1．结型场效应管结构和工作原理解说
    如图10-3所示是N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图。DS2900-3-003从图10-14中可以看出，它使用一块N型半导体，在它的上、下各引出一个电极，分别称为漏极D和源极S。在N型半导体两侧，各设一小块P型半导体，将它们连起来作为栅极G。这样，G与S之间、G与D之间各出现了一个PN结。
    图10-3 N沟道结型场效应管的结构及工作原理示意图如表10-5所示是三种直流电压偏置情况分析。
    表10-5三种直流电压偏置情况分析

          
    2．绝缘栅场效应管结构和工作原理解说
    如图10-4所示是N沟道绝缘栅场效应管结构示意图。在两个N型区之间再形成一个N型硅薄层，于是形成N型沟道。在N型沟道上面加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上面加一个铝层电极，作为栅极G。
    图10-4 N沟道绝缘栅场效应管结构示意图

          
    在G、S极之间加一个电压，那么G极铝层与P型衬底之间如同是以绝缘层为介质的平行板电容器。改变G、S极之间电压的大小，可以改变N型沟道的电阻。