绝缘栅型场效应晶体管的DTA114EEFRA结构及工作原理
    绝缘栅型场效应晶体管有N沟道和P沟道两类，每类按结构不同又分为增强型和耗尽型。绝缘栅型场效应晶体管的导电机理是，利用UCs控制“感应电荷”的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流。二者的区别是增强型MOS管在栅源电压UCs =0时，漏源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压UDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生(，。=0)。而耗尽型MOS管在UCs =0时，漏源极间就有导电沟道存在。

          
    增强型MOS管
    如图1-22所示为N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号，它是在一块P型硅衬底上，扩散两个高浓度掺杂的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在两介N+区之间的硅表面上制作一层很薄的二氧化硅( Si02)绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再装一个铝电极，作为栅极（栅极与其他电极间是绝缘的）。另外，在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反。