1．实验目的
    (l)掌握CMOS反相器W0603LF031000B-R1构成多谐振荡器的工作原理。
    (2)加深对组合和时序逻辑电路的理解。
    (3)通过实验掌握基本电路在实际生活中的应用。
    2．实验电路与说明
    (1) CMOS反相器构成的多谐振荡器
    由于矩形波包含丰富的高次谐波分量，故将通电后能自行产生矩形波脉冲的电路称作多谐振荡器。本实验采用CMOS反相器、电阻和电容来构成多谐振荡器电路，其电路原理如图7.18所示。
    由于CMOS厦相器G，在输入和输出端之间并接电阻R，又在G．的输入端和G：的输出端接有电容C，电容C的充放电和G．及G：的反相作用使得电路不能处于稳定状态，每当电容C的充电或放电使G，的输入电压过CMOS反相器的门限电平U，。（即1/2 Vn。）时，Uo，和U02的状态在高低电平间翻转一次，于是产生一系列矩形波（波形如图7.18）。矩形波的周期r与尺、C的数值大小成正比。
    该电路也可接成可控多谐振荡器。当A点悬空时，电路为自由振荡；当A点接固定的高或低电平时，输出电压U02亦为高或低电平，电路停止振荡。
    为了减少电容充放电过程中CMOS内部保护电路所承受的冲击电流，防止锁定效应，还经常在图7. 18电路的G．输入端串接一个较大的电阻R．，如图7.19所示。Ri的加入，使矩形波的周期有所增大。

           
    (2)电路原理图
    BP机呼叫电路原理图如图7.20所示。
    (3) BP机呼叫原理
    电路中，G，、G。构成音频多谐振荡器；G。、G。构成低频多谐振荡器，控制音频振荡间隔；G．、G：构成超低频多谐振荡器，控制呼叫间隔。D．、R，和VD：、R。起隔离、控制作用，使音频振荡器受低频振荡器的控制，而低频振荡器又受超低频振荡器的控制。当G．、G：构成的超低频多谐振荡器输出低电平时，VD，的箝位作用使G，输入为固定的低电平，低频多谐振荡器停振，B点为低电平，音频振荡器也停振，扬声器不发声；而超低频多谐振荡器输出高电平时，VD，截止，G，、G。枸成的低频多谐振荡器产生振荡，而它又通过VD：控制着G，、G。构成的音频振荡器工作。因此，C点输出一个调制的音频信号，使扬声器发出“蛐一蛐一”的声响。各级多谐振荡器的输出波形如图7.21所示。
    电路中三极管接成射极跟随器形式，防止音频振荡频率受负载影响。