1．品质因数

    品质因数，要求Q值必须足够大，BD682以保证调谐电路的Q值。

   串联电阻R。会使变容二极管严生损耗，这种损耗愈大，品质因数Q愈小，变容二极管的质量愈差。

    2．截止频率石

    当频率增高时，Q值要下降，当Q值下降到1时的频率为截止频率。

    3．电容变化比

   变容二极管在零偏压时的结电容与在击穿电压时的结电容之比称为电容变化比。电容变化比大，调谐频率范围大。

    变容二极管的容量变化范围一般为5～300pF.

    4．击穿电压

    变容二极管击穿电压较高，一般为15～90V.

    发光二极管主要参数

    1．电参数

    (1)正向工作电流If。它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。发光二极管工作电流一般为10～20mAo

   (2)正向工作电压UF。它是在给定正向电流下的发光二极管两端正向工作电压。一般是在/F=20mA时测量的，发光二极管正向工作电压在1.4～3V。外界温度升高时，发光二极管正向工作电压会下降。

    (3)伏．安特性。它是指发光二极管电压与电流之间的关系。

    2．极限参数    

    (1)允许功耗PM。它是允许加于发光二极管两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值，超过此值发光二极管发热、损坏。

   (2)最大正向直流电流IFM。它是允许加的最大正向直流电流，超过此值可损坏二极管。

   (3)最大反向电压URM。它是允许加的最大反向电压，超过此值发光二极管可能被击穿损坏。

   (4)工作环境温度timp。它是发光二极管可正常工作的环境温度苑围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。