1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
A组ELECTRICALS
图号： MIL -S -四百七十七分之一万九千五百编号： JANKCE1N5802 /五千八百○六分之五千八百○四D00G1N5802 / 5804 / 5806KC
TEST ＃
1
2
3
4
5
6
V
FM1
V
FM2
I
R1
V
(BR)1
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 2.5 A
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
（ BR ）
= 100
A
.875
.975
1.0
1N5802
1N5804
1N5806
60
110
160
V
V
A
符号
A2亚群
测试条件
最低
最大
单位
V
V
V
7
8
9
I
R2
SUBGROUP A3
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 1.0 A
I
（ BR ）
= 100
A
T
A
= + 100
°
C
T
A
= + 100
°
C
T
A
= - 65
°
C
T
A
= - 65
°
C
1N5802
1N5804
1N5806
50
100
150
50
0.800
1.075
A
10
11
12
V
FM3
V
FM4
V
(BR)2
V
V
V
V
V
13
14
15
16
17
18
TRR
C
J
V
FRM
TFR
小组4
I
F
= I
R
= 0.5 A I
RM
（ REC ）= 0.05
V
R
= 10 V,
t
r
= 8纳秒
t
p
≥
20纳秒
F = 1 MHz的
I
FM
= 250毫安
t
r
8纳秒
V
FR
= 1.1× V
F
I
FM
= 250 MA（ PK）
DL / DT = 65 A \\美国（分钟）
25
25
2.2
15
nS
pF
V
nS
V
SIG
= 50毫伏（ p-p ）（ MAX）的
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
DIE尺寸：
MIL-PRF-19500/477C
A
B
阳极
B一
阳极AL厚度45000
最低
C
阴极厚度AU 2500，
最低
1N5802, 1N5804, 1N5806
尺寸
LTR
A
B
C
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制equlvalents给出的只是一般信息。
民
.039
.031
.008
英寸
最大
.043
.035
.012
MILLIMETERS
民
最大
1.00
1.09
0.79
0.89
0.20
0.30
图7 。
JANC （电子版）模具尺寸。
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
A组ELECTRICALS
图号： MIL -S -四百七十七分之一万九千五百编号： JANKCE1N5802 /五千八百○六分之五千八百○四D00G1N5802 / 5804 / 5806KC
TEST ＃
1
2
3
4
5
6
V
FM1
V
FM2
I
R1
V
(BR)1
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 2.5 A
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
（ BR ）
= 100
A
.875
.975
1.0
1N5802
1N5804
1N5806
60
110
160
V
V
A
符号
A2亚群
测试条件
最低
最大
单位
V
V
V
7
8
9
I
R2
SUBGROUP A3
V
R
= 50 V (5802)
V
R
= 100 V (5804)
V
R
= 150 V (5806)
I
FM
= 1.0 A
I
FM
= 1.0 A
I
（ BR ）
= 100
A
T
A
= + 100
°
C
T
A
= + 100
°
C
T
A
= - 65
°
C
T
A
= - 65
°
C
1N5802
1N5804
1N5806
50
100
150
50
0.800
1.075
A
10
11
12
V
FM3
V
FM4
V
(BR)2
V
V
V
V
V
13
14
15
16
17
18
TRR
C
J
V
FRM
TFR
小组4
I
F
= I
R
= 0.5 A I
RM
（ REC ）= 0.05
V
R
= 10 V,
t
r
= 8纳秒
t
p
≥
20纳秒
F = 1 MHz的
I
FM
= 250毫安
t
r
8纳秒
V
FR
= 1.1× V
F
I
FM
= 250 MA（ PK）
DL / DT = 65 A \\美国（分钟）
25
25
2.2
15
nS
pF
V
nS
V
SIG
= 50毫伏（ p-p ）（ MAX）的
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE和JANKCE
JANHCF和JANKCF
DIE尺寸：
MIL-PRF-19500/477C
A
B
阳极
B一
阳极AL厚度45000
最低
C
阴极厚度AU 2500，
最低
1N5802, 1N5804, 1N5806
尺寸
LTR
A
B
C
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制equlvalents给出的只是一般信息。
民
.039
.031
.008
英寸
最大
.043
.035
.012
MILLIMETERS
民
最大
1.00
1.09
0.79
0.89
0.20
0.30
图7 。
JANC （电子版）模具尺寸。
MSC1344.PDF 99年2月23日
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这些“超快恢复”整流二极管军事符合MIL -PRF- 477分之19500
，非常适合高可靠性应用中的故障无法容忍。这些
业界公认的2.5安培额定整流器的工作峰值反向电压为50
150伏是密封用无空隙玻璃建筑用的内
“ I类”的冶金结合。他们也可在表面贴装封装（见
单独的数据表1N5802US直通1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了众多的
其他整流器产品，以满足更高和更低的电流额定值与各种恢复
时间速度的要求，包括标准，快速和超快的通孔或地表
安装包。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓（最后一页的封装尺寸）
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
铜缆。注：上JANS有库存
实银轴向引线，没有终点。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100μA
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
o
25 C
100 C
0.875
0.800
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
TYPE
1N5802 – 1N5806
安培
μA
o
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2007
2007年1月15日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2007
2007年1月15日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4970 ， REV 。
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
SS5802 ，美通SS5806 ，美国
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N5802 ，美国
1N5804 ，美国
1N5806 ，美国
平均正向电流整流
峰值正向浪涌电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有
指定的。
符号
条件
最大
单位
V
WM
50
100
150
T
L
= 75
o
C
T
p
=8.3ms
2.5
35
伏
I
o
I
FSM
安培
A（ PK）
最大反向电流
最大反向电流
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
