效应晶体管如何分类

发布时间:2013/3/25 19:18:52 访问次数:582

    效应晶体管如2SK2857-T1-AZ何分类？
    场效应晶体管的分类有以下几种形式。
   1．按结构分类
    场效应晶体管按结构可分为结型场效应晶体管( JFET)、绝缘栅型场效应晶体管( IGFET)两大类，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。
    结型场效应晶体管的特点是两个PN结。绝缘栅型场效应晶体管的特点是栅极与其他电极完全绝缘。目前在绝缘栅型场效应晶体管中，应用最广泛的是MOS场效应管(即金属一氧化物一半导体场效应管MOS-FET)。此外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应晶体管等。
2．按沟道材料分类
   场效应晶体管按沟道材料可分为N沟道和P沟道两种。
    3．按导电方式分类
    场效应晶体管按导电方式可分为耗尽型与增强型。结型场效应晶体管均为耗尽型；绝缘栅型场效应晶体管既有耗尽型的，也有增强型的。
   MOS场效应晶体管有四种类型，如图1- 20所示。图中(a)为IN沟道耗尽型，(b)为P沟道耗尽型，(c)为N沟道增强型，(d)为iP沟道增强型。MOS场效应晶体管有四个电极，即栅极(G)、漏极(D)、源极(S)和衬底(B)，通常将衬底(B)鸟源极(S)相连，所以，从场效应晶体管的外形看它是一个三端电路元器件。

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