灯管隔离式高功率因数LED驱动电路结构
发布时间:2015/1/12 19:10:28 访问次数:672
一个超薄T8灯管(元件高度小于lOmm)、隔离式、高功率因数(PF>0.98) LED驱动电路[34]如图3.1¨所示,该电路可以在交流90~13 5V的输入R6795-18电压范围内为额定电压50V的LED灯串提供430mA的驱动。
图3.11.1所示电路Ul采用了LYTSwitch系列lC中的LYT4215E。LYTSwitch器件是一种将控制器和650V功率MOSFET集成在一起的器件,可用于单级反激式拓扑结构,提供初级侧调节的恒流隔离输出,同时使交流输入保持高功率因数。LYTSwitch lC还可提供各种复杂的保护功能,包括环路开环或输出短路条件下自动重启动等,利用该器件可实现高功率因数和低THD。
熔断器Fl在元件发生故障时提供保护,而RV1用来对lkV差模浪涌测试期间可能产生的最大电压进行钳位。RV1的额定电压为交流140V,略高于最大指定工作电压交流13 5V。二极管桥堆BR1对交流线电压进行整流,电容C3为初级开关电流提供低阻抗通路(去耦)。
输入EMI滤波由差模电感Ll,L2和L3以及X电容Cl和Y电容C8提供。Ll和L2两端的电阻Rl和R2可抑制在传导EMI测量中通常出现的、由滤波元件和交流输入阻抗引起的共振。
一个超薄T8灯管(元件高度小于lOmm)、隔离式、高功率因数(PF>0.98) LED驱动电路[34]如图3.1¨所示,该电路可以在交流90~13 5V的输入R6795-18电压范围内为额定电压50V的LED灯串提供430mA的驱动。
图3.11.1所示电路Ul采用了LYTSwitch系列lC中的LYT4215E。LYTSwitch器件是一种将控制器和650V功率MOSFET集成在一起的器件,可用于单级反激式拓扑结构,提供初级侧调节的恒流隔离输出,同时使交流输入保持高功率因数。LYTSwitch lC还可提供各种复杂的保护功能,包括环路开环或输出短路条件下自动重启动等,利用该器件可实现高功率因数和低THD。
熔断器Fl在元件发生故障时提供保护,而RV1用来对lkV差模浪涌测试期间可能产生的最大电压进行钳位。RV1的额定电压为交流140V,略高于最大指定工作电压交流13 5V。二极管桥堆BR1对交流线电压进行整流,电容C3为初级开关电流提供低阻抗通路(去耦)。
输入EMI滤波由差模电感Ll,L2和L3以及X电容Cl和Y电容C8提供。Ll和L2两端的电阻Rl和R2可抑制在传导EMI测量中通常出现的、由滤波元件和交流输入阻抗引起的共振。
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