去耦电容必须提供高频电流；因此，他们应该是低电感的高频电容。因为这个原因，多层陶瓷电容更好。

   为了低频时有效去耦（低于去耦网络的谐振频率），总的去耦电容必须满足以下两个要求：

   (1)总电容必须足够大以在AAT3218IGV-1.8-T1关注的最低频率处具有低于目标阻抗的阻抗值（见11.4.5节）；

   (2)当保持电源电压在要求的误差之内时，电容必须足够大以提供IC切换时所需的瞬态电流。

   其中dV是发生在时间dt内，由电流瞬态值dI所产生容许的电源电压的瞬态电压降。例如，如果一个IC2ns内需要500mA的瞬态电流，且希望限制电源电压的瞬态值小于0.1V，则电容必须至少0. OlluF。

   如前所述，只是去耦网络的低频有效性受电容值的影响，而高频特性只是由所驱动的电感值多低所决定。电感是由用多少电容所决定，且电感与每个电容相串联。一个多层SMT电容的内电感主要由其封装体积所决定。一个1206SMT封装电容将是一个0603电容电感的大约两倍。1206电容器有约1. 2nH的电感，而0603电容器有约0.6nH的电感。

   因此，选择去耦电容的一个好方法是实际应用最小的封装体积，然后在这个封装体积内用可用的最大值的电容。选择一个较小值的电容对于高频特性没有改善，但它会使低频有效性降低。