UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
15N60
15安培， 600伏
N沟道MOSFET
描述
在UTC
15N60
是用一个N沟道模式功率场效应管UTC的
先进的技术，提供的costumers与平面条形和
DMOS技术。该技术是专门从事允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
15N60
主动式功率因数普遍适用
校正和高效率的开关模式电源。
初步
功率MOSFET
特点
* 15A ， 600V ，R
DS （ ON）
=0.44 @ V
GS
=10V
*通常23.6pF低C
RSS
*高开关速度
*改进dv / dt能力
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
15N60L-T47-T
15N60G-T47-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
包
TO-247
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-485.a
15N60
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
雪崩电流（注1 ）
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
评级
单位
V
DSS
600
V
V
GSS
±30
V
I
AR
15
A
连续
I
D
15
A
连续漏电流
60
A
脉冲（注1 ）
I
DM
单脉冲（注2 ）
E
AS
637
mJ
雪崩能量
重复（注1 ）
E
AR
25.0
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
P
D
312
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
40
0.4
单位
° C / W
° C / W
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2 6
QW-R502-485.a
15N60
参数
开关特性
漏源击穿电压
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
BV
DSS
测试条件
民
600
0.65
1
10
+100
-100
3.0
0.36
19.2
5.0
0.44
典型值
最大单位
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
μC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
=25°C
I
D
=250μA,
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
参考25 ℃下
V
DS
=600V, V
GS
=0V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 520V ，T
C
=125°C
前锋
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
栅源漏电流
I
GSS
反向
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 40V ，我
D
= 7.5A （注4 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=520V, V
GS
=10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
= 15A （注4,5 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 325V ，我
D
=15A,
R
G
= 21.7Ω （注4,5 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 15A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时，我
S
=15A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注4 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注意事项： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 5.23mH ，我
AS
= 15A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤15A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
6.漏电流受最高结温
2380 3095
295
385
23.6 35.5
48.5
14.0
21.2
65
125
105
65
63.0
140
260
220
140
15
60
1.4
496
5.69
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3 6
QW-R502-485.a
15N60
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
峰值二极管恢复的dv / dt测试电路波形&
DUT
R
G
+
V
DS
L
-
I
SD
V
GS
V
DD
司机
同一类型
作为DUT
dv / dt的由R控制
G
I
SD
通过脉冲周期控制
V
GS
（驱动器）
D=
门脉冲宽度
门脉冲周期
10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ DUT）的
I
RM
体二极管反向电流
V
DS
（ DUT）的
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
SD
V
DD
体二极管正向
电压降
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QW-R502-485.a
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15N60
栅极电荷测试电路
V
GS
Q
G
初步
功率MOSFET
栅极电荷波形
同一类型
作为DUT
12V
200nF
50k
V
GS
DUT
3mA
300nF
V
DS
10V
Q
GS
Q
GD
收费
非钳位感应开关测试电路
V
DS
R
G
I
D
非钳位感应开关波形
E
AS
= 1李
AS2
2
BV
DSS
L
I
AS
I
D
(t)
BV
DSS
BV
DSS
-V
DD
10V
t
P
DUT
V
DD
V
DD
V
DS
(t)
时间
t
P
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5 6
VER.A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
15N60
初步
功率MOSFET
15A ， 600V N沟道
功率MOSFET
1
描述
在UTC
15N60
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC先进的技术，提供的costumers与平面条形
和DMOS技术。该技术是专门从事允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
15N60
主动式功率因数普遍适用
校正和高效率的开关模式电源。
TO-247
1
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
=0.65 @ V
GS
=10V
*通常23.6pF低C
RSS
*高开关速度
*改进dv / dt能力
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
15N60L-TF1-T
15N60G-TF1-T
15N60L-T47-T
15N60G-T47-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220F1
TO-247
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-485.e
15N60
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
漏源极电压
V
DSS
600
V
栅极至源极电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
15
A
15
A
连续
I
D
连续漏电流
脉冲（注2）
I
DM
60
A
637
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
25.0
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220F1
38.5
功耗
P
D
W
TO-247
312
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3， L = 5.23mH ，我
AS
= 15A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤15A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
热数据
参数
TO-220F1
结到环境
TO-247
TO-220F1
结到外壳
TO-247
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
40
3.3
0.4
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-485.e
15N60
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
测试条件
最小典型最大单位
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ，T
J
=25°C
600
V
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
0.65
V /°C的
1
A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
= 520V ，T
C
=125°C
10
A
100 nA的
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
I
GSS
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
-100 nA的
2.0
4.0
0.5 0.65
2380 3095
295 385
23.6 35.5
48.5
14.0
21.2
65
125
105
65
63.0
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
μC
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=520V, V
GS
=10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
= 15A （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 325V ，我
D
=15A,
R
G
= 21.7Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 15A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
S
=15A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
3.漏电流受最高结温
140
260
220
140
15
60
1.4
496
5.69
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-485.e
15N60
初步
功率MOSFET
测试电路和波形
+
V
DS
-
+
-
L
D.U.T.
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
期
P.W.
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复的dv / dt
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
峰值二极管恢复dv / dt的波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 6
QW-R502-485.e
15N60
初步
功率MOSFET
测试电路和波形（续）
V
DS
90%
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
切换测试电路
开关波形
V
GS
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
收费
栅极电荷测试电路
栅极电荷波形
BV
DSS
I
AS
I
D（T）
V
DD
V
DS （T ）
t
p
时间
非钳位感应开关测试电路
非钳位感应开关波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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