当数字逻辑IC切换时， HEF4021BT瞬态电源电流通过下述三种不同的机制产生辐射发射：

   (1)瞬态电源电流绕IC和去耦电容之间的环路流动将产生环路辐射。

   (2)流经地阻抗的瞬态电源电流将产生一个接地噪声电压，这个电压将激励任何与系统相连的电缆，将导致它们产生辐射。

   (3)经过电源总线，V。c对地噪声电压耦合到其他IC(例如，I/O驱动)，而最终终止于电源和信号电缆，将导致它们产生辐射。

   有放地去耦可以使上述所有三种辐射机制最小化。

   图ll-24(a)给出一个IC和它的去耦电容C，。来自去耦环路的辐射与环的面积乘以环中电流的幅度成正比(见式(12-2》。电容距IC越近，环路面积越小，辐射越少。

   另外，瞬态电源电流也会产生一个对地的电压降，如图ll-24(a)所示的V。这个接地噪声电压将激励任何与系统相连的电缆，这将造成如图12-2所示的电缆的共槿辐射，将在12.2节进行讨论。    

   图ll-24(b)给出了与图ll-24(a)相同的IC，但这次它有两个相同的去耦电容C．和C2；IC的每一边各接一个电容。因为两个电容值相同，而且相对于IC对称分布，当IC切换时，它们每一个将提供lC所需的电流的一半。因此，来自包含电容Cl的环路辐射将减小一半或减小6dB。包含C：的环路电流将包含瞬态电流的另一半，且它也会产生等量的辐射。

   然而，注意到与C，相关的环路电流是顺时针流动的，而与C2相关的环路电流是逆时针流动的。因此，来自这两个环路的辐射不是相加，而是相减，这两个环路趋于彼此抵消。即使不能完全抵消，发射仍能显著减小。假设只抵消12dB，则环路辐射总的减小量将是18dB（其中6dB来自环路黾流的减小，12dB来自环路的抵消）。