1.0
μAMPS
I
R
@ V
RWM
T
j
= 150
o
C
I
FM
=1.0A
I
FM
=2.5A
I
F
=I
RM
=0.5A
I
REC
=0.05A
I
F
=250mA
t
r
=12ns
L=.375
L=0
175
μAMPS
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
300
微秒
脉冲，占空比< 2％
最大反向恢复时间
V
FM
T
rr
0.875
0.975
25
伏
ns
正向恢复电压
热阻（轴向）
1N5802 1N5806直通
热阻（ MELF ）
1N5802US通1N5806US
V
FRM
2.2
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
36
o
C / W
C / W
13
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4970 ， REV 。
SS5802 ，美通SS5806 ，美国
外形尺寸（英寸） / （毫米）
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
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免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以改善
产品特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体营业部的
最新版本的数据表（S ）的。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备，安全设备） ，安全性应该通过使用该功能的半导体器件保证
确保安全或用户的故障安全防范措施或其他安排方式。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
属性的权利要求或任何其它问题可能是由于在所描述的信息，产品或电路应用
数据表。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
从使用的值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
Sensitron半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其应用
会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接购买，或适用于该目的
任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合相关
法律和法规。
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半导体
技术参数
数据表158 ， REV 。 F
超快恢复整流器
全封闭，无腔体的玻璃封装
冶金结合
o
o
工作和存储温度： -65℃至+175
1N5802 ，美通1N5806 ，美国
SJ
SX
SV
MAX 。额定值/电气特性
等级
工作峰值反向电压
1N5802 ，美国
1N5804 ，美国
1N5806 ，美国
平均正向电流整流
峰值正向浪涌电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有
指定的。
符号
条件
最大
单位
V
WM
50
100
150
T
L
= 75
o
C
T
p
=8.3ms
2.5
35
伏
I
o
I
FSM
安培
A（ PK）
最大反向电流
最大反向电流
I
R
@ V
RWM
T
j
= 25
o
C
1.0
μAMPS
I
R
@ V
RWM
T
j
= 150
o
C
I
FM
=1.0A
I
FM
=2.5A
I
F
=I
RM
=0.5A
I
REC
=0.05A
I
F
=250mA
t
r
=12ns
L=.375
L=0
175
μAMPS
MAX 。峰值正向电压（脉冲）
300
微秒
脉冲，占空比< 2％
最大反向恢复时间
V
FM
T
rr
0.875
0.975
25
伏
ns
正向恢复电压
热阻（轴向）
1N5802 1N5806直通
热阻（ MELF ）
1N5802US通1N5806US
V
FRM
2.2
伏
Rθ
JL
Rθ
JC
o
36
o
C / W
C / W
13
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1N5802 ，美通1N5806 ，美国
外形尺寸（英寸） / （毫米）
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
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数据表158 ， REV 。 F
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2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备，安全设备） ，安全性应该通过使用该功能的半导体器件保证
确保安全或用户的故障安全防范措施或其他安排方式。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
属性的权利要求或任何其它问题可能是由于在所描述的信息，产品或电路应用
数据表。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
从使用的值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
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7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其应用
会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们直接购买，或适用于该目的
任何第三方。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合相关
法律和法规。
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1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
C
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流
工作峰值反向电压：可应用在工作温度下的最大峰值电压
范围
平均整流输出电流：输出电流平均值在一个完整周期为50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在规定的电压和温度
电容：在1 MHz和规定电压的频率pF的电容
改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
从前进方向向相反的方向和反向峰值后的指定恢复衰退点
目前发生。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
图的
图1
输出电流 - 铅温度。
包装尺寸英寸/ [毫米]
1N5802 – 1N5806
注：铅容差= + 0.002 / -0.003英寸
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
整流器，高达150V ， 2.5A ，
25ns
电话： 805-498-2111传真： 805-498-
1N5802
1N5804
1N5806
3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
机械
G111
尺寸
暗淡
N
A
B
C
D
E
MILLIMETERS
民
1.65
17.8
3.18
-
0.69
最大
2.16
33.0
6.35
0.80
0.81
英寸
民
.065
0.70
.125
-
0.027
最大
.085
1.30
0.250
.030
0.032
-
-
-
-
1
记
这些产品对外贸易资质版到
MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百和者优先
份如MIL-STD- 701中列出。
它们可以充分地供给释放
作为JANTX和JANTXV版本。
注意：
（ 1 ）铅直径不受控制了这一地区。
重量= 0.013盎司
QQ：2881677436 复制
