- 制冷采暖热水新风一体化解决方案！2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 随着居民生活水平的提高，家用中央空调逐渐被一部分追求档次品位的业主所接受，在高档住宅和别墅中得到广泛应用，但由于家用中央空调低温制热效果差的弊端，家用中央空调仅仅解...[全文]
- 空调—采暖热水新风一体化解决方案2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 由于户式中央空调配套壁挂炉可一体化综合解决制冷、采暖、生活热水、引入新风等功能优势，已被美国、英国等许多发达国家在公寓、住宅、别墅等建筑中作为常用的配套方式。近几...[全文]
- 进销存和财务系统走向业务财务智能化2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 日前，国内最大的卡通文具礼品供应商之一，也是国内率先倡导新潮卡通文具礼品的统联文具礼品有限公司上海公司，与国内知名的财务智能化解决方案供应商上海博科资讯股份有限公...[全文]
- 双极型晶体管I-V特性2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 双极型晶体管的性能能用一幅基极电流，集电极电流和集电极－发射极电压曲线图来说明。图1.21就是一幅典型的集成npn管的曲线图。纵坐标表示集电极电流ic，而横坐标是集电极－发射...[全文]
- 集成NPN晶体管的beta值2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 晶体管的电流放大能力等于集电极电流比上基极电流。这个比值有很多名字，包括电流增益和beta。不同的作者又对它也使用不同的符号，包括β和hfe。一个典型的集成npn晶体管的be...[全文]
- PN结相关知识介绍2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 均匀掺杂的半导体只有很少的应用。几乎所有的固态器件都是由多个p型和n型区域组合而成。p型和n型区域之间的交界面就被称为pn结，或简单的称为结。 图1.8a中是两片硅。左边是一...[全文]
- 半导体掺杂相关知识介绍2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 半导体的导电能力取决于他们的纯度。完全纯净或本征半导体的导电能力很低，因为他们只含有很少的热运动产生的载流子。某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目。这些掺杂质的半导体能接...[全文]
- 载流子的产生和复合2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 第4组的元素的导电能力随着原子序数的增加而增加。碳在钻石的情况下是一个真正的绝缘体。硅和锗导电能力稍微高一点，但他们相对于金属比如锡和铅仍旧差很多。由于他们的介于中间的导电...[全文]
- 半导体基础知识2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 本书的内封面是一张完整的元素周期表。其中的元素按照性质的相似性组成行和列。元素周期表的左边的元素被称为金属，而那些在右边的元素被成为非金属。金属通常是热和电的良导体。他们可...[全文]
- 交互氧化物，交互氮化物和保护层2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 交互氧化物，交互氮化物和保护层 图2.29显示了一个典型的现代金属系统的截面图。硅上的第一层物质是热生长氧化物。在这层氧化物上面的是多晶硅层，它最终会形成mos晶体管的...[全文]
- Silicidation2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 另一个对标准金属流的修正包括添加silicide。硅元素和很多金属反应，包括铂，钯，钛和镍，形成化合物。这些silicides能形成低电阻的ohmic contacts，某...[全文]
- 铝的沉积和去除2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 大多数金属系统用铝或铝合金来作为主要的互联层。铝的导电能力几乎和铜或银一样好，并且它能快速沉积在覆盖在半导体制造中所有的物质的薄膜上。经过一段时间的加热，铝和硅形成低电阻的...[全文]
- 中国半导体行业协会理事长俞忠钰简介2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 中国半导体行业协会理事长俞忠钰简介 俞忠钰，1958年毕业于北京大学物理系。现任中国政协委员，中国半导体行业协会理事长, 信息产业部电子科技委副主任，北京大学计算机科学与技术...[全文]
- 用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 所有人 s.o.i.tec绝缘体上硅技术公司 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速...[全文]
- JFET管原理2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- mos管仅仅是场效应管中的一种。另一种就是结型场效应管或jfet。这种器件把包围反向结的耗尽区作为gate dielectric。图1.27a是n-channel jfet...[全文]
- 圆片不退火应用研究2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 唐开勇 沈文秀 蔡干刚 王寿山 陆敏 朱红英 通过改变升温速率、最大读出温度及恒温时间等参数研究了性能改善的gr-200a重复使用中的灵敏度、残余信号和发光曲线的变化情况...[全文]
- 镀金属基础知识介绍2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 集成电路的主动成分由diffusion，离子植入和外延层在硅衬底上的生长组成。当这个步骤结束，用一层或多层连线，最终的部分被连接起来形成集成电路。连线包括金属层和由绝缘物质...[全文]
- 多晶硅的沉积2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 如果硅是沉积在不定形的物质上，那么就没有底下的结构能调整晶体的生长。最终的硅薄膜由小的愈合晶体的集合体组成。这种多晶薄膜有粒状结构，它的粒子尺寸取决于沉积条件和接下来的热处...[全文]
- 硅外延生长工艺相关知识2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长。底层通常是由和沉积的半导体同种物质的晶体组成，但也不总是这样。高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石waf...[全文]
- 离子注入相关知识介绍2008/6/5 0:00:00 2008/6/5 0:00:00
- 由于传统扩散技术的限制性，现代工艺大量使用了离子注入。 离子注入机是一种特殊的粒子加速器，用来加速杂质原子，使他们能穿透硅晶体到达几微米的深度。（16 注入深度和注入能量有关...[全文]
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