平面波在远场总的损耗是吸收损耗和反射损耗之和，如式(6-8)所示。对于平面波，多重LT1055CN8反射修正因子B通常忽略不计，这是因为反射损耗很大而修正项很小。如果吸收损耗大于ldB，则修正项小于lldB。如果吸收损耗大于4dB，则修正项小于2dB。

   图6 -16表示o．02in厚的完整铜屏蔽层总的衰减或屏蔽效能。可以看出，反射损耗随着频率的升高而降低，因为屏蔽层的阻抗五随着频率的增加而增加。但是，吸收损耗却随着频率的增加而增加，因为趋肤深度减少了。最低屏蔽效能出现在一些中间频率，如图中lokHz的情况。从图6-16可知，对于低频平面波，衰减主要是反射损耗；而在高频率，衰减主要是吸收损耗。

    图6-16 0.02in厚的铜屏蔽层在远场的屏蔽效能

   对于电场，总的损耗是吸收损耗(式(6-13》和反射损耗(式(6-26》之和，如式(6—8)所示。在电场情况下，多重反肘修正因子B通常忽略不计，因为反射损耗很大而修正项很小。低频时，反射损耗是电场的主要屏蔽机制；高频时，吸收损耗是电场的主要屏蔽机制。