以电场控制电流为工作原理的晶体管为场效应晶体管，简称FET

（field effect transistor的缩写）。LM2576SX-5.0如图3.76所示其内部形成PN结，拥有D、S、G三个端子。这三个端子分别称作漏极、源极、栅极。如图3. 77所示，若漏极一源极之间外加电压，则流通电流JD。接下来如图3. 78所示，在栅极一源极之间外加反向电压，则耗尽层扩大，电流的通道（沟道）变窄，所以电流受到限制。电流ID称为漏极电流，通过变化栅极一源极之间的电压可以改变。

    FET的种类和特点

   如图3. 79所示，沟道为N型半导体的FET称为N沟道FET，沟

道为P型半导体的FET称为P沟道FET。在普通的晶体管中，电流

由电子与空穴搬运，因其“具有两种极性”所以称之为双极型晶体管。与此相比，FET中N沟道型是由电子、P沟道型是由空穴来搬运电流的，因此也称之为单极晶体管。

     普通的晶体管为电流控制型元件。与此相反，FET为电压控制型元件。FET具有输入阻抗高、噪声小的特点。在图3.76中，栅极使用的是PN结因此称为结型FET。与此相比，在半导体的表面制备一层绝缘性能很好的非常薄的氧化绝缘膜( Si02)，在此之上蒸镀金属而构成栅极的场效应管称为MOS型FET。这里所指的蒸镀是金属在真空中加热、熔解后金属蒸发，附着于半导体的表面从而形成薄膜。MOS为metal-oxide semiconductor的缩写，其含义为金属氧化物半导体。