基本的8步工艺光刻流程如图7.9所示。

   HMDS表面处理、涂胶、曝光前烘焙、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、显影后烘焙、测量。 P9234V16

   气体硅片表面预处理

   在光刻前,硅片会经历一次湿法清洗和去离子水冲洗,日的是去除沾污物。在清洗完毕后,硅片表面需要经过疏水化处理,用来增强硅片表面同光刻胶(通常是疏水性的)的黏附惟。疏水化处理使用一种称为六甲基二硅胺脘,分子式为(CH3)3⒏NHSi(CH3)3,(HMDs,heⅫmethyldisilazane)物质的蒸气。这种气体预处理同木材、塑料在油漆前使用底漆喷涂相似。六甲基二硅胺脘的作用是将硅片表面的亲水性氢氧根(C)H)通过化学反应置换为疏水性的O⒏(CH3)3,以达到预处理日的。