年4月4日
证书
:
TH97/10561QM
证书：
TW00/17276EM
额定值和特性曲线（ 1N5807US - 1N5811US ）
图。 1 - 输出电流 -
焊接温度
图2 - 多浪涌电流
与持续时间
平均整流电流（ A）
8
百分比浪涌额定值（ ％ ）
10
100
L = 8"分之3
80
6
60
4
40
2
自体L =导线长度
0
25
50
75
100
125
150
175
20
0
1
10
100
焊接温度（ ° C）
个循环的60赫兹正弦波
图3 - 典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
100
1000
TA = 100 C
正向电流（ A）
10
反向电流（ μA ）
100
1.0
TA = 25℃
10
0.1
1
TA = 25℃
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压（ V）
百分比额定反向
电压， （ ％ ）
第2页2
启示录00 ： 2007年4月4日
1N5807US/1N5809US/1N5811US
功率分立器件
描述
快速参考数据
V
R
50 -150 V
I
F
1N5807US到1N5811US = 6A
t
rr
1N5807US到1N5811US = 30ns的
I
R
1N5807US到1N5811US = 5μA
超快恢复二极管
表面贴装（美国）
特点
极低的反向恢复时间
密封无腔体结构
柔软，无扣，断恢复特性
极低的正向电压降
这些产品符合MIL -PRF- 477分之19500
和优选作为在MIL-HDBK- 5961中列出的部件。
它们可以提供完全释放JANTX和
JANTXV版本。
电气规格
电气规格@ T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
反向工作电压
重复反向电压
平均正向电流
（ @ 75℃引线长度= 0.375 “ ）
重复浪涌电流
（ @ 55°C在自由空气中的引线长度= 0.375 “ ）
非重复浪涌电流
（ TP = 8.3ms的在Vr &牛逼
JMAX
)
存储温度范围
平均正向电流最大
（PCB安装：T已
A
= 55°C)
正弦波
方波（D = 0.5）
I
2
吨融合（T = 8.3ms的）最大
正向电压降最大
@ T
J
= 25°C
反向电流最大值
@ V
WRM
, T
J
= 25°C
@ V
WRM
, T
J
= 100°C
反向恢复时间最大
（ 1.0A我
F
到1.0A我
RM
恢复到0.25A我
RM （ REC ）
)
结电容（典型值）
@ V
R
= 5V F = 1MHz的
热阻端盖
V
RWM
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
T
英镑
1N 5807U S
50
50
1N 5809U S
100
100
6.0
25
125
-65到+175
1N5811US
150
150
单位
V
V
A
A
A
°C
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
2
t
V
F
I
R
I
R
TRR
C
J
R
θ
JEC
1.7
1.8
32
0.875 @ 4A
A
A
2
S
V
5.0
150
30
60
6.5
A
nS
pF
° C / W
修订： 2006年5月26日
1
www.semtech.com
1N5807US/1N5809US/1N5811US
功率分立器件
订购信息
产品型号
1N5807US,
1N5809US,
1N5811US
描述
表面贴装
(1)
注意：
（ 1 ）可在托盘和磁带和卷轴包装。请
咨询工厂的数量。
外形绘图
B
D
C
A
D
*阴极被表示为一个黑色带白色体。
尺寸以英寸
1N5807US - 1N5811US
民
A
B
C
D
0.2
0.019
0.003
0.137
最大
0.225
0.028
-
0.148
联系信息
升特公司
功率分立产品部
200弗林路，卡马里奥，CA 93012
电话： (805)498-2111 FAX (805)498-3804
2006年升特公司
2
www.semtech.com
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格MIL-
PRF -四百七十七分之一万九千五百，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的6.0安培额定整流器的工作峰值反向
从50到150伏的电压是密封用无空隙玻璃建筑用
内部的“ I类”的冶金结合。这些器件还提供轴向 -
含铅封装配置（参见单独的数据表1N5807 1N5811直通） 。
Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低的电流
与各种恢复时间速度要求等级，包括标准，快捷，
在超快设备类型都通孔和表面安装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5807 1N5811到系列
无空隙，气密密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/477
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5807 1N5811直通）
应用/优势
超快恢复6安培整流器系列50至150 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作温度： -65
o
C至+175
o
C.
