1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802US通1N5806US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格MIL-
PRF -四百七十七分之一万九千五百，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作峰值反向
从50到150伏的电压是密封用无空隙玻璃建筑
使用内部的“ I类”的冶金结合。它们也可用于轴向 - 可用
含铅封装配置为通孔安装（参见单独的数据表
1N5802 1N5806直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足
较高和较低的额定电流与各种恢复时间速度的要求
包括标准，快速和超快设备类型在两个通孔和表面
安装包。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
或D -5A
特点
表面贴装型封装系列等同于JEDEC
注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
轴向引线等效可用（见1N5802 1N5806直通）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50至150 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
EC
= 75C
热电阻： 13 C / W结到端盖
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖铜与锡/铅
（锡/铅）完成。注：以前的库存有实
银端盖与锡/铅（Sn / Pb）的表面。
只有阴极乐队：标记和极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 193毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100μA
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
EC
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
o
25 C
100 C
0.875
0.800
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
μA
o
125 C
175
175
175
175
175
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
TYPE
1N5802US - 1N5806US
1N5802US
50
55
2.5
1.0
35
1N5803US
75
80
2.5
1.0
35
1N5804US
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
35
1N5805US
125
135
2.5
1.0
35
1N5806US
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
EC
= 75° 。减额在50毫安/ C对于T
EC
125℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2009
2009年10月6日REV C ; SD41A.pdf
25 C
1
1
1
1
1
o
Microsemi的
第1页
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
1N5802US通1N5806US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包装尺寸和PAD布局
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5A ”
英寸
民
BD
BL
ECT
S
.097
.185
.019
.003
最大
.103
.200
.028
---
民
2.46
4.70
0.48
0.08
mm
最大
2.62
5.08
0.71
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.246
0.067
0.105
mm
6.25
1.70
2.67
1N5802US - 1N5806US
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.060英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
版权
2009
2009年10月6日REV C ; SD41A.pdf
Microsemi的
第2页
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
1N5802US通1N5806US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格MIL-
PRF -四百七十七分之一万九千五百，非常适合高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作峰值反向
从50到150伏的电压是密封用无空隙玻璃建筑
使用内部的“ I类”的冶金结合。它们也可用于轴向 - 可用
含铅封装配置为通孔安装（参见单独的数据表
1N5802 1N5806直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足
较高和较低的额定电流与各种恢复时间速度的要求
包括标准，快速和超快设备类型在两个通孔和表面
安装包。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
套餐“A”
或D -5A
特点
表面贴装型封装系列等同于JEDEC
注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
轴向引线等效可用（见1N5802 1N5806直通）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50至150 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
EC
= 75C
热电阻： 20 C / W结到端盖
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖铜与锡/铅
（锡/铅）完成。注：以前的库存有实
银端盖与锡/铅（Sn / Pb）的表面。
只有阴极乐队：标记和极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 193毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100μA
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
EC
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
o
25 C
100 C
0.875
0.800
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
μA
o
100 C
50
50
50
50
50
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
TYPE
1N5802US - 1N5806US
1N5802US
50
55
2.5
1.0
35
1N5803US
75
80
2.5
1.0
35
1N5804US
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
35
1N5805US
125
135
2.5
1.0
35
1N5806US
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
EC
= 75° 。减额在50毫安/ C对于T
EC
125℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2007
2007年1月15日REV A
25 C
1
1
1
1
1
o
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802US通1N5806US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包装尺寸和PAD布局
注：此封装外形也有以前
被确定为“D -5A ”
英寸
民
BD
BL
ECT
S
.097
.185
.019
.003
最大
.103
.200
.028
---
民
2.46
4.70
0.48
0.08
mm
最大
2.62
5.08
0.71
---
A
B
C
焊盘布局
英寸
0.246
0.067
0.105
mm
6.25
1.70
2.67
1N5802US - 1N5806US
注意：如果需要安装胶粘剂
从焊料中分离出来，一个附加
0.060英寸直径的接触可以是
放置在焊盘之间的中心
作为水泥的可选点。
版权
2007
2007年1月15日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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