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半导体制造的“电阻元件”

发布时间:2013/2/22 19:45:55 访问次数:802

    构成电路的元器件大概可以分为无源元件和CAT823STDI-GT3有源器件。无源元件不具备放大信号的功能,只能消耗和储存电能,比如电阻(月)、电感(三)、电容(C)都是无源元件。但是第3章以后所描述的高端集成电路中几乎没用到电感,所以本书只对电阻和电容进行介绍。
    电阻具有阻碍电流流动的性质,利用这个性质就能限制电流,在不同的元器件中进行电流和电压的分配,也可以和电容一起延迟电信号的传播。半导体电阻一般由长方形的扩散层或多晶硅层制造。
    例如,圈;(a)表示扩散层制造的电阻,(b)表示多晶硅制造的电阻。这里电阻值为月,电阻的宽度为肜,深度d(对于扩散层)或者厚度f,电阻的电阻率为p,由以下公式表示:
    电阻率由扩散层或多晶硅内的导电杂质种类(磷、砷、硼等)和浓度决定。

          
    如图2所示,扩散层和多晶硅内的杂质浓度是均匀的,即在电阻内部浓度均一的情况下,电阻率是确定的,但是一般情况下在深度或者厚度方向上的分布并不均匀。这种情况下,可以考虑电阻率在深度或者厚度方向上的平均值,最眇与d或f的比值来表示。这个值被称为层电阻,一般用ps来表示。

    构成电路的元器件大概可以分为无源元件和CAT823STDI-GT3有源器件。无源元件不具备放大信号的功能,只能消耗和储存电能,比如电阻(月)、电感(三)、电容(C)都是无源元件。但是第3章以后所描述的高端集成电路中几乎没用到电感,所以本书只对电阻和电容进行介绍。
    电阻具有阻碍电流流动的性质,利用这个性质就能限制电流,在不同的元器件中进行电流和电压的分配,也可以和电容一起延迟电信号的传播。半导体电阻一般由长方形的扩散层或多晶硅层制造。
    例如,圈;(a)表示扩散层制造的电阻,(b)表示多晶硅制造的电阻。这里电阻值为月,电阻的宽度为肜,深度d(对于扩散层)或者厚度f,电阻的电阻率为p,由以下公式表示:
    电阻率由扩散层或多晶硅内的导电杂质种类(磷、砷、硼等)和浓度决定。

          
    如图2所示,扩散层和多晶硅内的杂质浓度是均匀的,即在电阻内部浓度均一的情况下,电阻率是确定的,但是一般情况下在深度或者厚度方向上的分布并不均匀。这种情况下,可以考虑电阻率在深度或者厚度方向上的平均值,最眇与d或f的比值来表示。这个值被称为层电阻,一般用ps来表示。

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2-22半导体制造的“电阻元件”

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