图2.29显示了一个典型的现代金属系统的截面图。硅上的第一层物质是热生长氧化物。在这层氧化物上面的是多晶硅层，它最终会形成mos晶体管的gate。在这层多晶层上的是叫做multilevel oxide（mlo）的一薄层沉积的氧化物层，它能隔离多晶并加厚热生长氧化物层。穿过mlo和热生长氧化物层蚀刻的是contact opening，它能接触silicon，也穿过mlo来接触多晶。跟着reflow后，contact opening被硅化来降低接触电阻。在mlo上的是第一层金属，主要是一薄层refractory barrier metal和一层厚的多的铜掺杂铝。在第一层金属层上的是另一层沉积的氧化物层，叫做interlevel oxide（ilo），它能隔绝开第一层金属和它上面的第二层金属。via