均匀掺杂的半导体只有很少的应用。几乎所有的固态器件都是由多个p型和n型区域组合而成。p型和n型区域之间的交界面就被称为pn结，或简单的称为结。

图1.8a中是两片硅。左边是一块p型硅，右边则是一块n型硅。只要他们之间没有接触就没有结。每块硅里都有均匀分布的载流子。p型硅里有大量的多数载流子空穴和一些电子，而n型硅里有大量的多数载流子电子和一些空穴。

图1.8 硅中载流子在结形成前（a）和形成后（b）的分布。

现在，假设这两块硅互相接触而形成一个结。连接之后没有对载流子运动有影响的物理障碍。在p型硅中就有大量过剩的空穴，而在n型硅中有大量过剩的电子。一些空穴就从p型硅中扩散到了n型硅中。一样的，也有一些电子从n型硅中扩散到了p型硅中。图1.8b就是扩散后的结果。许多载流子沿着结往两个方向扩散。两边的少数载流子的浓度都上升到超过靠单独掺杂能达到的水平。沿着结由扩散所造成的过剩的少数载流子被称为过剩少数载流子浓度。