除了PNP型锗材料BL-HZ336G-L8-TRB三极管、NPN型硅材料三极管，常见的还有PNP型硅材料三极管（如3CG系列）和NPN型锗材料三极管（如3BX系列）。PNP型硅材料三极管的检测可将万用表置R×lok挡，参照PNP型锗材料三极管的检测进行。NPN型锗材料三极管的检测可将万用表置R×lk挡，参照NPN型硅材料三极管的检测进行。
    需要说明的是，上述检测过程所给的测量电阻值只供参考。因不同型号的三极管，极间的电阻值不同，即使同一型号的三极管，极间电阻值也有差异。对同一个三极管来说，极间电阻值不是常数，用不同的电阻挡测量的电阻值差异也很大。
    场效应晶体管简称FET，是一种具有PN结构的半导体器件，但它与普通半导体三极管的不同之处在于它是电压控制器件。场效应晶体管的输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成，但是容易击穿。

    场效应晶体管的结构和图形符号.场效应晶体管(FET:field-effect transistor)是由电场控制载流子移动的器件。FET大致可以分为结型FET和MOS型FET(图2.33)，它们各有三个电极：源极(S：source)、漏极(D: drain)和栅极(G:gate)。

    结型FET.如图2. 33(a)所示，结型FET是在有源极和漏极两个电极的N型半导体中，形成有栅极的P型半导体而构成的。其中，在源极和栅极之间流过电流，把此通路称为沟道。因此，把源极和栅极之间的电流在N型半导体中流动的情况称为N型沟道。
    此外，还有源极和漏极之间为P型，栅极为N型的结型FET。这时，由于电流的通路为P型半导体，所以称为P型沟道。
    MOS型FET.如图2. 33(b)所示，MOS型FET是在P型半导俸中形成两个N型半导体，将表面氧化形成绝缘良好的氧化绝缘膜，再在其上安装金属作为栅极而构成的。因此，此FET在结构上依次形成金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)，取其首字母称为MOS型。   

    由此，如图2. 33(b)所示，在漏极和源极之间加电压时，由于反向电压加在PN结上而形成耗尽层。这时在栅极和P型衬底之间加正电压时，由于栅极的正电压，在下侧靠近栅极的耗尽层内，因静电感应而生成电子。它成为载流子，并形成了电流的通路。这时电子构成沟
道，所以称为N型沟道。衬底使用N型半导体时，空穴构成沟道，所以称为P型沟道。而且，MOS型FET有两种类型：一种是栅极上即使不加电压，漏极和源极之间也有电流流动的耗尽型；另一种是如果栅极上不加电压，漏极和源极之间就没有电流流动的增强型。表2. 18中示出各种FET的名称和图形符号。