为了使FET工作，必须A5W-K在各电极上加电压。对于N型沟道，结型及耗尽型如图2. 36 (a)所示，漏极D对源极S的电位为正，G对S的电位为负。增强型如图2. 36(b)所示，D、G对S的电位均为正。对于P型沟道，加上与N型沟道时极性相反的电压。此外，耗尽型的情况，有时N型沟道、P型沟道都使G、S成为同电位使用。
       

    FET的用途.晶体管的输入阻抗大致为几十kQ，而FET的输入阻抗则为几Mfl以上。因此，FET具有输入阻抗非常高的特征，用于需要高输入阻抗的测量仪器或电容式话筒等输入部分的放大电路中。由于栅压的作用，FET还具有导通状态或截止状态的开关作用，因此用于计算机的逻辑电路中。
    场效应晶体管的主要参数.饱和漏电流IDSS.当栅源间电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
    栅源截止电压UGS.使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。
    夹断电压UP.在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中，当栅源间反向偏压足够大时，沟道两边的耗尽层充分扩展，从而夹断沟道，此时的栅源电压称为夹断电压。
    开启电压U.在增强型绝缘栅场效应管中，使漏、源极间刚刚导通的最小电压称为开启电压。
    跨导g。它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。
    最大耗散功率PSM.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。场效应管实际功率应小于最大耗散功率并留有一定余量。
    最大漏源电流ISM.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大漏源电流。