电压净空
发布时间:2013/7/28 16:44:18 访问次数:2190
电池电源以及目前的工艺技术都意味着使用低电压工作模式。当前最流行的可再充电电池技术主要是锂离子电池、镍镉电池及镍金属氢电池。完全放电后，NJM4556AM锂离子电池电压为2.7V，完全充电后则为4.2V。镍镉电池和镍金属氢电池的电压范围则为0. 9～1.7V。微燃料电池的电压则更低，为0.4～0.7V。这些电池提供的电压比较低，而且具变化而非恒定的特性，会影响电压净空和动态范围，从而对稳压器提出了很高的要求。
低压工作模式也是当前工艺水平发展的结果。更高的器件密度促使我们提高光刻分辨率，制造出击穿电压更低的纳米量级的半导体结。举个例子，一个典型的0.18llm的CMOS工艺所能够承受的电压不能够超过1.8V。另外，出于经济上的考虑，我们需要尽可能降低工艺的复杂性，也就是减少掩膜的数量，这同时也会减少器件的数量。通常标准CMOS以及标准BiCMOS工艺（不增加额外类型器件）是需求最大的，但是这同时也减少了设计的灵活性。
低电压环境会对模拟集成电路的设计构成限制。很乡的传统设计方式在低电压环境下不再可行，从而限制了设计的灵活性，有些时候也限制了系统性能。级联式设备，如发射极和源极跟随器、达林顿双极晶体管，对提高增益、带宽和驱动能力都有帮助，然而它们却需要额外的电压净空，而电压净空在电池供电系统中是十分宝贵的资源。低电压同时意味着更高的精度，驱动着电路性能向它的极限逼近。例如，一个1%精度为1.8V的稳压器在- 40～125℃的温度范围内，在包括工艺偏差、噪声、电压偏差以及负载调整率和线性调整率情况之下的总偏差要低于18mV，其中，线性调整率和负载调整率有5～12mV的变化。外，在低电压下，动态范围会变差，这使得精度要达到高于1%的程度。从而集成电路更加昂贵，设计也更加复杂，同时也激励着设计者要更能随机应变、更加具有创新性。
低压工作模式也是当前工艺水平发展的结果。更高的器件密度促使我们提高光刻分辨率，制造出击穿电压更低的纳米量级的半导体结。举个例子，一个典型的0.18llm的CMOS工艺所能够承受的电压不能够超过1.8V。另外，出于经济上的考虑，我们需要尽可能降低工艺的复杂性，也就是减少掩膜的数量，这同时也会减少器件的数量。通常标准CMOS以及标准BiCMOS工艺（不增加额外类型器件）是需求最大的，但是这同时也减少了设计的灵活性。
低电压环境会对模拟集成电路的设计构成限制。很乡的传统设计方式在低电压环境下不再可行，从而限制了设计的灵活性，有些时候也限制了系统性能。级联式设备，如发射极和源极跟随器、达林顿双极晶体管，对提高增益、带宽和驱动能力都有帮助，然而它们却需要额外的电压净空，而电压净空在电池供电系统中是十分宝贵的资源。低电压同时意味着更高的精度，驱动着电路性能向它的极限逼近。例如，一个1%精度为1.8V的稳压器在- 40～125℃的温度范围内，在包括工艺偏差、噪声、电压偏差以及负载调整率和线性调整率情况之下的总偏差要低于18mV，其中，线性调整率和负载调整率有5～12mV的变化。外，在低电压下，动态范围会变差，这使得精度要达到高于1%的程度。从而集成电路更加昂贵，设计也更加复杂，同时也激励着设计者要更能随机应变、更加具有创新性。
电池电源以及目前的工艺技术都意味着使用低电压工作模式。当前最流行的可再充电电池技术主要是锂离子电池、镍镉电池及镍金属氢电池。完全放电后，NJM4556AM锂离子电池电压为2.7V，完全充电后则为4.2V。镍镉电池和镍金属氢电池的电压范围则为0. 9～1.7V。微燃料电池的电压则更低，为0.4～0.7V。这些电池提供的电压比较低，而且具变化而非恒定的特性，会影响电压净空和动态范围，从而对稳压器提出了很高的要求。
低压工作模式也是当前工艺水平发展的结果。更高的器件密度促使我们提高光刻分辨率，制造出击穿电压更低的纳米量级的半导体结。举个例子，一个典型的0.18llm的CMOS工艺所能够承受的电压不能够超过1.8V。另外，出于经济上的考虑，我们需要尽可能降低工艺的复杂性，也就是减少掩膜的数量，这同时也会减少器件的数量。通常标准CMOS以及标准BiCMOS工艺（不增加额外类型器件）是需求最大的，但是这同时也减少了设计的灵活性。
低电压环境会对模拟集成电路的设计构成限制。很乡的传统设计方式在低电压环境下不再可行，从而限制了设计的灵活性，有些时候也限制了系统性能。级联式设备，如发射极和源极跟随器、达林顿双极晶体管，对提高增益、带宽和驱动能力都有帮助，然而它们却需要额外的电压净空，而电压净空在电池供电系统中是十分宝贵的资源。低电压同时意味着更高的精度，驱动着电路性能向它的极限逼近。例如，一个1%精度为1.8V的稳压器在- 40～125℃的温度范围内，在包括工艺偏差、噪声、电压偏差以及负载调整率和线性调整率情况之下的总偏差要低于18mV，其中，线性调整率和负载调整率有5～12mV的变化。外，在低电压下，动态范围会变差，这使得精度要达到高于1%的程度。从而集成电路更加昂贵，设计也更加复杂，同时也激励着设计者要更能随机应变、更加具有创新性。
低压工作模式也是当前工艺水平发展的结果。更高的器件密度促使我们提高光刻分辨率，制造出击穿电压更低的纳米量级的半导体结。举个例子，一个典型的0.18llm的CMOS工艺所能够承受的电压不能够超过1.8V。另外，出于经济上的考虑，我们需要尽可能降低工艺的复杂性，也就是减少掩膜的数量，这同时也会减少器件的数量。通常标准CMOS以及标准BiCMOS工艺（不增加额外类型器件）是需求最大的，但是这同时也减少了设计的灵活性。
低电压环境会对模拟集成电路的设计构成限制。很乡的传统设计方式在低电压环境下不再可行，从而限制了设计的灵活性，有些时候也限制了系统性能。级联式设备，如发射极和源极跟随器、达林顿双极晶体管，对提高增益、带宽和驱动能力都有帮助，然而它们却需要额外的电压净空，而电压净空在电池供电系统中是十分宝贵的资源。低电压同时意味着更高的精度，驱动着电路性能向它的极限逼近。例如，一个1%精度为1.8V的稳压器在- 40～125℃的温度范围内，在包括工艺偏差、噪声、电压偏差以及负载调整率和线性调整率情况之下的总偏差要低于18mV，其中，线性调整率和负载调整率有5～12mV的变化。外，在低电压下，动态范围会变差，这使得精度要达到高于1%的程度。从而集成电路更加昂贵，设计也更加复杂，同时也激励着设计者要更能随机应变、更加具有创新性。
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