场效应晶体管的结构是怎样的
    场效应晶体管是一种半导体器件，但它的工2SK2858-T1-A作原理与晶体三极管不同，晶体三极管是一种电流控制器件，它是以基极电流的微小变化而引起集电极电流的较大变化，而场效应晶体管则是一种压控电源器件，即流人的漏极电流。受栅源电压UCs的控制。
    结型场效应晶体管的结构及工作原理
    如图1- 21所示，结型场效应晶体管是在一块N型半导体材料（硅片）的两侧各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极C)，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极(S)和漏极(D)。夹在两个PN结中间的N区是电流的通道，称为导电沟道（简称沟道），这种管子称为N沟道结型场效应晶体管。如果在一块P型半导体的两侧各扩散一个高杂质浓度的N型区，就可以制成一个P沟道的结型场效应晶体管。图1-21结型场效应晶体管结构及电路符号。

         
    结型场效应晶体管的工作原理：利用半导体内的电场效应，当给栅极加上控制电压时，导电沟道的宽度将随控制电压的大小而发生变化，从而实现用电压控制沟道电流（源极和漏极之间的电流）的目的。当沟道被夹断时，源极和漏极之间被关断，没有电流流过。综上所述，JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。