图10.12中，由于MOSFET几乎没有栅极AT24C02B-PU电流流过，所以发射极接地型开关电路输出端负载电阻R～Rt的值即使很大(例如lOMfl)对于直流关系也没有影响（电阻值大可以减小电路的功耗）。但是，如果过于大，那么MOSFET的输入电容与负载电阻将形成截止频率很低的低通滤波器(开关MOSFET的输入电容Ciss非常大，例如2SK612达到500pF)。这样一来，在用脉冲宽度对电动机速度进行控制的PWM(Pulse Width Modulation)控制中，就难以提高它的开关频率。所以在这里取Ri =R2 =R3 =R4一330kQ。
    发射极接地型开关Tr5～Tr10可以由NPN晶体管与电阻组合构成，但是这样会增加元件数目，所以采用内藏电阻的晶体管。内藏电阻晶体管是在基区部分内藏电阻，以单体作为发射极接地型开关工作的晶体管。

                
    丧10.2是内藏电阻晶体管DT系列一览表。最近，这种内藏各种阻值电阻的晶体管已经商品化。这里使用基极限流电阻是47kfl的NPN晶体管DTC144EF。这种晶体管当加5V的输入电压时的基极电流为0.ImA(≈(5V-0.6V)/47kQ)，hFE≥68，所以能够开关6.8mA(一0.ImA×68)的集电极电流。另一方面，如果VD=18.8V(关于VD的值将在后面说明)，由于R1=R2=R3=R4=330kQ，所以集电极电流为57tLA(～18.8V/330kCl)，所以使用DTC144EF时可以充分驱动。