无源元件中的一种储电件称为电容。它可以暂CAT823TTDI-GT3时储存电能（电荷），和电阻联在一起具有减缓电信号传播的功能。
    作为半导体电容件的代表， (a)表示的是pn结结构模型，(b)表示的是MOS电容结构模型，(c)表示的是电路符号。
    (a)中，在给pn结加一个逆向电压时，交界面上形成没有载流子、绝缘状态的耗尽层。耗尽层处于n型和p型半导体的中间。利用这个原理制成了电容。pn结电容的大小根据两端所加逆电压的大小而变化。
    (b)中，在作为电极的p型硅半导体表面镀上Si0：绝缘膜，然后在上面加上铝作为电极。
    MOS的容量电容和电压的关系。横轴为p型硅基板接地的情况下，加在铝电极上的栅极电压( VG)，纵轴为对应的各电压下的电容(C)。MOS电容的铝电极表面积用S、Si0：绝缘膜的厚度用d来表示。在。中，栅极电压V≤OV时，因为p型硅基板表面从p型变成了p木型（电荷积累，即空穴浓度变得更高的区域），所以MOS电容的值为栅极电容CG的值，表示为下式。
    与之相反，栅极电压Vc>OV时，p型硅表面形成耗尽层，产生硅电容CSi。所以，MOS电客是栅极电容与硅电容串联的值，那么下式成立：