存储温度： -65
o
C至+175
o
C.
正向平均整流电流（I
O
） ： 6安培@
T
EC
= 75℃端盖温度（见注1 ）
热阻： 6.5 C / W结到端盖
热阻抗： 1.5 C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦波） 125安培
电容： 60 pF的10伏中，f = 1 MHz的
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖铜与锡/铅
（锡/铅）完成。注：以前的库存有实
银端盖与锡/铅（Sn / Pb）的表面。
只有阴极乐队：标记&极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 539毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
1N5807US
1N5809US
50
100
击穿
电压
（分）
@ 100μA
V
BR
伏
60
110
平均
纠正
当前
I
O1
@T
EC
=75
C
（注1 ）
安培
6.0
6.0
平均
纠正
当前
I
O2
@T
A
=55
C
（注2 ）
安培
3.0
3.0
最大
前锋
电压
@4A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
o
TYPE
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
125
125
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
30
30
1N5807US–1N5811US
伏
μA
o
o
o
25 C
100 C 25 C 125 C
525
5
0.800
0.875
0.875
0.800
5
525
30
125
525
5
0.800
0.875
3.0
6.0
160
150
1N5811US
注1 ：
额定在T
EC
= 75℃ 。减额在60毫安/ C对于T
EC
75℃以上
注2 ：
线性降额在25毫安/ C以上牛逼
A
= 55℃ 。该评级是典型的PC板，其中热阻从安装点
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃的
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 3.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 1.0 A，I
RM
= 1.0 A,
I
R（ REC ）
= 0.10和di / dt = 100 A / μs的分
版权
2009
2009年8月3日REV F; SD42A
Microsemi的
第1页
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度。
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
典型正向电流
VS.正向电压
图2
典型的反向电流与电压
1N5807US–1N5811US
科幻gure 3
正转脉冲电流与期限
版权
2009
2009年8月3日REV F; SD42A
Microsemi的
第2页
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图4
多浪涌电流与期限
包装尺寸和PAD布局
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5B ”
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.200
.137
.019
.003
最大
.225
.148
.028
---
民
5.08
3.48
0.48
0.08
mm
最大
5.72
3.76
0.711
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.288
0.070
0.155
mm
7.32
1.78
3.94
1N5807US–1N5811US
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.080英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
版权
2009
2009年8月3日REV F; SD42A
Microsemi的
第3页
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格
MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百，非常适合高可靠性应用中的故障
不能被容忍的。这些行业公认的6.0安培额定整流器的工作
从50到150伏特峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也可在轴向引线封装配置（参见单独的数据表
对于1N5807 1N5811直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品
为满足较高和较低的电流额定值与各种恢复时间速
要求，包括标准，快速和超快的设备类型均吞吐量
孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5807 1N5811到系列
无空隙，气密密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/477
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5807 1N5811直通）
应用/优势
超快恢复6安培整流器系列50至150 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作温度： -65
o
C至+175
o
C.
存储温度： -65
o
C至+175
o
C.
