栅漏电阻通常取1MQ，相应地，我们可能将耦合电容取为lOOnF，HT7070A-1令低频截止频率为1.6Hz。假如我们把感兴趣的最低噪声频率定为20Hz(是否应定为20Hz，可以进行商榷)，那么，在20Hz时有Xc-80kQ。此值是如此之大，令到r。的并联短路作用几乎完全无效。不过，Xc会随着频率而下降，在下降至小于ra时，r。才开始发挥出并联短路的作用。
    上述分析表明，我们通常所选取的耦合电容值，不允许ra在低于lkHz的范围内，对来自于下一级栅漏电阻的噪声，起到并联短路的作用。因此，这只电阻贡献了幅度与频率成反比的噪声（即l/f噪声），但是，此噪声只上升到与该电阻取值有关的理论最大热噪声。
    为避免出现这些过量噪声，我们可能决定将耦合电容值取得足够大，以便ra能在所有频率下对R。起到并联短路作用。为此，耦合电容需取lOpt,F左右，这将是一只体积很大的电容。如果能改为DC耦合的话，采用DC耦合会更好——已有一定数量的厂制前置放大器使用了这项技术。
    假如我们已处理好栅漏电阻和耦合电容，那么，我们就只剩下阳极负载电阻RL及电子管了。为便于分析，我们需将等效电路作进一步简化，如图7.20所示。

         
    RL会产生热噪声，如果使用薄膜电阻，还会产生过量噪声。电阻制造商通常是按电阻两端的DC电压，以∥Ⅳ为单位给出过量噪声规格的。现在，我们研究一个典型的输入级电路，如图7.21所示。
    图7.20输入级噪声源的最终等效电路    图7.21  用于噪声分析的典型输入级电路
    电路中，RL两端的DC电压约为200V。典型的lOOkfl/2W金属膜电阻，产生的过量噪声为0.1UV/U。