MOS集成电路有PMOS集成电路、NMOS集成电路和CMOS集成电路等。与双极型集成电路相比，其HK14FD-DC24V-SHG结构简单，价格便宜，而且正在进行高密度化、高速化的开发。NMOS集成电路N型沟道的载流子是电子，其迁移率比P型沟道的空穴大，可以在高速下工作，使用比PMOS广泛。
    如图2. 44所示，CMOS集成电路是使P型沟道和N型沟道的两个晶体管相组合的倒相电路。CMOS集成电路比NMOS集成电路面积性能比大，制造工序多，它具有超低耗电、抗噪声能力强特点。

    混合集成电路。混合集成电路是在薄膜集成电路或厚膜集成电路等的衬底上用印制法或蒸镀法制造电阻器或电容器，再在上面配置半导体集成电路而构成的。图2. 45是在薄膜集成电路上配置了半导体集成电路的晶体管芯片从而构成的混合集成电路。由此可知，用薄膜集成电路无法得到晶体管等有源元件一体化，超小型化。图2. 46是薄膜集成电路的一个例子。
    集成电路按功能分类。对集成电路按功能分类，有数字钟表等数字电路中使用的数字集成电路( digital  IC)和电视接收机等放大电路中使用的线性集成电路(linear IC)。图2.47中示出集成电路按功能和结构的分类。
    一般，双极型集成电路主要用于高速数字工作和线性工作领域，MOS集成电路用于中低速、低耗电的数字工作领域。