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环境和等待时问的影响2017/11/11 18:28:39
2017/11/11 18:28:39
抛光后的等待时间。CuCMP结束后,如果晶片在普通净化室的环境中长久等待,QG88GWP铜的表面上会长出很多麻疹似的小颗粒,在铜线边缘尤为严重。这是由于铜在空气中的氧化形成的,此生长物的主要成分...[全文]
化学腐蚀2017/11/11 18:27:00
2017/11/11 18:27:00
化学腐蚀(chemicalcorrosion)QG82005MCH金属表面处如有没清洗掉的研磨液等化学物质,与铜发生化学反应形成化学腐蚀,见图11,19。这在抛光机发生故障、抛光中...[全文]
光助铜腐蚀2017/11/11 18:20:09
2017/11/11 18:20:09
光助铜腐蚀(Pho1oAssistedCopperCorrosion,PACC)产品中的PN结在光子的照射下产生电子流动,使得Cu原子从P掺杂的连线转移到N掺杂的一端,QEDS-9...[全文]
必须完成变频器的机械和电气安装2017/11/3 22:29:43
2017/11/3 22:29:43
在进行快速调试之前,必须完GLF2012T2R2M成变频器的机械和电气安装。PO010的参数过滤功能和P0003选择用户访问级别的功能在调试时是十分重要的。MM4变频器有3个用户访问级,即标准级...[全文]
经验模型2017/11/2 20:01:30
2017/11/2 20:01:30
如8.2.1节所述,基于基本原理所建立的等离子刻蚀建模涉及高频、高强度电场内的连续性、VP101X12BQC-2动量平衡和能量平衡等方程。对一个特定反应器的实际模拟,所需要的求解时问在数量级L是...[全文]
等离子刻蚀2017/11/1 19:47:34
2017/11/1 19:47:34
干法刻蚀通常要用到等离子,等离子被称作物质的第四态,它可以被看作部分或全部放电的气体,在这气体中,包含有电子、离子、中性的原子和/或分子。OA1530-32-NOUT从总体上看,等离子保持着电中...[全文]
极紫外光刻 2017/11/1 19:41:17
2017/11/1 19:41:17
在所用过的光刻的波长中,13.5nm可能不太容易被理解。从最初的g线、i线到当今的365nm、248nm和193nm,多少还是让人感到,我们是在做“刻”。由于193nm浸没式的O27.0-VX3...[全文]
与设计图形在给定的离焦后的差异2017/11/1 19:25:45
2017/11/1 19:25:45
由一个给定的仿真模型(如空问像+阈值模型)从-个初始函数(掩膜版的原始设计图样)来对每一个掩膜版单元进行考察,看将其设定成“0”或者“1”对一些预先定义的考察I艺好坏的参量,或者代价函数有没有变...[全文]
相移掩膜版2017/10/30 21:51:02
2017/10/30 21:51:02
掩膜版是通过透光和不透光来将电路板设计图案表达出来的。不过,由于衍射效应,本UC3800D来不透光的区域,在硅片的像中光强也不等于零。在1982年,莱文森(I'cvcnson)和他的合作者提出使...[全文]
改进气泡的问题需要从源头上阻止气泡的产生2017/10/29 13:24:16
2017/10/29 13:24:16
改进气泡的问题需要从源头上阻止气泡的产生,如阻止空气在浸没使用的超纯净水中的过量溶解。V52C4258K70还有,如果在快速扫描时(通常最快速度可以达到600~700mm/s)产生了气泡,需要通...[全文]
模拟电路的工作频率比较低、灵敏度较高2017/10/28 10:34:25
2017/10/28 10:34:25
模拟电路的工作频率比较低、灵敏度较高,一般用单点接地的方式。在模拟R1008电路中,单点接地主要用来防止来自如数字逻辑器件、电动机、电源、继电器等其他噪声元器件的大接地电流流经模拟地线。模拟输入...[全文]
闲置输入端处理方法2017/10/27 21:47:54
2017/10/27 21:47:54
闲置输入端处理方法:ZHCS1000TA①悬空,相当于逻辑“1”,对于一般小规模集成电路的数据输人端,实验时允许悬空处理,但易受外界干扰,导致电路的逻辑功能不正常。因此,对于接有长...[全文]
通常对空间上有延伸的图形2017/10/26 21:04:35
2017/10/26 21:04:35
通常对空间上有延伸的图形,诸如线或槽和接触孔,掩膜版误差因子都等于或大于1。S2922AIF10-TF因为掩膜版误差因子的重要性在于它和线宽及掩膜版成本的联系,将它限制在较小的范围变得十分重要。...[全文]
光刻工艺流程 2017/10/25 21:07:50
2017/10/25 21:07:50
基本的8步工艺光刻流程如图7.9所示。HMDS表面处理、涂胶、曝光前烘焙、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、显影后烘焙、测量。P9234V16气体硅片表面预处理...[全文]
前处理工艺2017/10/23 20:40:00
2017/10/23 20:40:00
在进行Ti/TiN沉积之前,wafer还要进行前处理,一是加热(degas)去除ILDlayer里的水汽和OPA2137EA/2K5从上道工艺可能残留下来的聚合物(polymer),二是用氩气进...[全文]
氮的加人可以很大程度上提高金属栅的热稳定性和抗氧化能力2017/10/22 11:29:18
2017/10/22 11:29:18
氮的加人可以很大程度上提高金属栅的热稳定性和抗氧化能力。难熔金属的氮化物(TiN、TaN、HfN、WN)与高乃栅介质之间有较好的热力学和化学稳定性,界面特性良好,与高乃栅介质的集成表现出良好的电...[全文]
金属栅极有效功函数的调制2017/10/22 11:26:05
2017/10/22 11:26:05
由于金属栅极功函数与栅介质材料有关。高乃/金属栅结构界面处存在本征界面态,导致金属费米能级向高乃介质的电荷中性能级移动,产生费米能级钉轧效应。TC74LCX08FT这种效应使得有效功函数主要由高...[全文]
刻蚀过程是多步deΓetch的关键步骤2017/10/21 12:27:38
2017/10/21 12:27:38
刻蚀过程是多步deΓetch的关键步骤,刻蚀过程通过与NF3的反应去除掉Si02,由于NF3在沟槽不同部位的入射角不同,可以实现顶部刻蚀较多从而可以修整部分填充后的沟槽的形状得到更容易填充的沟槽...[全文]
整定电流截止电路的方法是2017/10/19 22:20:07
2017/10/19 22:20:07
整定电流截止电路的方法是:开机后在大电流下调整“电流截止”或“电流反馈”电位器,RC5051B使直流电流限定在额定值上并锁定该电位器的值。在额定电流下,RL上的电压波形应接近于整流电路晶闸管全开...[全文]
化膜/氨化膜工艺 2017/10/17 21:52:54
2017/10/17 21:52:54
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。TAS5342DDV氧化硅薄膜可以通过热氧化(thermal°xidation)、化学气相沉积(chemicalvapordcp...[全文]
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