例如，考虑在一个有低的源阻抗和高的负载阻抗的信号线中插入L滤波器的情况。MC74VHC1GT125DT1如果滤波器有一个62. 8,Q的串联元件和一个1.6Q的旁路元件，将产生32dB的衰减。

   为了有效，安装旁路电容必须用几乎为零的短导线。这是极其重要的，但不能被过多强调。许多滤波器的不足是与旁路电容串联的电感。这个电感包括用于连接敏感设备输入和地之间电容的PCB迹线，以及电容器自身的电感。

      对于双极晶体管放大器的情况，射频能量检波通常出现在基极一发射极结处。图14-3表示连接在一个晶体管的基极和发射极之间的R-C滤波器的情况。在图14-3～图14-5中，串联滤波元件被表示为一个电阻；但是，串联元件也可以是前面所讨论的铁氧体磁珠或电感。

 图14—3适用于晶体管放大器基极到    图14-4应用于运算放大器输入端的RFI滤波器

   在大多数集成电路故大器的情况下，输入晶体管基极一发射极结不能接到集成电路(IC)的引脚。在这些情况下，射频滤波器必须被用到设备的输入端以使射频能量不能进入组件。图14-4表示一个RFI滤波器应用于运算放大器的输入端。

   一些IC放大器（例如，AD620仪表放大器）直接进入输入晶体管的基极和发射极，用户可以直接在基极一发射极结两端应用射频滤波，如图14-5所示。