如图3. 79所示，沟道为N型半导体AD734AN的FET称为N沟道FET，沟道为P型半导体的FET称为P沟道FET。在普通的晶体管中，电流由电子与空穴搬运，因其“具有两种极性”所以称之为双极型晶体管。与此相比，FET中N沟道型是由电子、P沟道型是由空穴来搬运电流的，因此也称之为单极晶体管。

    普通的晶体管为电流控制型元件。与此相反，FET为电压控制型元件。FET具有输入阻抗高、噪声小的特点。在图3.76中，栅极使用的是PN结因此称为结型FET。与此相比，在半导体的表面制备一层绝缘性能很好的非常薄的氧化绝缘膜( Si02)，在此之上蒸镀金属而构成栅极的场效应管称为MOS型FET。这里所指的蒸镀是金属在真空中加热、熔解后金属蒸发，附着于半导体的表面从而形成薄膜。MOS为metal-oxide semiconductor的缩写，其含义为金属氧化物半导体。图3. 80以及图3.81列出了结型FET与MOS型FET的图示符号。