正向平均整流电流（I
O
） ： 6安培@
T
EC
= 75℃端盖温度（见注1 ）
热电阻： 10℃ / W结到端盖
热阻抗： 1.5 C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦波） 125安培
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖固与银
锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
只有阴极乐队：标记&极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 539毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
A
o
25 C 100 C
5
150
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
1N5807US
1N5809US
50
100
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
60
110
平均
纠正
当前
I
O1
@T
EC
=75
C
（注1 ）
安培
6.0
6.0
平均
纠正
当前
I
O2
@T
A
=55
C
（注2 ）
安培
3.0
3.0
最大
前锋
电压
@4A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
125
125
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
30
30
1N5807US–1N5811US
0.875
0.800
5
150
1N5811US
150
160
6.0
3.0
0.875
0.800
5
150
125
30
注1 ：
额定在T
EC
= 75℃ 。减额在60毫安/ C对于T
EC
75℃以上
注2 ：
线性降额在25毫安/ C以上牛逼
A
= 55℃ 。该评级是典型的PC板，其中热阻从安装点
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃的
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 3.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 1.0 A，I
RM
= 1.0 A,
I
R（ REC ）
= 0.10和di / dt = 100 A / μs的分
版权
2004
2005年1月14日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度。
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
图的
图1
典型正向电流
VS.正向电压
图2
典型的反向电流与电压
1N5807US–1N5811US
科幻gure 3
正转脉冲电流与期限
版权
2004
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第2页
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图4
多浪涌电流与期限
包装尺寸和PAD布局
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5B ”
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.205
.137
.019
.003
最大
.225
.142
.028
---
民
5.21
3.48
0.48
0.08
mm
最大
5.72
3.61
0.711
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.288
0.070
0.155
mm
7.32
1.78
3.94
1N5807US–1N5811US
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.080英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
版权
2004
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格
MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百，非常适合高可靠性应用中的故障
不能被容忍的。这些行业公认的6.0安培额定整流器的工作
从50到150伏特峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也可在轴向引线封装配置（参见单独的数据表
对于1N5807 1N5811直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品
为满足较高和较低的电流额定值与各种恢复时间速
要求，包括标准，快速和超快的设备类型均吞吐量
孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5807 1N5811到系列
无空隙，气密密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/477
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5807 1N5811直通）
应用/优势
超快恢复6安培整流器系列50至150 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
工作温度： -65
o
C至+175
o
C.
存储温度： -65
o
C至+175
o
C.
正向平均整流电流（I
O
） ： 6安培@
T
EC
= 75℃端盖温度（见注1 ）
热电阻： 10℃ / W结到端盖
热阻抗： 1.5 C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦波） 125安培
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖固与银
锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
只有阴极乐队：标记&极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 539毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
A
o
25 C 100 C
5
150
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
1N5807US
1N5809US
50
100
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
60
110
平均
纠正
当前
I
O1
@T
EC
=75
C
（注1 ）
安培
6.0
6.0
平均
纠正
当前
I
O2
@T
A
=55
C
（注2 ）
安培
3.0
3.0
最大
前锋
电压
@4A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
125
125
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
30
30
1N5807US–1N5811US
0.875
0.800
5
150
1N5811US
150
160
6.0
3.0
0.875
0.800
5
150
125
30
注1 ：
额定在T
EC
= 75℃ 。减额在60毫安/ C对于T
EC
75℃以上
注2 ：
线性降额在25毫安/ C以上牛逼
A
= 55℃ 。该评级是典型的PC板，其中热阻从安装点
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃的
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 3.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 1.0 A，I
RM
= 1.0 A,
I
R（ REC ）
= 0.10和di / dt = 100 A / μs的分
版权
2004
2005年1月14日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度。
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
反向恢复时间：瞬间的电流之间的时间间隔通过零点时
峰值后，从向前方向转换到相反的方向，并在指定的恢复衰退点
反向电流为止。
图的
图1
典型正向电流
VS.正向电压
图2
典型的反向电流与电压
1N5807US–1N5811US
科幻gure 3
正转脉冲电流与期限
版权
2004
2005年1月14日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图4
多浪涌电流与期限
包装尺寸和PAD布局
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5B ”
英寸
民
BL
BD
ECT
S
.205
.137
.019
.003
最大
.225
.142
.028
---
民
5.21
3.48
0.48
0.08
mm
最大
5.72
3.61
0.711
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.288
0.070
0.155
mm
7.32
1.78
3.94
1N5807US–1N5811US
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.080英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
版权
2004
2005年1月14日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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