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存储器用集成电路

发布时间:2013/2/17 9:56:12 访问次数:955

    相对于磁带或磁盘等,存储器用集成电路HK19F-DC12V-SHG一般称为半导体存储器,在各种计算机的有储装置和家用电器等产品中得到广泛的应用。半导体存储器有RAM(random access memory)和ROM( read onlymemory)。

            
    RAM。像磁带录音机那样可以自由地存储或擦掉,即可以随机存取的存储器,有动态RAM(DRAM)和静态RAM( SRAM)。

    现在256M位DRAM正在成为主流以代替64M位,而且把集成度提高到几吉位以上也是可能的,以适应大容量化,但每隔一定周期必须进行保持存储操作。
    图2. 48是DRAM的结构和等效电路。写入时,将FET保持导通状态,这期间从位线加对应于“1”或“0”信息的低或高的电压,形成在电容C上积聚电荷或不积聚电荷的状态。读出时,再使FET导通,通过位线读出在C上有电荷或没有电荷。

             

    SRAM具有读出写入简单、速度高的优点,但其缺点是耗电大、集成度比不上DRAM。

    相对于磁带或磁盘等,存储器用集成电路HK19F-DC12V-SHG一般称为半导体存储器,在各种计算机的有储装置和家用电器等产品中得到广泛的应用。半导体存储器有RAM(random access memory)和ROM( read onlymemory)。

            
    RAM。像磁带录音机那样可以自由地存储或擦掉,即可以随机存取的存储器,有动态RAM(DRAM)和静态RAM( SRAM)。

    现在256M位DRAM正在成为主流以代替64M位,而且把集成度提高到几吉位以上也是可能的,以适应大容量化,但每隔一定周期必须进行保持存储操作。
    图2. 48是DRAM的结构和等效电路。写入时,将FET保持导通状态,这期间从位线加对应于“1”或“0”信息的低或高的电压,形成在电容C上积聚电荷或不积聚电荷的状态。读出时,再使FET导通,通过位线读出在C上有电荷或没有电荷。

             

    SRAM具有读出写入简单、速度高的优点,但其缺点是耗电大、集成度比不上DRAM。

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