在图11-24(b)中也注意到两个接地噪声电压是由瞬态电源电流产生的，但它们极性相反，A15218而且包含IC的接地平面部分两端的净电压是零。因此，连接到板的任何电缆的共模辐射也将显著减小。

   因此，在一个IC上用两个去耦电容显著地减小了由瞬态电源电流所导致的共模辐射和差模辐射。为了再减小相同量的辐射，需要额外的两个电容，这样将使总电容数为4。为了再减小相同的辐射量将再需要额外的四个电容，这将使总数达到8个电容，以此类推。每次电容数量必须翻倍。

   那么，哪里是最大的投资回报呢？很清楚，回报来自第二个电容的增加。这个结果导致一个问题，为什么曾经用少于两个电容去给一个IC去耦，是因为用那么小的成本能提供如此多的改进吗？

   上面的讨论导致有关数字IC去耦的下述建议：

   ·在一个DIP上最少用两个电容，将电容接在封装的两端。

   ·在一个小的方形IC封装（例如四方扁平封装）上最少用四个电容，四个边每个边接一个电容。

   ·产生大的瞬态电源电流的许多大型IC(例如，微处理器)通常需要许多的去耦电容（在 一堂情况下，电容数量是几百个）。要单独分析这些IC的去耦要求。

   另外，如上面和11.4节所讨论的有效去耦将使VCC对地噪声电压的幅度最小化，这将减小对VcC总线的干扰，且显著减小由于将这些噪声耦合到电路板上的其他IC嗍萨生的辐射。