UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
15N25
初步
功率MOSFET
15A ， 250V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
15N25
是用一个N沟道增强型MOSFET
UTC的先进技术，为客户提供完美的
R
DS （ ON）
，高开关速度，高电流容量和低栅
费。
在UTC
15N25
在低电压普遍应用，如
汽车，高效率的开关用于DC / DC转换器和DC
马达控制等。
特点
* R
DS （ ON）
<0.32Ω @ V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
*低栅极电荷（典型值20nC ）
*低C
RSS
（典型25PF ）
*高开关速度
符号
订购信息
包
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
管
订购数量
无铅
无卤
15N25L-TF1-T
15N25G-TF1-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
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1第3
QW-R502-994.b
15N25
参数
漏源电压
栅源电压
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
（除非另有规定编）
符号
评级
单位
V
DSS
250
V
V
GSS
±30
V
15
A
连续
I
D
连续漏电流
脉冲
I
DM
60
A
单脉冲雪崩电流
I
AS
15
A
单脉冲雪崩能量
E
AS
340
mJ
功耗
P
D
83
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
符号
θ
JA
θ
JC
评级
110
1.5
单位
° C / W
° C / W
参数
结到环境
结到外壳
电气特性
最小典型最大单位
250
V
1
A
100 nA的
-100 nA的
4
0.29 0.32
830 1080
200 260
25
33
67
15
18
40
50
130
50
75
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
参数
符号
测试条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=250V, V
GS
=0V
前锋
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DD
= 50V ，我
D
=1.3A
门源费
Q
GS
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.5A ，R
G
=25,
V
GS
= 10V ，R
L
=30
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续
I
S
当前
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 15A ，V
GS
=0V
2
50
60
140
65
15
60
1.5
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初步
功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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