UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
15N40
初步
功率MOSFET
15A ， 400V N沟道
功率MOSFET
1
描述
在UTC
15N40
是用一个N沟道型功率MOSFET的UTC的
先进的技术，为客户提供平面条形和DMOS
技术。该技术允许的最低通态电阻和
出色的开关性能。它也可以承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。
在UTC
15N40
一般适用于高效率开关模式
电源供应器。
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
=0.35 @ V
GS
=10V,I
D
=7.5A
*低栅极电荷（典型值28nC ）
*低C
RSS
（典型17PF ）
*高开关速度
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
15N40L-TA3-T
15N40G-TA3-T
TO-220
15N40L-TF1-T
15N40G-TF1-T
TO-220F1
注：引脚分配： G：门
D：漏
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-633.b
15N40
参数
漏源极电压
栅源电压
初步
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明。 ） （注5）
评级
单位
400
V
±30
V
T
C
=25°C
15
A
I
D
连续
漏电流
T
C
=100°C
9
A
脉冲（注2）
I
DM
60
A
雪崩电流（注2）
I
AR
15
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
731
mJ
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
17
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
15
V / ns的
功耗
(T
C
=25°C)
170
W
P
D
减免上述25℃
1.45
W / ℃，
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
3， L = 6.5mH ，我
AS
= 15A 。 V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤15A,
DI / dt≤200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
5.漏电流受最高结温
热特性
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
0.7
单位
° C / W
° C / W
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15N40
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
最小典型最大单位
400
0.5
1
10
+100
-100
2.0
4.0
0.26 0.35
1310 1750
210 280
17
25
28
8
12
26
55
72
40
36
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
C
ΔBV
DSS
/T
J
参考至25℃ ，我
D
=250A
I
DSS
I
GSS
V
DS
=400V, V
GS
=0V,
V
DS
= 320V ，T
C
=125°C
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V , V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
GS
=V
DS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=320V, V
GS
= 10V ，我
D
=15A
门源费
Q
GS
（注1,2）
栅漏（ "Miller" ）充电
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 200V ，我
D
= 15A ，R
G
=25
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
SD
= 15A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
SD
= 15A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/s
（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ;值班Cycle≤2 ％ 。
2.基本上是独立的工作温度典型特征
62
120
154
90
15
60
1.4
333
3.24
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初步
功率MOSFET
测试电路和波形
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15N40
初步
功率MOSFET
测试电路和波形（续）
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
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