UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
15N70
初步
功率MOSFET
15A ， 700V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
15N70
是一个N沟道增强型MOSFET ，它使用
UTC的先进技术，为客户提供最低
通态电阻，高开关速度和低栅极电荷。它
也可以承受高能量脉冲雪崩和
换模式。
在UTC
15N70
适合于高效率的开关型DC / DC
转换器，马达控制和开关模式电源。
特点
* R
DS （ ON）
=0.43 @V
GS
=10V,I
D
=7.5A
*低栅极电荷（典型值= 70nC ）
*低C
RSS
（典型值= 27pF ）
*高开关速度
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
15N70L-T3P-T
15N70G-T3P-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-3P
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
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1 6
QW-R502-839.a
15N70
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
雪崩电流（注2）
雪崩能量
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
评级
700
±30
15
9.5
60
15
950
30
4.5
300
2.38
-55~+150
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
脉冲（注2）
连续
单脉冲（注3 ）
重复的（注2）
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
减免上述25℃
结温
T
J
存储温度范围
T
英镑
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“
T
L
300
°C
案件从5秒
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
3， L = 7.8mH ，我
AS
= 15A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C,
4. I
SD
≤15A,
DI / dt≤200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
, T
J
≤25°C.
热特性
参数
结到环境
结到外壳
案例下沉
符号
θ
JA
θ
JC
θ
CS
评级
40
0.42
0.24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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2 6
VER.A
15N70
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
最小典型最大单位
700
0.68
10
100
+100
-100
3.0
5.0
0.43 0.56
15
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
△
BV
DSS
/
△
T
J
参考至25℃ ，我
D
=250A
I
DSS
I
GSS
V
DS
=700V, V
GS
=0V
V
DS
= 560V ，T
C
=125°C
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 50V ，我
D
= 7.5A （注1 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 560V ，我
D
=15A
门源费
Q
GS
（注1,2）
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 350V ，我
D
= 15A ，R
G
=25
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 15A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
S
= 15A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/s
(Note1)
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
2790 3600 pF的
300 390 pF的
27
35
pF
70
17
33
70
180
160
120
90
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
150
370
330
250
15
60
1.4
460
5.7
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QW-R502-839.a
15N70
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
V
DS
R
G
R
D
90%
V
GS
10V
V
DS
10%
DUT
V
GS
t
D（上）
t
ON
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
电阻开关测试电路
电阻的开关波形
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初步
功率MOSFET
测试电路和波形
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
V
GS
（驱动器）
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路和波形
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