二极管Dl和高压电容C4检测峰值交流线电压。电容C4取较小值(lOOnF)，R6790-22以提高输入过压的检测速度，特别是在差模浪涌条件下。此电压通过连接到Ul和U2的V引脚的串联电阻转换为电流并注入电压监测(V)引脚。器件也会利用检测到的电流来设置输入过压／欠压保护阈值。V引脚电流和反馈(FB)引脚电流在内部用来控制LED平均输出电流。非调光设计要求在参考(R)引脚(R8、R22)和V引脚上分别使用24.9kQ电阻和4MQ电阻。齐纳二极管VR2和VR5在启动期间为V引脚提供保护。

   二极管D2、Dl0、VR1和VR4对漏极电压进行钳位，使其低于Ul和U2内部功率MOSFET的BVDSS额定值(725V)。二极管D3和Dll可阻止反向电流流经LinkSwitch-PH器件（即最小输入电容导致的结果）。

   为了耐受2kV的差模输入浪涌，本设计使用压敏电阻RV1和Cl0（lOptF）在浪涌期间吸收大部分的能量，从而限制最大总线电压。=极管D18在正常工作条件下将C2与交流输入隔离，R3在出现浪涌后充当C2的放电路径。

   二极管D5、D14、C7、Cl0、C15和C16构成初级偏置电源。在正常工作时，该电源通过D4、D12以及R9、R23将IC工作电流馈入旁路(BP)引脚。电阻Rll和R25提供滤波以改善输出稳压，Rl0和R24则充当最小负载。    

   电容C6和C14是LinkSwitch-PH的电源去耦。在启动期间，这些电容从与器件漏极(D)引脚相连的内部高压电流源被充电至约6V。充电后，这些电容中储存的能量为器件供电，直到输出和偏置绕组电压在调整中上升。电容C24和C27提供局部高频率去耦。这些电容必须放置于Ul和U2的器件引脚。