薄屏蔽层内的多重反射
发布时间:2014/4/13 16:32:27 访问次数:1225
如果屏蔽层较薄,第二个LT1008CN8边界的反射波是从第一个边界透射过来的,到第二个边界再次反射,如图6 -14所示。对于较厚的屏蔽层,由于吸收损耗高,这次反射可以忽略。当波第二次到达第二个边界时,幅度可以忽略,因为波已三次穿过厚的屏蔽层。
对子电场,大部分入射波在第一个边界被反射,只有小部分进入屏蔽层。这可以从式(6-14)和22《Zl的事实得到。因此,对于电场,屏蔽层内的多重反射可以忽略不计。
对于磁场,当22《Zl时,大部分入射波在第一个边界处进入屏蔽层,如式(6-15)所示。透射波的幅基本是入射波的两倍。屏蔽层内有这么大幅度的磁场,屏蔽层内多重反射的影响必须考虑。
图6 -15是修正因子B随t/8变化的曲线。注意到,修正因子为负数,表明薄屏蔽层因多重反射屏蔽效果降低(小于式(6-30)的预测)。
如果屏蔽层较薄,第二个LT1008CN8边界的反射波是从第一个边界透射过来的,到第二个边界再次反射,如图6 -14所示。对于较厚的屏蔽层,由于吸收损耗高,这次反射可以忽略。当波第二次到达第二个边界时,幅度可以忽略,因为波已三次穿过厚的屏蔽层。
对子电场,大部分入射波在第一个边界被反射,只有小部分进入屏蔽层。这可以从式(6-14)和22《Zl的事实得到。因此,对于电场,屏蔽层内的多重反射可以忽略不计。
对于磁场,当22《Zl时,大部分入射波在第一个边界处进入屏蔽层,如式(6-15)所示。透射波的幅基本是入射波的两倍。屏蔽层内有这么大幅度的磁场,屏蔽层内多重反射的影响必须考虑。
图6 -15是修正因子B随t/8变化的曲线。注意到,修正因子为负数,表明薄屏蔽层因多重反射屏蔽效果降低(小于式(6-30)的预测)。
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